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公开(公告)号：CN104867895B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410344902.7
申请日：2014-07-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L2224/02181 , H01L2224/0219 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/0516 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05559 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06517 , H01L2224/08147 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/8084 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/8192 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/80001
摘要： 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。
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公开(公告)号：CN104867895A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410344902.7
申请日：2014-07-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L2224/02181 , H01L2224/0219 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/0516 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05559 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06517 , H01L2224/08147 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/8084 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/8192 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/80001
摘要： 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。
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公开(公告)号：CN103189960A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180051602.4
申请日：2011-08-31
申请人： 原子能和代替能源委员会
CPC分类号： H01R43/02 , C09J2205/31 , C09J2400/163 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/185 , H01L21/2007 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/50 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05546 , H01L2224/05571 , H01L2224/05576 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/05688 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/13099 , H01L2224/80012 , H01L2224/80013 , H01L2224/8002 , H01L2224/80097 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80905 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079 , H01L2224/80001 , H01L2224/05552
摘要： 一种在设置有由氧化硅区（4）围绕的至少一个铜区（3）的第一表面（1）和第二表面（1’）之间接合的方法，包括在第一表面（1）与第二表面（V）形成接触前用等离子体处理第一表面（1）的操作。等离子体由气源产生，所述气源包含用于氧化硅的氮化剂和基于氢的用于氧化铜的还原剂。气源可包括N2/NH3和/或N2/H2气体混合物，亦或N2O/H2气体混合物，还或者是氨气，该氨气然后用作氮化剂和还原剂二者。于是，从该气源获得的等离子体必然包含氮和氢，由此能在单一操作中提供第一和第二表面（1、1’）之间的强接合。
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公开(公告)号：CN105448861A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410308869.2
申请日：2014-06-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 陈福成
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/603 , H01L21/98
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02175 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0381 , H01L2224/03831 , H01L2224/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05027 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05647 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/06051 , H01L2224/061 , H01L2224/06505 , H01L2224/08058 , H01L2224/08111 , H01L2224/08145 , H01L2224/10145 , H01L2224/1148 , H01L2224/1181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/27831 , H01L2224/29187 , H01L2224/32145 , H01L2224/73101 , H01L2224/73104 , H01L2224/73201 , H01L2224/73204 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81895 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83896 , H01L2224/83948 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2225/06593 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/05442 , H01L2924/059 , H01L2924/04642 , H01L2924/05042 , H01L2224/05 , H01L2224/13 , H01L2224/08 , H01L2224/16 , H01L2224/80 , H01L2924/00
摘要： 本申请公开了一种芯片、其制作方法及层叠芯片的制作方法。其中，该芯片包括：芯片基板；介质层，设置于芯片基板上，介质层包括第一介质区和环绕在第一介质区外周的第二介质区，且第一介质区的上表面低于第二介质区的上表面；金属层，设置于第一介质区并贯穿介质层，且金属层与芯片基板连接。在上述芯片中通过降低围绕在金属层外周的第一介质区相对于金属层的高度，使得暴露在第一介质层外面的金属层的体积增加。将该芯片与其它芯片进行键合过程中，在键合压力不变的情况下金属层内部的应力会减小，使得金属层的延展程度得以减小，进而提高层叠芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN103189960B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180051602.4
申请日：2011-08-31
申请人： 原子能和代替能源委员会
CPC分类号： H01R43/02 , C09J2205/31 , C09J2400/163 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/185 , H01L21/2007 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/50 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05546 , H01L2224/05571 , H01L2224/05576 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/05688 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/13099 , H01L2224/80012 , H01L2224/80013 , H01L2224/8002 , H01L2224/80097 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80905 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079 , H01L2224/80001 , H01L2224/05552
摘要： 一种在设置有由氧化硅区（4）围绕的至少一个铜区（3）的第一表面（1）和第二表面（1’）之间接合的方法，包括在第一表面（1）与第二表面（V）形成接触前用等离子体处理第一表面（1）的操作。等离子体由气源产生，所述气源包含用于氧化硅的氮化剂和基于氢的用于氧化铜的还原剂。气源可包括N2/NH3和/或N2/H2气体混合物，亦或N2O/H2气体混合物，还或者是氨气，该氨气然后用作氮化剂和还原剂二者。于是，从该气源获得的等离子体必然包含氮和氢，由此能在单一操作中提供第一和第二表面（1、1’）之间的强接合。
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