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公开(公告)号：JPWO2008114644A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：JP2009505143
申请日：2008-03-11
IPC: G03F7/40 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F7/0035 , G03F7/0392 , G03F7/40 , H01L21/0274
Abstract: (1)第一のレジスト層にマスクを介して選択的に露光した後、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、(2)第一のレジストパターン上に、第一のレジストパターンを不要化することが可能なレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、ベーク又はUVキュア後、現像して、第一のレジストパターンを不溶化レジストパターンとする工程と、(3)不溶化レジストパターン上に第二のレジスト層を形成し、第二のレジスト層にマスクを介して選択的に露光する工程と、(4)現像して第二のレジストパターンを形成する工程と、を含むレジストパターン形成方法である。
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公开(公告)号：JPWO2016133115A1
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2017500706
申请日：2016-02-17
IPC: B05D5/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: B05D7/24 , C09D201/00 , H01L21/3065
Abstract: 本発明は、自己組織化により相分離構造を形成しうる1種又は複数種の第1重合体と溶媒とを含有する自己組織化膜形成用組成物により、基板上に塗布膜を形成する工程を備え、上記溶媒が、芳香環含有化合物を含有する自己組織化膜の形成方法である。上記塗布膜を加熱する工程をさらに備えることが好ましい。上記溶媒における上記芳香環含有化合物の含有量としては、80質量%以下が好ましく、50質量%以上が好ましい。上記自己組織化膜形成用組成物が、上記第1重合体よりも表面自由エネルギーが小さい第2重合体をさらに含有し、上記第2重合体が自己組織化膜の上方に偏在することが好ましい。
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公开(公告)号：JPWO2014141979A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015505425
申请日：2014-03-05
IPC: G03F7/004 , C07C309/19 , C07C309/24 , C07D309/04 , C07D339/08 , C08F20/10 , C09K3/00 , G03F7/039 , G03F7/20
CPC classification number: C07C309/19 , C07D309/04 , C07D339/08 , G03F7/0045 , G03F7/0397
Abstract: 本発明は、酸解離性基を含む構造単位を有する重合体、及び感放射線性酸発生剤を含有し、上記感放射線性酸発生剤が、下記式(1)で表される化合物を含む感放射線性樹脂組成物である。下記式(1)中、R1及びR2は、それぞれ独立して、炭素数1〜20の1価の有機基である。R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。これらの有機基は、互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される炭素数1〜20の環構造を表してもよい。nは、1〜4の整数である。M+は、1価の放射線分解性オニウムカチオンである。
Abstract translation: 敏感发明，包括具有含有酸解离性基团的结构单元的聚合物，并含有对辐射敏感产酸剂，所述辐射敏感产酸剂，由下式表示的化合物（1） 对辐射敏感的树脂组合物。 在下面的式（1）中，R1和R2各自独立地具有一价有机基团为1〜20个碳原子。 R3，R4和R5各自独立地为单价有机基团氢原子或C 1-20。 这些有机基团可表示1至20个碳原子的与碳原子一起组成以结合这些彼此对齐环结构。 n为1〜4的整数。 M +是一价辐射降解的鎓阳离子。
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公开(公告)号：JPWO2011145703A1
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：JP2012515933
申请日：2011-05-19
CPC classification number: G03F7/004 , C07C69/653 , C07C69/753 , C07D307/93 , C08F22/18 , C08F24/00 , C08F220/24 , C08F220/26 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/2041
Abstract: 本発明は、液浸露光プロセスにおいて、露光時には高い動的接触角を示すことにより、レジスト被膜表面が優れた水切れ性を示し、現像時には動的接触角が大きく低下することにより、現像欠陥の発生が抑制されるレジスト被膜を与え、さらに動的接触角の変化に要する時間を短縮できる感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明は[A]下記式(1)で表される基を含む構造単位(I)を有する含フッ素重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物である。
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公开(公告)号：JPWO2008105293A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：JP2009501198
申请日：2008-02-20
IPC: C08F2/44
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 基板の表面状態の如何にかかわらず、レジストパターンのパターン間隙を実効的に、精度よく微細化することができ、波長限界を超えるパターンを良好かつ経済的に低コストでパターン欠陥の少ない状態で形成することができることに加え、パターン収縮率をより向上させることが可能な樹脂組成物、及びこれを用いて効率よく微細レジストパターンを形成できる微細パターン形成方法を提供する。水酸基を含有する樹脂と、架橋成分と、アルコール及び全溶媒に対して10質量%以下の水を含むアルコール系溶媒と、を含有する微細パターン形成用樹脂組成物であって、前記架橋成分として、その分子内にアクリロイルオキシ基を2個以上有する化合物を含有する微細パターン形成用樹脂組成物である。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2013069544A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013542944
申请日：2012-11-01
IPC: C08L53/00 , C08F297/02 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: C08F297/026 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08L53/005 , G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/70 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/32139
Abstract: 本発明は、[A]スチレン単位を有するポリスチレンブロック、及び(メタ)アクリル酸アルキル単位を有するポリ(メタ)アクリル酸アルキルブロックを含むブロック共重合体を含有するパターン形成用自己組織化組成物であって、[A]ブロック共重合体が、主鎖の少なくとも一方の末端に結合し、かつヘテロ原子を含む基(α)を有することを特徴とするパターン形成用自己組織化組成物である。上記ヘテロ原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、スズ原子及びケイ素原子からなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。
Abstract translation: 本发明中，在具有苯乙烯单元，并且[A]聚苯乙烯嵌段的（甲基）图案形成自组装组合物包含嵌段共聚物，包括具有丙烯酸烷基酯单元中的聚（甲基）丙烯酸烷基酯嵌段 有，[α]嵌段共聚物是附连到终端的至少一个，且含有在主链中的杂原子的图案形成自组装组合物，其特征在于它包括一组（阿尔法）。 杂原子，氧原子，氮原子，硫原子，磷原子，优选为至少一种选自锡原子和硅原子组成的组中。
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公开(公告)号：JPWO2013058250A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013539650
申请日：2012-10-16
CPC classification number: G03F7/0397 , C08F220/18 , C08K5/42 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , C08L33/14 , C08F2220/1841 , C08F2220/283 , C08F2220/382 , C08F220/42 , C08F220/22 , C08F2220/1875 , C08L33/16
Abstract: 本発明は、[A]下記式(1)で表される化合物、並びに[B]ラクトン骨格を含む(メタ)アクリレート由来の構造単位、環状カーボネート骨格を含む(メタ)アクリレート由来の構造単位、スルトン骨格を含む(メタ)アクリレート由来の構造単位、及び極性基を有する(メタ)アクリレート由来の構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を有するベース重合体を含有する感放射線性樹脂組成物である。下記式(1)中、R1は、環状エステル構造又は環状ケトン構造を有する1価の環状有機基である。R2は、単結合又は−CH2−である。Xは、−O−*、−COO−*、−O−CO−O−*又は−SO2−O−*である。但し、*は、R3との結合部位を示す。R3は、炭素数1〜5の2価の鎖状炭化水素基である。M+は、1価のカチオンである。
Abstract translation: 本发明中，[A]下述式（1），和[B]含有内酯骨架的（甲基）丙烯酸酯衍生的结构单元，包括环状碳酸酯骨架的（甲基）丙烯酸酯衍生的结构单元，磺内酯表示的化合物 它是含有具有至少一个选自含有从（甲基）丙烯酸酯衍生的主链的结构单元组成的组中，和含极性基团的（甲基）基础聚合物的丙烯酸酯衍生的结构单元的放射线敏感性树脂组合物 。 在下面的式（1）中，R1是具有环状酯结构或环状酮结构的一价环状有机基团。 R 2为单键或-CH 2 - 。 X是，-O - *， - COO - *， - O-CO-O- *或-SO 2-O- *是。 然而，*表示R3的结合位点。 R 3是具有1至5个碳原子的二价链烃基。 M +是一价阳离子。
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公开(公告)号：JPWO2009041407A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：JP2009534325
申请日：2008-09-24
IPC: G03F7/40 , C08F212/14 , C08F220/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , C08F214/18 , C08F220/58 , C08F212/14 , C08F2220/387 , C08F220/22
Abstract: 熱処理により、レジストパターンを円滑に収縮させることができると共に、その後のアルカリ水溶液処理により容易に除去し得る。樹脂と、架橋成分と、アルコール溶媒とを含み、レジストパターンを微細化するための微細パターン形成用樹脂組成物であって、上記樹脂が下記式(2)で表される側鎖を有する繰り返し単位(I)と、水酸基を側鎖に有する繰り返し単位(II)と、スチレン誘導体である繰り返し単位(III)とを含有する。R、R'、またはR''は、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基、またはフェニル基を表し、Aは、単結合、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、またはオキシカルボニル基を表し、Bは、単結合、または炭素数1〜20の2価の有機基を表し、Rfは少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜8の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を表す。
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公开(公告)号：JPWO2007060919A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：JP2007546435
申请日：2006-11-21
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/122 , Y10S430/123
Abstract: 解像性能、熱安定性および保存安定性に優れた感放射線性酸発生剤を含有し、定在波によるパターン線幅の変動およびパターン形状の劣化を抑制でき、ナノエッジラフネスおよびLEFに優れたレジストパターンを得ることができる感放射線性樹脂組成物を提供する。感放射線性樹脂組成物は、(A)2,4,6−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム2,4−ジフルオロベンゼンスルホネート、2,4,6−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート等で代表されるスルホニウム塩化合物およびスルホンイミド化合物を含む感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする。当該組成物は、さらに(B)4−ヒドロキシスチレン/4−t−ブトキシスチレン共重合体、4−ヒドロキシスチレン/(メタ)アクリル酸t−ブチル等で代表される樹脂を含有することが好ましい。
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公开(公告)号：JPWO2016088655A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：JP2016562412
申请日：2015-11-26
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F212/14 , C08F220/18 , G03F7/004 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40
Abstract: 本発明は、放射線の露光の際に酸を発生する感放射線性酸発生体を含有し、上記酸の作用により現像液への溶解性が変化するフォトレジスト組成物であって、金属元素を含み、動的光散乱法分析による流体力学半径が20nm以下である第1粒子、及び第1溶剤を含有することを特徴とする。当該フォトレジスト組成物は、酸解離性基を有する第1化合物を含有することができる。上記感放射線性酸発生体は、放射線の露光の際に酸を発生する基を有する上記第1化合物とすることができる。
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