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公开(公告)号:JP2007507109A
公开(公告)日:2007-03-22
申请号:JP2006528055
申请日:2004-09-14
Applicant: フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
Inventor: サダカ,マリアム・ジー , シアン,ヴーン−ユー , シー,キアンファ , トーマス,ショーン・ジー , ヌイェン,ビチ−イェン , バル,アレクサンダー・エル , ホワイト,テッド・アール , リウ,チュン−リ
IPC: H01L21/316 , H01L20060101 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/338 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/161 , H01L21/26506 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L29/1054 , Y10S438/933
Abstract: ひずみ半導体層を形成するためのプロセス。 かかるプロセスは、ウェハを加熱しながら、当該ウェハの上にわたって塩素ベアリングガス(例えば、塩化水素、塩素、四塩化炭層、及び、トリクロロエタン)を流すことを含む。 ある実施例では、ひずみ半導体層(例えば、ひずみシリコン)を形成するためのテンプレート層として使用される半導体層に圧縮プロセスをする間、塩素ベアリングガスが流される。 他の実施例では、圧縮操作の後、前記ウェハのポストベーク中、塩素ベアリングガスが流される。
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公开(公告)号:JP2007505468A
公开(公告)日:2007-03-08
申请号:JP2006526056
申请日:2004-05-07
Applicant: フュエルセル エナジー, インコーポレイテッドFuelcell Energy, Inc.
Inventor: リチャード ウェイ, , ダナ, エー. ケリー, , モハンマド ファルークエ, , スコット, シー. ブランシェット,
CPC classification number: F16L25/026 , H01M8/0215 , H01M8/0228 , H01M8/0271 , H01M8/0282 , H01M8/0297 , H01M8/241
Abstract: 第1の構成部品と第2の構成部品との間の電気的な分離を促進するように第1、第2の構成部品を接続するための接続アセンブリであって、前記第1、第2の構成部品に接続されるように構成された第1の部材及び第2の部材と、前記第1の部材及び第2の部材の間に配置された誘電体部材とを備える。 締め具アセンブリが、前記第1の部材及び前記第2の部材並びに前記誘電体部材を1つのユニットとして固定するために設けられる。 前記締め具アセンブリは、誘電体部材を含み、誘電体コーティングが前記第1の部材及び前記第2の部材の予め選択された表面領域に提供される。 前記接続アセンブリの前記第1の構成部品は、前記第2の構成部品とは異なる電気ポテンシャルでありうる。
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63.
公开(公告)号:JP2007504716A
公开(公告)日:2007-03-01
申请号:JP2006524859
申请日:2004-08-27
Applicant: ジーシーティー セミコンダクター インコーポレイテッド
CPC classification number: H01L23/642 , H01L23/645 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05553 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 集積回路パッケージが、リードワイアと1つまたは複数の入出力(I/O)パッケージピンとの接続から形成されるインダクタループを含む。 一実施形態では、インダクタループは、集積回路チップ上の第1のボンディングパッドをパッケージの第1のI/Oピンに接続する第1および第2のワイアと、チップ上の第2のボンディングパッドをパッケージの第2のI/Oピンに接続する第3および第4のワイアとから形成される。 インダクタループを完成するために、第1のI/Oピンと第2のI/Oピンは、ピン間の第3の導体によって接続される。 第3の導体は、1つまたは複数のボンディングワイアを含むことができ、I/Oピンは、互いに隣接するものであることが好ましい。 しかし、ループは、例えばループ長要件、空間の考慮すべき点、および/または他の設計要因もしくは機能要因に基づいて、I/Oピンの非隣接接続から形成することができる。 他の実施形態では、第1のI/Oピンと第2のI/Oピンの間の接続が、I/Oピンに単一構造を持たせることによって確立される。 他の実施形態では、第1のI/Oピンと第2のI/Oピンの間の接続が、パッケージ基板の表面上に、またはこの基板内に位置するメタライゼーション層によって確立される。 集積回路パッケージの境界線内でインダクタループを形成することにより、空間要件における実質的な削減が実現され、これは小型化を促進する。 また、集積回路は、その少なくとも1つのパラメータがパッケージのインダクタループの長さによって制御される様々なシステムのいずれか1つで実装することができる。
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公开(公告)号:JP3888330B2
公开(公告)日:2007-02-28
申请号:JP2003118490
申请日:2003-04-23
Applicant: 株式会社デンソー
IPC: H01L21/28 , H01L20060101 , H01L21/04 , H01L21/228 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L31/0312
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L21/0485 , H01L29/1608 , H01L29/7828 , Y10S438/931
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公开(公告)号:JP2007503721A
公开(公告)日:2007-02-22
申请号:JP2006524720
申请日:2004-08-18
Applicant: アドバンスド インターコネクト テクノロジーズ リミテッド
Inventor: イスラム、シャフィーデュル , アントニオ、ロマーリコ、サントス サン
IPC: H01L23/50 , H01L20060101 , H01L21/44 , H01L21/48 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18
CPC classification number: H01L21/4832 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/49548 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2221/68377 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/84439 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/85 , H01L2924/0665 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/37099
Abstract: 半導体デバイス・パッケージは、パッケージの周辺に配置された複数のポストを有する導電性リード・フレームを含む。 各ポストは、第1のパッケージ面に配置された第1の接触面と、第2のパッケージ面に配置された第2の接触面を有する。 リード・フレームは、第2のパッケージ面に配置された複数のポスト延長部を含む。 各ポスト延長部は、第2のパッケージ面に対向するポスト延長部の面に形成されたボンド・サイトを含む。 半導体デバイス上の少なくとも1つのI/Oパッドは、ワイヤ・ボンディング、テープ自動化ボンディングまたはフリップ・フロップ法を使用して、ボンド・サイトにおいてポスト延長部へ電気的に接続されている。 パッケージは、テーピングにより、またはこれによらずに予め形成されたリードを有するリードフレームを使用して組み立てられ、または部分的に腐食されたリード・フレームの使用を採用する。 半導体デバイス・パッケージのスタックが形成される。
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公开(公告)号:JP2007502925A
公开(公告)日:2007-02-15
申请号:JP2006524113
申请日:2004-08-19
Applicant: パワーライト・コーポレイション
Inventor: オブライエン,コリーン , ディンウッディ,トーマス,エル , ネフ,デヴィッド,イー , マスコロ,ジャンルイジ
IPC: E04D13/18 , F24J2/46 , F24J2/52 , H01L20060101 , H01L25/00 , H01L31/042
CPC classification number: H02S30/10 , F24J2/461 , F24J2/4638 , F24J2/5235 , F24J2/5237 , F24J2/5239 , F24J2/5266 , F24J2002/5273 , H02S20/23 , H02S20/24 , H02S40/00 , Y02B10/12 , Y02B10/20 , Y02E10/47
Abstract: PVモジュールの列(12)のPVモジュール(14)の上下表面間の均圧状態を複数の方法によって向上させることができる。 隣接するPVモジュール間と前記列の周部(18)に沿って、前記PVモジュールと支持表面との間に形成される空気体積(air volume)内に開口するエア・ギャップ(32,34) を提供すべきである。 PVモジュール上に作用する空気力学的流体抵抗(drag force)を最小化するために周部ウィンド・デフレクタを使用すべきである。 PVモジュールの上下表面間の圧力を均圧化するための時間は、例えば、10−20マイクロ秒以下に維持すべきである。 突風によって生じる変位は、例えば、2−5ミリ以下に制限されるべきである。 傾斜したPVモジュールの場合、各PVモジュールに対して後方ウィンド・デフレクタ(148)を設けることが提案され、前記列の周部用には、側方ウィンド・デフレクタ(162)を設けることが提案される。
Abstract translation: PV模块阵列(12)的PV模块(14)的上表面和下表面之间的压力均衡可以以多种方式得到增强。 在PV模块和支撑表面(16)之间定义的通向空气体积的气隙(32,34)应设置在相邻的PV模块之间并沿着阵列的外围(18)。 该空气量与气隙总面积的比例应该最小化。 外围导风板(20)应用于最小化PV模块上的气动阻力。 将PV模块的上表面和下表面之间的压力平衡的时间应保持在例如10-20毫秒以下。 由阵风产生的位移应限制在例如2-5毫米或更小; 对于倾斜的光伏组件,建议每个PV模块使用后空气导流板(148),并且建议侧面空气导流板(162)用于阵列的外围。
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公开(公告)号:JP2007502032A
公开(公告)日:2007-02-01
申请号:JP2006533684
申请日:2004-06-10
Applicant: ゴールドフィンガー・テクノロジーズ・エルエルシー
Inventor: イー ウー , コール エス フランクリン , ブライアン フレイサー
IPC: H01L21/304 , B08B3/00 , B08B3/12 , B08B6/00 , B08B7/04 , H01L20060101
CPC classification number: B08B3/12 , H01L21/67051
Abstract: 1枚又はそれ以上の基板のメガソニック洗浄のための方法及びシステムであって、メガソニック・エネルギーに起因する基板へのダメージを減少させるもの。 前記基板は処理チャンバー内に支持されていて、洗浄溶液(cleaning solution)が接触される。 該洗浄溶液は、洗浄液(cleaning liquid)に溶解された二酸化炭素ガスを有する洗浄液を含み、該二酸化炭素ガスは、処理チャンバー内の状態で過飽和となる量である。 そして、メガソニック・エネルギーは基板に伝達される。 該洗浄溶液は、メガソニック/音響エネルギーの印加に起因するダメージからの保護を与える。 他の態様では、本発明は前記方法を達成するためのシステムに関する。 該発明は二酸化炭素に限定されるものではなく、洗浄液に溶解された場合に、メガソニック/音響エネルギーの印加によるダメージから基板を保護する如何なるガスをも使用できる。
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68.
公开(公告)号:JP2007500944A
公开(公告)日:2007-01-18
申请号:JP2006522010
申请日:2004-07-28
Inventor: ガンビーノ、ジェフリー、ピー , ドーベンスペック、ティモシー、エイチ , プーリオ、マーク、ジェイ , マクデヴィット、トーマス、ジェイ , モシーフ、ウィリアム、ティー , リュス、スティーヴン、イー , ロビンス、ジェニファー、シー
IPC: H01L21/3205 , H01L20060101 , H01L21/301 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/52 , H01L23/58
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/76838 , H01L21/78 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 【課題】 ICチップ上に形成された集積回路(IC)の低K誘電材料用のクラック・ストップ(28)を提供することにある。
【解決手段】 ダイシング操作中にICチップの周辺エッジに沿って形成されたチッピングおよびクラッキングによって引き起こされたICチップのアクティブ・エリアに対する損傷を防止するために、低K誘電体材料において銅または銀の相互接続などの自己パッシベーション酸化物層を形成しない金属相互接続を使用する。 吸湿バリアまたはエッジ・シール(12)は、ICチップのアクティブ・エリアの外周エッジに沿って位置決めされた金属スタックとして形成される。 クラック・ストップは、ICチップの外周上の吸湿バリア/エッジ・シールの外側に位置決めされた少なくとも1つのトレンチまたは溝によって形成される。
【選択図】 図2-
公开(公告)号:JP2006528348A
公开(公告)日:2006-12-14
申请号:JP2006521068
申请日:2004-07-22
Applicant: ライト−ハウス ワールドワイド ソルーションズ,インコーポレイティッド
Inventor: サウンダース,トーマス,シー. , サルトン,スコット,エイチ. , シェイド,ウィリアム,エル.,ジュニア. , ポッキー,ロッコ,ディー.
IPC: G01N15/06 , G01N15/02 , G01N15/14 , G01N21/00 , H01L20060101
CPC classification number: G01N15/0205 , G01N15/1434
Abstract: 流体中の粒子検出のために電力やスペースを追加する必要なしに安価に実装できる微粒子検出用装置を説明する。 本装置は二つの鏡と一つの光ダイオードを用いる。 光電子ダイオードのハウジングを機械加工して一つの鏡を形成する。 これらの鏡は第二鏡が第一鏡を用いて粒子により屈折した光を光電子ダイオードに反射しかえすような特別配置をとる。
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