公开(公告)号：KR100365586B1

公开(公告)日：2003-03-15

申请号：KR1019950044247

申请日：1995-11-28

申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼

发明人： 나카무라아츠시 ,  니시구니히코

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/49 ,  B29C45/0046 ,  B29C45/14655 ,  B29C45/14836 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48221 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0695 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 베이스 기판의 주면 펠릿 탑재 영역상에 반도체 펠릿이 탑재되고, 상기 반도체 펠릿의 주면에 배치된 외부단자에 베이스 기판의 이면에 배치된 제1전극패드가 전기적으로 접속되는 반도체 장치에 있어서, 상기 베이스 기판은 리지드 기판으로 구성하고, 상기 베이스 기판의 제1전극패드를 그의 이면에 배치된 제2전극패드에 전기적으로 접속하며, 상기 반도체 펠릿을 그의 주면을 밑으로 해서 베이스 기판의 주면 펠릿 탑재영역상에 탑재하고, 상기 반도체 펠릿의 외부단자와 베이스 기판의 제2전극패드를 베이스 기판에 형성된 슬리트를 통해서 본딩와이어로 전기적으로 접속한다.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括安装在基底基板的主表面的芯片安装区域上的半导体芯片，其中布置在基底衬底背面的第一电极焊盘电连接到布置在半导体芯片的主表面上的焊盘 。 基底由刚性基板形成，其第一电极焊盘电连接到布置在其背面的第二电极焊盘。 半导体芯片安装在基板的主表面的芯片安装区域上，其主表面向下，并且其焊盘通过穿过形成在其中的狭缝的接合线与基底衬底的第二电极焊盘电连接 基底。

公开(公告)号：KR100789874B1

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020060132749

申请日：2006-12-22

申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤

发明人： 니시무라다카오 ,  나리사와요시아키

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/48487 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49426 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85191 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/4554

摘要： A semiconductor device and a manufacturing method of the same are provided to reduce a size thereof and to enhance performance thereof by increasing density of wires. A first electrode(21) is arranged on a surface of a substrate(10). A second electrode(22) is installed on a surface of a first semiconductor element(11A). The first semiconductor element is supported by the substrate. A first wire(41) is connected through a first bump to at least one electrode which is installed on one of the substrate and the first semiconductor element. A second wire(42) is connected through a second bump(32) to a connecting target part of the first wire. The first wire and the second wire are bonded with the first bump and the second bump, respectively by using a stitch bonding method.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法以减小其尺寸并通过增加导线的密度来提高其性能。 第一电极（21）布置在基板（10）的表面上。 第二电极（22）安装在第一半导体元件（11A）的表面上。 第一半导体元件由衬底支撑。 第一导线（41）通过第一凸起连接到安装在基板和第一半导体元件之一上的至少一个电极。 第二线（42）通过第二凸起（32）连接到第一线的连接目标部分。 第一线和第二线分别通过使用针脚接合方法与第一凸块和第二凸块接合。

公开(公告)号：KR1019950000097B1

公开(公告)日：1995-01-09

申请号：KR1019910002890

申请日：1991-02-22

申请人： 가부시끼가이샤 도시바

发明人： 시미즈야스히코

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  B23K20/10 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20752 ,  Y10S228/904 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20753

摘要： 내용 없음.

公开(公告)号：KR1020110099180A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020110017739

申请日：2011-02-28

申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤

发明人： 오오니시겐지 ,  하야시미끼 ,  이노우에고오이찌 ,  시시도유이찌로

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  C09J7/00

CPC分类号： H01L24/27 ,  C09J7/10 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24959 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/287 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  C09J7/00

摘要： 본딩 와이어에 의해 피착체와 전기적으로 접속된 반도체 소자 상에, 다른 반도체 소자를 접착시키기 위한 다이 본드 필름이며, 상기 본딩 와이어의 변형이나 절단을 방지하여, 다른 반도체 소자의 탑재를 가능하게 하고, 이에 의해 반도체 장치의 제조 수율의 향상이 도모되는 다이 본드 필름 및 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제공한다. 본 발명의 다이 본드 필름은, 본딩 와이어에 의해 피착체와 전기적으로 접속된 반도체 소자 상에, 다른 반도체 소자를 접착시키기 위한 다이 본드 필름이며, 압착시에 상기 본딩 와이어의 일부를 매몰시켜 내부에 통과시키는 것을 가능하게 하는 제1 접착제층과, 상기 다른 반도체 소자가 본딩 와이어와 접촉하는 것을 방지하는 제2 접착제층이 적어도 적층된 것이다.

公开(公告)号：KR1020070060018A

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：KR1020060122983

申请日：2006-12-06

申请人： 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디

发明人： 나라시말루,스리칸쓰 ,  잉,닝 ,  림,룬액

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B23K20/007 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/78302 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： A capillary for a bonding tool is provided to reduce the mass of the capillary, to reduce the energy necessary for vibration, and to decrease a mechanical load by decreasing gradually the cross-section of the capillary from a retention portion to a tip using an improved intermediate portion. A capillary(20) for a bonding tool includes a retention portion(24) for clamping the capillary itself, a cone type portion, and an intermediate portion. The cone type portion(28) is formed at a tip portion of the capillary in order to perform a bonding process. The intermediate portion(26) is interposed between the retention portion and the cone type portion. The interfacial angle of the intermediate portion is smaller than that of the cone type portion.

摘要翻译： 提供了一种用于粘合工具的毛细管，以减少毛细管的质量，以减少振动所需的能量，并且通过使用改进的毛细管将毛细管的横截面从保持部分逐渐减小到尖端来降低机械负载 中间部分。 用于粘合工具的毛细管（20）包括用于夹紧毛细管本身的保持部分（24），锥形部分和中间部分。 锥形部分（28）形成在毛细管的尖端部分，以进行粘结工艺。 中间部分（26）介于保持部分和锥形部分之间。 中间部分的界面角度小于锥形部分的界面角度。

公开(公告)号：KR1020160101866A

公开(公告)日：2016-08-26

申请号：KR1020160017437

申请日：2016-02-15

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 야마다겐따로 ,  도마루시게끼 ,  후꾸시마다께또시

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/495 ,  H01L21/28 ,  H01L23/552 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02185 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0605 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2224/858 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/35121

摘要： 본발명은, 반도체장치의신뢰성을향상시키는것을과제로한다. 반도체장치(1)는, 반도체기판(1P) 위에형성된복수의배선층(5, 7, 9)과, 복수의배선층(5, 7, 9)의최상층에형성된패드(9a)와, 패드위에개구를갖는무기절연막을포함하는표면보호막(10)과, 표면보호막(10) 위에형성된재배선(12)과, 재배선(12) 위에형성된패드전극(13)과, 패드전극(13)에접속된와이어(20)를갖는다. 그리고, 재배선(12)은, 패드전극(13)이탑재된패드전극탑재부와, 패드와접속된접속부와, 패드전극탑재부와접속부를연결하는연장배선부를포함하고, 평면에서볼 때, 패드전극탑재부(13)는, 직사각형이다.

摘要翻译： 本发明是为了提高半导体器件的可靠性。 半导体器件（1）包括形成在半导体衬底（1P）上的多个布线层（5,7,9），形成在布线层（5,7,9）的最上布线层上的焊盘（9a） 表面保护膜（10），其包括焊盘上的开口并由无机绝缘膜制成，形成在表面保护膜（10）上的重新布线（12），形成在重新布线上的焊盘电极（13） 12）和连接到焊盘电极（13）的导线（20）。 重新布线（12）包括焊盘电极安装部分，焊盘电极（13）安装在该焊盘电极安装部分上，连接到焊盘的连接部分和连接焊盘电极安装部分和连接部分的延伸的布线部分，以及 焊盘电极安装部（13）从平面观察时呈矩形。

公开(公告)号：KR1020150112990A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：KR1020157020908

申请日：2014-01-09

申请人： 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤

发明人： 야마모토스케히로

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 본딩패드아래의층간절연막에충격에의한크랙이발생하는것을방지하기위해, 제 1 금속막 (12) 과최상층이되는제 2 금속막 (15) 사이에소경금속플러그 (14a) 와대경금속플러그 (14b) 를배치하고, 대경금속플러그 (14b) 의상방의제 2 금속막 (15) 의표면에오목부 (17) 가형성된본딩패드로한다.

摘要翻译： 为了防止由于冲击而形成在焊盘下面的层间绝缘膜中的裂纹发生形成，使得焊盘被形成为使得小直径金属插塞（14a）和大直径金属插塞（14b）布置在第一金属膜 （12）和作为最上层的第二金属膜（15），在第二金属膜（15）的大直径金属塞14b的上方的表面上形成有凹部（17）。

公开(公告)号：KR100813091B1

公开(公告)日：2008-03-17

申请号：KR1020060122983

申请日：2006-12-06

申请人： 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디

发明人： 나라시말루,스리칸쓰 ,  잉,닝 ,  림,룬액

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B23K20/007 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/78302 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： 모세관을 클램핑하기 위한 유지부, 접합을 수행하기 위한 모세관의 팁에 위치한 원추형 부분 및 유지부와 원추형 부분 사이에 위치된 실질적으로 절두 원추형 부분을 포함하는 와이어 접합 공구용 모세관이 제공된다. 절두 원추형 부분의 측벽은 유지부로부터 원추형 부분으로 완만한 테이퍼를 제공하기 위해 원추형 부분의 측벽에 의해 형성된 계면각보다 작은 계면각을 형성한다.
모세관, 유지부, 원추형 부분, 절두 원추형 부분, 측벽