公开(公告)号：KR1020160128937A

公开(公告)日：2016-11-08

申请号：KR1020160053221

申请日：2016-04-29

申请人： 주식회사 엘지화학

发明人： 김희정 ,  김세라 ,  김정학 ,  남승희 ,  조정호 ,  이광주 ,  김영국

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L21/18 ,  C09J7/02

CPC分类号： C09J7/00 ,  B32B7/12 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B2457/14 ,  C08L63/00 ,  C09D163/00 ,  C09J7/10 ,  C09J7/20 ,  C09J161/12 ,  C09J163/00 ,  C09J163/04 ,  C09J201/00 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/006 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2467/005 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  C09J2201/622 ,  H01L21/185 ,  H01L24/28 ,  H01L24/31

摘要： 본발명은반도체기판의배선이나반도체칩에부설된와이어등의요철을보다용이하게매립할수 있으면서도, 다양한절단방법에큰 제한없이적용되어우수한분단성을구현하여반도체패키지공정의신뢰성및 효율을향상시킬수 있는특정물성을갖는반도체용접착필름에관한것이다.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于半导体的具有能够提高半导体封装工艺的可靠性和效率的特定性质的粘合剂膜，该粘合剂膜更好地有助于将半导体衬底上的不均匀布线或连接到半导体芯片上的电线等等 而不显着限制各种切割方法的应用，从而允许实现极好的可分割性。

公开(公告)号：KR1020160000388A

公开(公告)日：2016-01-04

申请号：KR1020140103753

申请日：2014-08-11

申请人： 삼성전자주식회사 ,  코넬 유니버시티

发明人： 이효산 ,  고용선 ,  김경섭 ,  이근택 ,  정지훈 ,  린,첸 ,  아버,크리스토퍼케이.

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/306

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76802 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104

摘要： 본발명은금속에천트조성물및 이를이용한반도체장치의제조방법을제공한다. 이금속에천트조성물은유기과산화물(Organic Peroxide)을 0.1~20 중량%로; 유기산(Organic Acid)을 0.1~70 중량%로; 그리고알콜계용매를 10~99.8 중량%로포함한다. 이금속에천트조성물은무수계에서적용된다.

摘要翻译： 本发明提供一种金属蚀刻剂组合物和使用其的半导体器件的制造方法。 金属蚀刻剂组合物包含：0.1-20重量％的有机过氧化物; 0.1〜70重量％的有机酸; 和10〜99.8重量％的醇系溶剂。 金属蚀刻剂组合物用于无水体系中。

公开(公告)号：KR1020150037116A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020130116391

申请日：2013-09-30

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 신영주 ,  강경구 ,  김지연 ,  박경수 ,  신우정 ,  정광진 ,  황자영

IPC分类号： C09J7/00 ,  C09J9/02 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/30101 ,  H05K3/323 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/05342 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0536 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0535 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01006

摘要： 본발명은이방성도전필름및 이를이용한반도체장치에관한것으로, 보다상세하게는제1 절연층, 도전층및 제2 절연층이순차적으로적층된 3층구조의이방성도전필름으로써, 각층의유동성을조절하여, 단자간 절연층이충분히충진될수 있고, 스페이스부로의도전입자유출을감소시켜단자간 쇼트를감소시킬수 있을뿐만아니라, 접속신뢰성이우수한이방성도전필름및 이를이용한반도체장치를제공한다.

摘要翻译： 本发明涉及各向异性导电膜和使用该各向异性导电膜的半导体器件，更具体地说，涉及相继层叠有第一绝缘层，导电层和第二绝缘层的三层各向异性导电膜。 本发明提供：通过控制各层的流动性能够充分填充端子之间的绝缘层的各向异性导电膜可以通过减少导电粒子向空间单元的泄漏而减少端子之间的短路，并可提高连接的可靠性 ; 和使用其的半导体器件。

公开(公告)号：KR1020150011824A

公开(公告)日：2015-02-02

申请号：KR1020147034316

申请日：2013-05-07

申请人： 헤레우스 도이칠란트 게엠베하 운트 코. 카게

发明人： 밀케에우겐 ,  프레노실페터 ,  토마스스벤

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01B1/026 ,  C22F1/08 ,  H01B1/023 ,  H01B13/00 ,  H01B13/0016 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： 본 발명은 표면을 갖는 구리 코어(2) 및 코팅층(3)을 포함하는 와이어, 바람직하게는 마이크로 전자공학에서의 본딩 와이어에 관한 것으로, 코팅층(3)은 코어(2)의 표면 상에 중첩되고, 코팅층(3)은 알루미늄을 포함하며, 와이어의 단면도에서 코팅층(3)의 면적 점유율(area share)은 와이어 단면의 전체 면적을 기준으로 20 내지 50%의 범위에 있고, 임의의 단면도에서 와이어를 통하는 최장 경로와 최단 경로 사이의 종횡비는 0.8 초과 내지 1.0의 범위에 있으며, 와이어는 100 ㎛ 내지 600 ㎛의 범위에 있는 직경을 갖는다. 또한, 본 발명은 와이어 제조 방법, 상기 방법에 의하여 얻어질 수 있는 와이어, 적어도 2 개의 소자 및 적어도 상기 언급된 와이어를 포함하는 전기 장치, 상기 전기 장치를 포함하는 추진 장치 및 웨지 결합에 의하여 상기 언급된 와이어를 통해 2 개의 소자를 연결하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020120118485A

公开(公告)日：2012-10-26

申请号：KR1020127022401

申请日：2011-01-20

申请人： 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드

发明人： 이토신고

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49503 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2924/20751

摘要： 본 발명은 전극 패드를 가진 반도체 소자, 반도체 소자를 탑재하고 전기적 접합 부재가 형성된 기재, 전극 패드와 전기적 접합 부재를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 소자 및 전극 패드의 주성분 금속은 본딩 와이어의 주성분 금속과 동일한 금속이거나 본딩 와이어의 주성분 금속과 다르며, 전극 패드의 주성분 금속이 본딩 와이어의 주성분 금속과 다른 경우, 봉지 수지의 후경화 온도에서 본딩 와이어 및 전극 패드의 접합부에서 본딩 와이어의 주성분 금속과 전극 패드의 주성분 금속이 상호 확산하는 속도가 후경화 온도에서의 알루미늄(Al)과 금(Au)의 접합부에서 금(Au)과 알루미늄(Al)이 상호 확산하는 속도보다 작은 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101140512B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020097017946

申请日：2008-02-04

申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤

发明人： 다까모또,나오히데

IPC分类号： B32B27/28

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 피착체와의 밀착성이 우수하고, 픽업성이 양호한 열경화형 다이본드 필름 및 그것을 구비한 다이싱ㆍ다이본드 필름을 제공한다. 본 발명의 열경화형 다이본드 필름은, 반도체 장치의 제조시에 이용하는 열경화형 다이본드 필름이며, 열가소성 수지 성분 15 내지 30중량％ 및 열경화성 수지 성분 60 내지 70중량％를 주성분으로서 함유하고, 열경화 전의 표면 자유 에너지가 37mJ/m
2 이상 40mJ/m
2 미만인 것을 특징으로 한다.
반도체 장치, 열경화형 다이본드 필름, 표면 자유 에너지, 다이싱ㆍ다이본드 필름

公开(公告)号：KR1020110099180A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020110017739

申请日：2011-02-28

申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤

发明人： 오오니시겐지 ,  하야시미끼 ,  이노우에고오이찌 ,  시시도유이찌로

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  C09J7/00

CPC分类号： H01L24/27 ,  C09J7/10 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24959 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/287 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  C09J7/00

摘要： 본딩 와이어에 의해 피착체와 전기적으로 접속된 반도체 소자 상에, 다른 반도체 소자를 접착시키기 위한 다이 본드 필름이며, 상기 본딩 와이어의 변형이나 절단을 방지하여, 다른 반도체 소자의 탑재를 가능하게 하고, 이에 의해 반도체 장치의 제조 수율의 향상이 도모되는 다이 본드 필름 및 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제공한다. 본 발명의 다이 본드 필름은, 본딩 와이어에 의해 피착체와 전기적으로 접속된 반도체 소자 상에, 다른 반도체 소자를 접착시키기 위한 다이 본드 필름이며, 압착시에 상기 본딩 와이어의 일부를 매몰시켜 내부에 통과시키는 것을 가능하게 하는 제1 접착제층과, 상기 다른 반도체 소자가 본딩 와이어와 접촉하는 것을 방지하는 제2 접착제층이 적어도 적층된 것이다.

公开(公告)号：KR1020110019408A

公开(公告)日：2011-02-25

申请号：KR1020110010576

申请日：2011-02-07

申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤

发明人： 스고,유끼 ,  미스미,사다히또 ,  마쯔무라,다께시

IPC分类号： B32B27/38 ,  B32B27/40 ,  B32B27/30

CPC分类号： H01L21/6836 ,  C08G59/621 ,  C08L33/06 ,  C08L2666/04 ,  C09J163/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： PURPOSE: A thermosetting die bond film is provided to prevent a micro void or a local concave part in a circumference part around a semiconductor device when the semiconductor element is die-bonded on an object. CONSTITUTION: A thermosetting die bond film(3) is used when a semiconductor device is manufactured. The thermosetting die bond film at least includes an epoxy resin, a phenol resin, and an acrylic copolymer. When the total weight of the epoxy resin and the phenol resin is X and the weight of the acrylic copolymer is Y, the rate X/Y is 0.7 to 5. The acrylic copolymer includes butyl acrylate of 10-60 weight% and ethylacrylate of 40-90 weight%.

摘要翻译： 目的：当半导体元件被芯片接合在物体上时，提供一种热固性芯片接合膜以防止半导体器件周围的圆周部分中的微空隙或局部凹部。 构成：制造半导体器件时，使用热固化型芯片接合膜（3）。 热固性型芯接合膜至少包括环氧树脂，酚醛树脂和丙烯酸类共聚物。 当环氧树脂和酚醛树脂的总重量为X，丙烯酸共聚物的重量为Y时，X / Y的比率为0.7-5。丙烯酸共聚物包括10-60重量％的丙烯酸丁酯和40重量％的丙烯酸乙酯 -90重量％。

公开(公告)号：KR100941832B1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：KR1020080019169

申请日：2008-02-29

申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤

发明人： 다까모또,나오히데 ,  미스미,사다히또 ,  마쯔무라,다께시 ,  아마노,야스히로 ,  오이까와,마사미 ,  미끼,쯔바사

IPC分类号： C09J7/00 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 본 발명의 열경화형 다이 본딩 필름은 반도체 장치의 제조시에 사용하는 열경화형 다이 본딩 필름으로서, 열가소성 수지 성분 5 내지 15 중량％ 및 열경화성 수지 성분 45 내지 55 중량％를 주성분으로 함유하고, 열경화 전의 100 ℃에서의 용융 점도가 400 Paㆍs 이상 2500 Paㆍs 이하인 것을 특징으로 한다.
열경화형 다이 본딩 필름

公开(公告)号：KR1020040072050A

公开(公告)日：2004-08-16

申请号：KR1020040007792

申请日：2004-02-06

申请人： 가부시끼가이샤 도시바

发明人： 이이지마도시쯔네

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/563 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647

摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to avoid breakdown of a device surface of a semiconductor chip and prevent a low dielectric insulation layer disposed over a soldering material from being broken by minimizing thermal stress caused by a reflow of a soldering material used in bonding the semiconductor chip to a substrate. CONSTITUTION: A chip mounting substrate(1) has the first main surface and the second main surface confronting the first main surface. A plurality of outer electrode pads(2a-2f) of the substrate are disposed in the first main surface. A plurality of outer connection balls(3a-3f) are connected to the plurality of outer electrode pads of the substrate, respectively. A plurality of inner electrode pads(4a-4d) of the substrate are disposed in the second main surface. A soldering material having a melting point lower than that of the plurality of outer connection balls is included in at least a part of a plurality of inner connectors(5a-5d) respectively coupled to the plurality of inner electrode pads of the substrate. The inner electrode pads respectively coupled to the plurality of inner connectors are formed in the third main surface of a semiconductor chip(7). The periphery of the inner connectors between the second and third main surfaces is sealed by sealing resin(8).

摘要翻译： 目的：提供一种半导体器件，以避免半导体芯片的器件表面的破坏，并且防止设置在焊接材料上的低介电绝缘层通过使用于接合半导体的焊接材料的回流引起的热应力最小化而被破坏 芯片到基板。 构成：芯片安装基板（1）具有与第一主表面相对的第一主表面和第二主表面。 基板的多个外部电极焊盘（2a-2f）设置在第一主表面中。 多个外连接球（3a-3f）分别连接到基板的多个外电极焊盘。 基板的多个内部电极焊盘（4a-4d）设置在第二主表面中。 熔点低于多个外部连接球的焊接材料包括在分别耦合到基板的多个内部电极焊盘的多个内部连接器（5a-5d）的至少一部分中。 分别耦合到多个内部连接器的内部电极焊盘形成在半导体芯片（7）的第三主表面中。 第二和第三主表面之间的内部连接器的周边由密封树脂（8）密封。