公开(公告)号：TWI316285B

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：TW095133194

申请日：2006-09-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王喻生 ,  曹榮志 ,  陳科維 ,  張世杰 ,  王英郎

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865

Abstract: 本發明提供一種半導體裝置的製作方法、內連線結構及其製作方法。在上述內連線結構的製作方法中，包括製作具有改良之阻障層，其中阻障層設置於內連線的導電材料與形成之內連線凹槽的介電層之間。形成一介電層於具有至少一接觸區域的基底上方。藉由形成一內連線凹槽，接著，沈積氮化鉭的第一阻障層，且以再濺射步驟處理此第一阻障層的操作，製作用來供應給接觸區域的一內連線。之後，沈積及再濺射鉭薄膜的第二阻障層。接下，形成一晶種層，接著使用導電材料填充內連線凹槽。平坦化基底表面，使得進行更進一步的製作以完成半導體的製程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备的制作方法、内连接结构及其制作方法。在上述内连接结构的制作方法中，包括制作具有改良之阻障层，其中阻障层设置于内连接的导电材料与形成之内连接凹槽的介电层之间。形成一介电层于具有至少一接触区域的基底上方。借由形成一内连接凹槽，接着，沉积氮化钽的第一阻障层，且以再溅射步骤处理此第一阻障层的操作，制作用来供应给接触区域的一内连接。之后，沉积及再溅射钽薄膜的第二阻障层。接下，形成一晶种层，接着使用导电材料填充内连接凹槽。平坦化基底表面，使得进行更进一步的制作以完成半导体的制程。

公开(公告)号：TW544370B

公开(公告)日：2003-08-01

申请号：TW090129111

申请日：2001-11-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 劉繼文 ,  王英郎

IPC: B24B ,  H01L

Abstract: 本發明揭示一種鎢－化學機械研磨(tungsten- chemical mechanical polish，W-CMP)製程。首先，對一依序形成有圖案化介電層、鎢層及其原生氧化層的基底施行第一化學機械研磨，以去除此原生氧化層，其中係以鹼性溶液作為研磨液(slurry)，且鹼性溶液的酸鹼值大於10。隨後，依序對上述基底進行第二及第三化學機械研磨，用以完成平坦化製程，並藉此縮短製程時間而提高生產能力(throughput)及降低生產成本。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种钨－化学机械研磨(tungsten- chemical mechanical polish，W-CMP)制程。首先，对一依序形成有图案化介电层、钨层及其原生氧化层的基底施行第一化学机械研磨，以去除此原生氧化层，其中系以碱性溶液作为研磨液(slurry)，且碱性溶液的酸碱值大于10。随后，依序对上述基底进行第二及第三化学机械研磨，用以完成平坦化制程，并借此缩短制程时间而提高生产能力(throughput)及降低生产成本。

公开(公告)号：TW536449B

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：TW090111283

申请日：2001-05-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王廷君 ,  鄭錫圭 ,  林俞谷 ,  王英郎

IPC: B24B ,  H01L

Abstract: 一種可避免因研磨物斷裂而刮傷晶圓之方法，可用於一化學機械式研磨裝置上，步驟包括首先提供一表面上具有複數研磨物之研磨墊給上述化學機械式研磨裝置用以研磨晶圓；接著，調整上述所有研磨物，使其在上述研磨墊表面上突出一既定高度；其中，上述既定高度係為上述研磨物高度之1/2~2/3。

Abstract in simplified Chinese: 一种可避免因研磨物断裂而刮伤晶圆之方法，可用于一化学机械式研磨设备上，步骤包括首先提供一表面上具有复数研磨物之研磨垫给上述化学机械式研磨设备用以研磨晶圆；接着，调整上述所有研磨物，使其在上述研磨垫表面上突出一既定高度；其中，上述既定高度系为上述研磨物高度之1/2~2/3。

公开(公告)号：TW514997B

公开(公告)日：2002-12-21

申请号：TW090124099

申请日：2001-09-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭義榮 ,  王慧玲 ,  吳斯安 ,  鄭文功 ,  游明華 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 本發明提供一種以氟矽玻璃當作金屬層間介電層的製造方法，其包括：於金屬導線層上先利用溝填能力佳的高密度電漿化學氣相沈積法沈積第一層氟矽玻璃層，其大致填滿金屬導線層的開口，之後利用電漿增強型化學氣相沈積法沈積第二層氟矽玻璃層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种以氟硅玻璃当作金属层间介电层的制造方法，其包括：于金属导线层上先利用沟填能力佳的高密度等离子化学气相沉积法沉积第一层氟硅玻璃层，其大致填满金属导线层的开口，之后利用等离子增强型化学气相沉积法沉积第二层氟硅玻璃层。

公开(公告)号：TW508650B

公开(公告)日：2002-11-01

申请号：TW090132952

申请日：2001-12-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 廖茂成 ,  王英郎 ,  梁鴻新 ,  鄭翔升 ,  徐勝德 ,  楊智淵

IPC: H01L

Abstract: 一種製程反應室之預防保養(preventive maintenance； PM)裝置。本發明之製程反應室之預防保養裝置連接至例如化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)製程反應室以進行預防保養工作，且特徵在於具有排氣管連接至抽氣裝置以進行排氣功能、具有拉門便於在排氣進行中仍能清潔反應室之內部元件甚至取出、具有可360度旋轉之頂蓋以利清潔反應室內之所有區域、以及幾乎所有零件皆以例如壓克力之透明材質製成。運用本發明之製程反應室之預防保養裝置，可具有根除污染源擴散、保護人員免於吸入或接觸有害氣體、以及有效避免工安事故等優點。

Abstract in simplified Chinese: 一种制程反应室之预防保养(preventive maintenance； PM)设备。本发明之制程反应室之预防保养设备连接至例如化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)制程反应室以进行预防保养工作，且特征在于具有排气管连接至抽气设备以进行排气功能、具有拉门便于在排气进行中仍能清洁反应室之内部组件甚至取出、具有可360度旋转之顶盖以利清洁反应室内之所有区域、以及几乎所有零件皆以例如压克力之透明材质制成。运用本发明之制程反应室之预防保养设备，可具有根除污染源扩散、保护人员免于吸入或接触有害气体、以及有效避免工安事故等优点。

公开(公告)号：TW493233B

公开(公告)日：2002-07-01

申请号：TW090115333

申请日：2001-06-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭錫圭 ,  王廷君 ,  林俞谷 ,  陳俊彰 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露一種去除晶圓對準標記內殘留物之裝置，於洗邊系統固定位置上，加入至少一組對準標記清洗裝置，接著使用晶圓對位裝置，將位於晶圓上之至少一組對準標記與該至少一組對準標記清洗裝置進行對準，接著該對準標記清洗裝置會噴灑出稀釋硫酸清洗劑，來進行清除對準標記內之銅薄膜工作。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种去除晶圆对准标记内残留物之设备，于洗边系统固定位置上，加入至少一组对准标记清洗设备，接着使用晶圆对位设备，将位于晶圆上之至少一组对准标记与该至少一组对准标记清洗设备进行对准，接着该对准标记清洗设备会喷洒出稀释硫酸清洗剂，来进行清除对准标记内之铜薄膜工作。

公开(公告)号：TW481825B

公开(公告)日：2002-04-01

申请号：TW089120186

申请日：2000-09-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭義榮 ,  詹俊清 ,  鄭文功 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 一種高密度電漿化學氣相沈積反應器的清洗方法，在使用高密度電漿化學氣相沈積形成氧化矽於晶片時，亦有部分氧化矽會沉積於反應器壁上，本發明在進行反應器壁清洗步驟前多增加一道將反應器預熱之步驟，使接續進行清洗反應器壁上之氧化矽反應速率增加，如此降低製程所需之時間兩增加產能，本發明係利用電漿並通入氧氣之解離方式，用以增加反應氣溫度，達到預熱之效果。

Abstract in simplified Chinese: 一种高密度等离子化学气相沉积反应器的清洗方法，在使用高密度等离子化学气相沉积形成氧化硅于芯片时，亦有部分氧化硅会沉积于反应器壁上，本发明在进行反应器壁清洗步骤前多增加一道将反应器预热之步骤，使接续进行清洗反应器壁上之氧化硅反应速率增加，如此降低制程所需之时间两增加产能，本发明系利用等离子并通入氧气之解离方式，用以增加反应气温度，达到预热之效果。

公开(公告)号：TW439188B

公开(公告)日：2001-06-07

申请号：TW088120106

申请日：1999-11-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 劉重希 ,  王慧玲 ,  吳斯安 ,  詹俊清 ,  王英郎 ,  管彤華

IPC: H01L

Abstract: 本發明係揭露一種積體電路中含氟介電層之製程方法。在積體電路製程逐漸進入深次微米領域時，其內連線設計已發展成為四層以上的多重金屬內連線製程;但是，在所述多重金屬內連線製程中同時包含銅金屬及含氟矽玻璃(FSG)時，為配合銅金屬製程上之需求，將必須面臨所述含氟矽玻璃中不穩定之氟(F)的吸濕問題。故本發明揭露一種積體電路中含氟介電層之製程方法，利用一多矽氧化層(SRO)以隔絕所述含氟矽玻璃中之氟向外擴散與水氣反應，降低氟對層間結構的影響。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种集成电路中含氟介电层之制程方法。在集成电路制程逐渐进入深次微米领域时，其内连接设计已发展成为四层以上的多重金属内连接制程;但是，在所述多重金属内连接制程中同时包含铜金属及含氟硅玻璃(FSG)时，为配合铜金属制程上之需求，将必须面临所述含氟硅玻璃中不稳定之氟(F)的吸湿问题。故本发明揭露一种集成电路中含氟介电层之制程方法，利用一多硅氧化层(SRO)以隔绝所述含氟硅玻璃中之氟向外扩散与水汽反应，降低氟对层间结构的影响。

公开(公告)号：TW423713U

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：TW088201262

申请日：1999-01-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 簡宏儒 ,  陳瑛祥 ,  鄭文功 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 一種晶圓上鍍層邊緣寬度之校正量測工具。該量測工具基本上為一透明之圓形塑膠平板，尺寸大小則和晶圓相同，並以精密度較高的CNC 自動劃線機在此圓形平板上刻劃出多個不同半徑，但相同圓心之圓形線條，而此同心圓線條之數目及彼此的距離則視需要而有所變化，一般寬度大約在1~4mm左右。於此圓形測量平板之一側則黏貼一把手，以方便操作者使用。利用此圓形平板測量工具，可以替代傳統的直尺或游標尺，達到快速測量的目的。

Abstract in simplified Chinese: 一种晶圆上镀层边缘宽度之校正量测工具。该量测工具基本上为一透明之圆形塑胶平板，尺寸大小则和晶圆相同，并以精密度较高的CNC 自动划线机在此圆形平板上刻划出多个不同半径，但相同圆心之圆形线条，而此同心圆线条之数目及彼此的距离则视需要而有所变化，一般宽度大约在1~4mm左右。于此圆形测量平板之一侧则黏贴一把手，以方便操作者使用。利用此圆形平板测量工具，可以替代传统的直尺或光标尺，达到快速测量的目的。

公开(公告)号：TW416108B

公开(公告)日：2000-12-21

申请号：TW088114771

申请日：1999-08-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王慧玲 ,  管彤華 ,  王英郎 ,  林俞谷

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露了一種去除熔絲(Fuse)金屬插塞週邊殘留研漿之方法。首先提供一具有金屬插塞之半導體基材，而此金屬插塞的表面則含有凹槽狀的結構,接著形成一層氧化層於其表面，並同時填滿位於插塞表面下方的凹陷區域。利用化學機械研磨法以第一研磨墊對氧化層進行研磨，直至插塞的表面高出插塞所位於的介電層表面為止。再利用化學機械研磨法，以相對於第一研磨墊較為柔軟的第二研磨墊並配合適當的研漿對半導體的結構進行研磨，以徹底去除堆積在插塞週邊的殘留物質。最後，再以鹼性溶液清洗此半導體結構的表面。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露了一种去除熔丝(Fuse)金属插塞周边残留研浆之方法。首先提供一具有金属插塞之半导体基材，而此金属插塞的表面则含有凹槽状的结构,接着形成一层氧化层于其表面，并同时填满位于插塞表面下方的凹陷区域。利用化学机械研磨法以第一研磨垫对氧化层进行研磨，直至插塞的表面高出插塞所位于的介电层表面为止。再利用化学机械研磨法，以相对于第一研磨垫较为柔软的第二研磨垫并配合适当的研浆对半导体的结构进行研磨，以彻底去除堆积在插塞周边的残留物质。最后，再以碱性溶液清洗此半导体结构的表面。