公开(公告)号：TWI621267B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW104109653

申请日：2015-03-26

申请人： 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： 前田茂伸 ,  MAEDA, SHIGENOBU ,  權兌勇 ,  KWON, TAE-YONG ,  金相秀 ,  KIM, SANG-SU ,  朴在厚 ,  PARK, JAE-HOO

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L27/092 ,  H01L21/335

公开(公告)号：TW201810436A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW105116326

申请日：2016-05-25

申请人： 友達光電股份有限公司 ,  AU OPTRONICS CORPORATION

发明人： 陳銘耀 ,  CHEN, MING YAO ,  陳培銘 ,  CHEN, PEI MING

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/772 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/76

摘要： 一種主動元件陣列基板包含基板、第一主動層、閘極介電層、圖案化導電層、層間介電層、第二主動層、至少一導電柱以及至少一蝕刻阻擋層。第一主動層設置於基板之非顯示區。閘極介電層至少設置於第一主動層上。圖案化導電層包含設置於第一主動層上之第一閘極電極以及位於顯示區之第二閘極電極。層間介電層覆蓋第一主動層、閘極介電層與圖案化導電層且包含連接第一主動層之至少一開口。第二主動層設置於層間介電層之上且位於第二閘極電極上方。導電柱設置於開口內。蝕刻阻擋層至少設置於開口的底部，其中蝕刻阻擋層與第二主動層的材料相同。

简体摘要： 一种主动组件数组基板包含基板、第一主动层、闸极介电层、图案化导电层、层间介电层、第二主动层、至少一导电柱以及至少一蚀刻阻挡层。第一主动层设置于基板之非显示区。闸极介电层至少设置于第一主动层上。图案化导电层包含设置于第一主动层上之第一闸极电极以及位于显示区之第二闸极电极。层间介电层覆盖第一主动层、闸极介电层与图案化导电层且包含连接第一主动层之至少一开口。第二主动层设置于层间介电层之上且位于第二闸极电极上方。导电柱设置于开口内。蚀刻阻挡层至少设置于开口的底部，其中蚀刻阻挡层与第二主动层的材料相同。

公开(公告)号：TWI616982B

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW104122488

申请日：2015-07-13

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 霍克孝 ,  HUO, KER HSIAO ,  蔣昕志 ,  CHIANG, HSIN CHIH ,  陳奕寰 ,  CHEN, YI HUAN ,  蔡俊琳 ,  TSAI, CHUN LIN ,  陳益民 ,  CHEN, YI MIN

IPC分类号： H01L21/8232 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/76202 ,  H01L28/20 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

公开(公告)号：TWI615971B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW104138701

申请日：2015-11-23

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/7685 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201804615A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106115340

申请日：2017-05-09

申请人： 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 黒川義元 ,  KUROKAWA, YOSHIYUKI

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  G09G3/20

CPC分类号： G09G3/3413 ,  G02F1/136 ,  G09G3/2092 ,  G09G3/3629 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/367 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/046 ,  G09G2300/0857 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021 ,  G09G2360/121 ,  G09G2370/08 ,  H01L29/772

摘要： 本發明提供一種功耗少的半導體裝置。半導體裝置包括控制器、暫存器及影像處理部。影像處理部具有利用參數對影像資料進行處理的功能。影像處理部從圖框記憶體提取影像資料，從暫存器提取參數。圖框記憶體具有在停止電源供應的狀態下保持影像資料的功能。暫存器具有在停止電源供應的狀態下保持參數的功能。控制器具有控制對於暫存器、圖框記憶體及影像處理部的電源供應的功能。

简体摘要： 本发明提供一种功耗少的半导体设备。半导体设备包括控制器、寄存器及影像处理部。影像处理部具有利用参数对影像数据进行处理的功能。影像处理部从图框内存提取影像数据，从寄存器提取参数。图框内存具有在停止电源供应的状态下保持影像数据的功能。寄存器具有在停止电源供应的状态下保持参数的功能。控制器具有控制对于寄存器、图框内存及影像处理部的电源供应的功能。

公开(公告)号：TW201803125A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106110836

申请日：2017-03-30

申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

发明人： 賈克 湯瑪斯 ,  JACKE, THOMAS ,  費勒 沃夫岡 ,  FEILER, WOLFGANG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/772 ,  H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083

摘要： 本發明提供一種垂直碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(20)，其具有一源極端子(2)、一汲極端子(4)及一閘極區(36)，且具有配置於該源極端子(2)與該汲極端子(4)之間並具有第一類型摻雜的一磊晶層(22)，一水平延伸之中間層(24)嵌入於該磊晶層(22)中，該中間層包含具有不同於該第一類型摻雜之第二類型摻雜的區(40)。該垂直碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(20)之區別特徵在於，至少該些具有第二類型摻雜之區(40)被導電地連接至該源極端子(2)。該閘極區(36)可配置於一閘極溝槽(39)中。

简体摘要： 本发明提供一种垂直碳化硅金属氧化物半导体场效应管(20)，其具有一源极端子(2)、一汲极端子(4)及一闸极区(36)，且具有配置于该源极端子(2)与该汲极端子(4)之间并具有第一类型掺杂的一磊晶层(22)，一水平延伸之中间层(24)嵌入于该磊晶层(22)中，该中间层包含具有不同于该第一类型掺杂之第二类型掺杂的区(40)。该垂直碳化硅金属氧化物半导体场效应管(20)之区别特征在于，至少该些具有第二类型掺杂之区(40)被导电地连接至该源极端子(2)。该闸极区(36)可配置于一闸极沟槽(39)中。

公开(公告)号：TW201803113A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW105121207

申请日：2016-07-05

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 吳典逸 ,  WU, TIEN-I ,  胡益誠 ,  HU, I-CHENG ,  林鈺書 ,  LIN, YU-SHU ,  詹書儼 ,  CHAN, SHU-YEN ,  楊能輝 ,  YANG, NENG-HUI

IPC分类号： H01L29/43 ,  H01L29/772 ,  H01L21/28 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L29/7846 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853

摘要： 本發明提供了一種金氧半導體裝置，包含一基底、一閘極結構、一磊晶裝置以及一源極/汲極區。閘極結構，設置在該基底上。磊晶結構，設置在該閘極結構兩側的該基底中，其中該磊晶結構包含：一第一緩衝層，為一未摻雜緩衝層，包含一底面部分以及一側面部分，其中底面部分設置在磊晶結構的一底面上，側面部分設置在磊晶結構的一凸側壁上、一磊晶層，為一應力層，被該第一緩衝層包圍、以及一半導體層，設置在第一緩衝層與磊晶層之間。源極/汲極區，設置在該磊晶結構中。

简体摘要： 本发明提供了一种金属氧化物半导体设备，包含一基底、一闸极结构、一磊晶设备以及一源极/汲极区。闸极结构，设置在该基底上。磊晶结构，设置在该闸极结构两侧的该基底中，其中该磊晶结构包含：一第一缓冲层，为一未掺杂缓冲层，包含一底面部分以及一侧面部分，其中底面部分设置在磊晶结构的一底面上，侧面部分设置在磊晶结构的一凸侧壁上、一磊晶层，为一应力层，被该第一缓冲层包围、以及一半导体层，设置在第一缓冲层与磊晶层之间。源极/汲极区，设置在该磊晶结构中。

公开(公告)号：TW201803028A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106104001

申请日：2017-02-08

申请人： 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： 坎托羅 蜜克 ,  CANTORO, MIRCO ,  許然喆 ,  HEO, YEONCHEOL

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/772 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848

摘要： 本發明提供一種半導體裝置，包含：具有NMOSFET區及PMOSFET區的基板；NMOSFET區上的第一主動圖案；PMOSFET區上的第二主動圖案；NMOSFET區與PMOSFET區之間的虛設圖案；以及基板上填充第一主動圖案、第二主動圖案以及虛設圖案之間的溝渠的裝置隔離圖案。第一主動圖案以及第二主動圖案的上部部分具有突起於裝置隔離圖案之間的鰭形結構。第一主動圖案以及第二主動圖案的上部部分分別含有彼此不同的半導體材料，且虛設圖案的上部部分含有絕緣材料。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备，包含：具有NMOSFET区及PMOSFET区的基板；NMOSFET区上的第一主动图案；PMOSFET区上的第二主动图案；NMOSFET区与PMOSFET区之间的虚设图案；以及基板上填充第一主动图案、第二主动图案以及虚设图案之间的沟渠的设备隔离图案。第一主动图案以及第二主动图案的上部部分具有突起于设备隔离图案之间的鳍形结构。第一主动图案以及第二主动图案的上部部分分别含有彼此不同的半导体材料，且虚设图案的上部部分含有绝缘材料。

公开(公告)号：TWI611580B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW104138899

申请日：2015-11-24

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 陳奕志 ,  CHEN, I CHIH ,  黃智睦 ,  HUANG, CHIH MU ,  蔡富村 ,  TSAI, FU TSUN ,  吳孟怡 ,  WU, MENG YI ,  李永發 ,  LEE, YUNG FA ,  王英郎 ,  WANG, YING LANG

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0638 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201801311A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105119553

申请日：2016-06-22

申请人： 大中積體電路股份有限公司 ,  SINOPOWER SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 李柏賢 ,  LI, PO HSIEN ,  楊國良 ,  YANG, GUO LIANG ,  林偉捷 ,  LIN, WEI CHIEH ,  林家福 ,  LIN, JIA FU

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/513 ,  H01L29/515 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8725

摘要： 一種溝槽式功率半導體元件。溝槽式功率半導體元件的溝槽閘極結構位於一磊晶層的元件溝槽內，並至少包括遮蔽電極、遮蔽介電層、閘極電極、絕緣間隔層以及閘絕緣層。遮蔽電極設置於元件溝槽的底部，遮蔽介電層設置於元件溝槽下半部並圍繞遮蔽電極，以隔離遮蔽電極與磊晶層，其中遮蔽介電層的頂部具有一孔隙。閘極電極設置於遮蔽電極上，並通過絕緣間隔層和孔隙相隔一預定距離。絕緣間隔層設置於遮蔽介電層與閘極電極之間，以封閉孔隙。閘絕緣層位於元件溝槽的上半部並圍繞閘極電極，以隔離閘極電極與磊晶層。

简体摘要： 一种沟槽式功率半导体组件。沟槽式功率半导体组件的沟槽闸极结构位于一磊晶层的组件沟槽内，并至少包括屏蔽电极、屏蔽介电层、闸极电极、绝缘间隔层以及闸绝缘层。屏蔽电极设置于组件沟槽的底部，屏蔽介电层设置于组件沟槽下半部并围绕屏蔽电极，以隔离屏蔽电极与磊晶层，其中屏蔽介电层的顶部具有一孔隙。闸极电极设置于屏蔽电极上，并通过绝缘间隔层和孔隙相隔一预定距离。绝缘间隔层设置于屏蔽介电层与闸极电极之间，以封闭孔隙。闸绝缘层位于组件沟槽的上半部并围绕闸极电极，以隔离闸极电极与磊晶层。