公开(公告)号：TW201535538A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103143047

申请日：2014-12-10

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 小野善宏 ,  ONO, YOSHIHIRO ,  渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  木田剛 ,  KIDA, TSUYOSHI ,  森健太郎 ,  MORI, KENTARO ,  坂田賢治 ,  SAKATA, KENJI ,  山田裕介 ,  YAMADA, YUSUKE

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29015 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/75318 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

摘要： 本發明係一種半導體裝置之製造方法，其課題為使半導體裝置之信賴性提升。 解決手段為經由接合治具(30)而將半導體晶片(3)，搬送至配線基板(20)之晶片搭載範圍(2p1)上，直接電性連接半導體晶片(3)與配線基板(20)。將半導體晶片(3)，搭載於配線基板(20)之接合治具(30)係具備：吸附保持邏輯晶片(LC)之保持部(30HD)、按壓於半導體晶片(3)之背面(3b)的按壓部(30PR)、及密著於半導體晶片(3)之背面(3b)周緣部之密封部(30SL)。另外，密封部(30SL)之中，與半導體晶片(3)之背面(3b)的密著面的面(30b)係由樹脂加以形成者。

简体摘要： 本发明系一种半导体设备之制造方法，其课题为使半导体设备之信赖性提升。 解决手段为经由接合治具(30)而将半导体芯片(3)，搬送至配线基板(20)之芯片搭载范围(2p1)上，直接电性连接半导体芯片(3)与配线基板(20)。将半导体芯片(3)，搭载于配线基板(20)之接合治具(30)系具备：吸附保持逻辑芯片(LC)之保持部(30HD)、按压于半导体芯片(3)之背面(3b)的按压部(30PR)、及密着于半导体芯片(3)之背面(3b)周缘部之密封部(30SL)。另外，密封部(30SL)之中，与半导体芯片(3)之背面(3b)的密着面的面(30b)系由树脂加以形成者。

公开(公告)号：TWI497622B

公开(公告)日：2015-08-21

申请号：TW100114283

申请日：2011-04-25

申请人： 松下電器產業股份有限公司 ,  PANASONIC CORPORATION

发明人： 藤田亮 ,  FUJITA, RYO ,  蝦原裕 ,  EBIHARA, HIROSHI

IPC分类号： H01L21/607 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L24/75 ,  B23K1/00 ,  B29C65/08 ,  B29C65/081 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75355 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75801 ,  H01L2224/75821 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H05K13/0408 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201521161A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW103132850

申请日：2014-09-23

申请人： 東麗工程股份有限公司 ,  TORAY ENGINEERING CO., LTD.

发明人： 西村幸治 ,  NISHIMURA, KOJI ,  寺田勝美 ,  TERADA, KATSUMI ,  真下祐樹 ,  MASHIMO, YUKI ,  川上幹夫 ,  KAWAKAMI, MIKIO

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/75 ,  B23K20/026 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

摘要： 本發明提供一種可比較容易地求出於接合時用以獲得所需之接合溫度分佈之加熱構件之設定溫度分佈，且接合品質無機差之安裝裝置及安裝方法。具體而言，提供如下安裝裝置及安裝方法，該安裝裝置包括：平台，其以將半導體晶片加熱壓接而接合於配線基板之安裝保持配線基板；熱壓接工具，其將半導體晶片按壓於配線基板；加熱構件，其對熱壓接工具進行加熱；及控制構件，其具有以任意之設定溫度分佈使上述加熱構件運轉之功能；且上述控制構件包含如下功能：藉由獲得表示上述加熱構件之設定溫度與接合部溫度之關係之傳遞函數，而求出用以將接合部溫度設為所需之分佈之上述加熱構件之設定溫度分佈。

简体摘要： 本发明提供一种可比较容易地求出于接合时用以获得所需之接合温度分布之加热构件之设置温度分布，且接合品质无机差之安装设备及安装方法。具体而言，提供如下安装设备及安装方法，该安装设备包括：平台，其以将半导体芯片加热压接而接合于配线基板之安装保持配线基板；热压接工具，其将半导体芯片按压于配线基板；加热构件，其对热压接工具进行加热；及控制构件，其具有以任意之设置温度分布使上述加热构件运转之功能；且上述控制构件包含如下功能：借由获得表示上述加热构件之设置温度与接合部温度之关系之传递函数，而求出用以将接合部温度设为所需之分布之上述加热构件之设置温度分布。

公开(公告)号：TWI474432B

公开(公告)日：2015-02-21

申请号：TW101142610

申请日：2012-11-15

申请人： 隆達電子股份有限公司 ,  LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 李宗翰 ,  LI, ZONGHAN ,  林良達 ,  LIN, LIANGTA

IPC分类号： H01L21/68

CPC分类号： H05K13/0408 ,  B65G47/848 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2924/12041 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/53174 ,  Y10T29/53191 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201505110A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW103124676

申请日：2014-07-18

申请人： 先進科技新加坡有限公司 ,  ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD

发明人： 陳 文忠 ,  CHAN, MAN CHUNG ,  樊俊豪 ,  FAN, CHUN HO

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/6838 ,  H01L24/27 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  Y10T156/1092 ,  Y10T156/1702 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： 本發明公開用於在熱壓鍵合過程中固定多個半導體器件的設備，包含有：主體；多個支撐表面，位於主體的第一側面上，被配置來在熱壓鍵合過程中固定至少一個半導體器件；多個內部管道，位於主體內，每個內部管道從位於主體的第一側面的各自一個支撐表面的開口延伸至主體第二側面的開口；主體的第二側面的開口被配置來連接至各自的氣動通路上，以進行流體互通，每個氣動通路具有單獨可控的氣動吸附力，以致於主體的第一側面的支撐表面的開口被操作來抵靠於主體的第一側面的支撐表面有選擇地固定一個或多個半導體器件，或者從那裡將其釋放。本發明還公開用於在熱壓鍵合過程中固定半導體器件的裝置和通過熱壓鍵合將多個半導體器件鍵合至襯底上的方法。

简体摘要： 本发明公开用于在热压键合过程中固定多个半导体器件的设备，包含有：主体；多个支撑表面，位于主体的第一侧面上，被配置来在热压键合过程中固定至少一个半导体器件；多个内部管道，位于主体内，每个内部管道从位于主体的第一侧面的各自一个支撑表面的开口延伸至主体第二侧面的开口；主体的第二侧面的开口被配置来连接至各自的气动通路上，以进行流体互通，每个气动通路具有单独可控的气动吸附力，以致于主体的第一侧面的支撑表面的开口被操作来抵靠于主体的第一侧面的支撑表面有选择地固定一个或多个半导体器件，或者从那里将其释放。本发明还公开用于在热压键合过程中固定半导体器件的设备和通过热压键合将多个半导体器件键合至衬底上的方法。

公开(公告)号：TWI459516B

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW101112191

申请日：2012-04-06

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 黃見翎 ,  HWANG, CHIEN LING ,  黃英叡 ,  HUANG, YING JUI ,  蕭義理 ,  HSIAO, YI LI

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/32 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L21/67144 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75754 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI459478B

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW100131252

申请日：2011-08-31

申请人： 日立先端科技儀器股份有限公司 ,  HITACHI HIGH-TECH INSTRUMENTS CO., LTD.

发明人： 深澤信吾 ,  FUKASAWA, SHINGO ,  保坂浩二 ,  HOSAKA, KOJI

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/75611 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/83192 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/17

公开(公告)号：TWI445108B

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：TW100106857

申请日：2011-03-02

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 黃見翎 ,  HWANG, CHIEN LING ,  黃英叡 ,  HUANG, YING JUI ,  林正忠 ,  LIN, CHENG CHUNG ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K1/0012 ,  B23K1/203 ,  B23K3/087 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201336005A

公开(公告)日：2013-09-01

申请号：TW102102788

申请日：2013-01-25

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 魏程昶 ,  WEI, CHENG CHANG ,  楊素純 ,  YANG, SU CHUN ,  陳筱芸 ,  CHEN, HSIAO YUN ,  董志航 ,  TUNG, CHIH-HANG ,  史達元 ,  SHIH, DA YUAN ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H05K13/0465 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8193 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05599

摘要： 本發明提供一種拉伸焊料凸塊的方法，包括加熱一焊料凸塊至高於焊料凸塊的熔點；拉伸焊料凸塊以增加焊料凸塊的高度；以及降低焊料凸塊的溫度。

简体摘要： 本发明提供一种拉伸焊料凸块的方法，包括加热一焊料凸块至高于焊料凸块的熔点；拉伸焊料凸块以增加焊料凸块的高度；以及降低焊料凸块的温度。

公开(公告)号：TWI377633B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：TW097129611

申请日：2008-08-05

申请人： 新川股份有限公司

发明人： 前田徹

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/11 ,  B23K1/0016 ,  B23K3/0623 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 於使用金屬奈米糊接合半導體晶粒(12)之電極與電路基板(19)之電極之接合裝置(10)中具備將金屬奈米糊之微液滴射出至電極上形成突塊之突塊形成機構(20)、將半導體晶粒(12)之突塊壓向電路基板(19)之突塊而將各電極在非導通狀態下1次接合之1次接合機構(50)、以將1次接合後之突塊向接合方向加壓及加熱使各突塊之金屬奈米粒子加壓燒結使各電極導通進行2次接合之2次接合機構(80)。藉此，可減低接合負荷且能以簡便方法有效率進行各電極之接合。

简体摘要： 于使用金属奈米煳接合半导体晶粒(12)之电极与电路基板(19)之电极之接合设备(10)中具备将金属奈米煳之微液滴射出至电极上形成突块之突块形成机构(20)、将半导体晶粒(12)之突块压向电路基板(19)之突块而将各电极在非导通状态下1次接合之1次接合机构(50)、以将1次接合后之突块向接合方向加压及加热使各突块之金属奈米粒子加压烧结使各电极导通进行2次接合之2次接合机构(80)。借此，可减低接合负荷且能以简便方法有效率进行各电极之接合。