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公开(公告)号:TWI615458B
公开(公告)日:2018-02-21
申请号:TW105135067
申请日:2016-10-28
发明人: 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 戴文婉 , TAI, WEN WAN , 李育群 , LEE, YU CHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
CPC分类号: H01L33/502 , C09K11/727 , C09K11/7774 , F21K9/64 , F21V9/30 , F21Y2115/10 , H01L33/0095 , H01L33/56 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
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22.用以與上IC封裝體耦合以形成封裝體疊加(POP)總成的下IC封裝體結構,以及包含如是下IC封裝體結構的封裝體疊加(POP)總成 有权
简体标题: 用以与上IC封装体耦合以形成封装体叠加(POP)总成的下IC封装体结构,以及包含如是下IC封装体结构的封装体叠加(POP)总成公开(公告)号:TWI614865B
公开(公告)日:2018-02-11
申请号:TW100145083
申请日:2011-12-07
申请人: 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人: 黃邵方 , WONG, SHAW FONG , 羅蔚傑 , LOH, WEI KEAT , 王康余 , ONG, KANG EU , 黃歐祥 , WONG, AU SEONG
IPC分类号: H01L23/50 , H01L23/522
CPC分类号: H01L25/105 , H01L23/13 , H01L23/49833 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TWI614847B
公开(公告)日:2018-02-11
申请号:TW104118155
申请日:2015-06-04
申请人: 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人: 葛尼森 桑卡 , GANESAN, SANKA , 奇亞戴 巴森 , ZIADEH, BASSAM , 尼姆卡 尼特西 , NIMKAR, NITESH
IPC分类号: H01L23/28 , H01L21/768 , H01L23/50
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/293 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0381 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/27 , H01L2224/28105 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32105 , H01L2224/32145 , H01L2224/3301 , H01L2224/33106 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/80903 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00012 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TWI613773B
公开(公告)日:2018-02-01
申请号:TW106103673
申请日:2015-07-09
申请人: 艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人: 金根洙 , KIM, KEUN SOO , 金傑元 , KIM, JAE YUN , 安表俊 , AHN, BYOUNG JUN , 柳東洙 , RYU, DONG SOO , 姜大表 , KANG, DAE BYOUNG , 朴學吾 , PARK, CHEL WOO
CPC分类号: H01L23/49894 , H01L23/3121 , H01L23/42 , H01L23/433 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L25/105 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/92225 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/1533 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TW201804596A
公开(公告)日:2018-02-01
申请号:TW106136229
申请日:2014-07-10
发明人: 中島栄 , NAKAJIMA, SAKAE
CPC分类号: H03K17/567 , G01R19/0084 , G01R31/44 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/7395 , H01L29/7815 , H01L29/7825 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/06134 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H03K3/353 , H03K17/687 , H05B37/0227 , H05B37/03 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2924/00012
摘要: 一種半導體裝置包括N型半導體區、背電極、第一和第二P型基礎區、第一和第二N+擴散層、閘極絕緣膜、閘極電極及電壓檢測電路。第一N+擴散層作用為輸出MOS電晶體之源極並作用為感應MOS電晶體之源極。閘極電極被設為透過閘極絕緣膜(40)而正對著N型半導體區及第一和第二P型基礎區。負載電流流動於背電極與第一N+擴散層之間。電壓檢測電路產生檢測信號。
简体摘要: 一种半导体设备包括N型半导体区、背电极、第一和第二P型基础区、第一和第二N+扩散层、闸极绝缘膜、闸极电极及电压检测电路。第一N+扩散层作用为输出MOS晶体管之源极并作用为感应MOS晶体管之源极。闸极电极被设为透过闸极绝缘膜(40)而正对着N型半导体区及第一和第二P型基础区。负载电流流动于背电极与第一N+扩散层之间。电压检测电路产生检测信号。
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公开(公告)号:TWI612625B
公开(公告)日:2018-01-21
申请号:TW105135811
申请日:2011-12-05
发明人: 馬場伸治 , BABA, SHINJI , 渡邊正樹 , WATANABE, MASAKI , 德永宗治 , TOKUNAGA, MUNEHARU , 中川和之 , NAKAGAWA, KAZUYUKI
IPC分类号: H01L23/28 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/522 , H01L23/535
CPC分类号: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/291 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/1134 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13075 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14136 , H01L2224/14155 , H01L2224/14177 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
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公开(公告)号:TW201803034A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:TW105122019
申请日:2016-07-13
发明人: 陳彥亨 , CHEN, YAN HENG , 江政嘉 , CHIANG, CHENG CHIA
IPC分类号: H01L23/043 , H01L21/56 , H01Q1/38 , H01Q1/50
CPC分类号: H01L2223/6677 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要: 一種電子封裝件,係包括:基板、設於該基板上之電子元件與導電柱、包覆該電子元件與該導電柱之封裝層、以及設於該封裝層上之天線結構,藉由該天線結構具有凹部之設計,以增加該天線結構的表面積,而能增加天線增益。本發明復提供該電子封裝件之製法。
简体摘要: 一种电子封装件,系包括:基板、设于该基板上之电子组件与导电柱、包覆该电子组件与该导电柱之封装层、以及设于该封装层上之天线结构,借由该天线结构具有凹部之设计,以增加该天线结构的表面积,而能增加天线增益。本发明复提供该电子封装件之制法。
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公开(公告)号:TW201802186A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:TW106109942
申请日:2017-03-24
申请人: 大賽璐股份有限公司 , DAICEL CORPORATION
发明人: 中川泰伸 , NAKAGAWA, YASUNOBU , 籔野眞也 , YABUNO, SHINYA
IPC分类号: C08L83/07 , C08L83/05 , C08L83/14 , C08G77/50 , C08K5/5419 , C08K5/07 , C08K5/098 , C08K5/3477 , G02B1/04 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L33/56
CPC分类号: C08K5/07 , C08K5/098 , C08K5/3477 , C08K5/54 , C08L83/04 , G02B1/04 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 提供形成具有優異之阻氣性、耐熱性、耐光性、柔軟性、耐熱衝擊性、且黏性低之硬化物的硬化性樹脂組成物。 該硬化性樹脂組成物包含下述(A)~(D)成分,且(C)成分相對於組成物總量的含量為0.3~20重量%。 (A):下列平均單元式表示的聚有機矽氧烷:(SiO4/2)a1(R1SiO3/2)a2(R12SiO2/2)a3(R13SiO1/2)a4 [R1為烷基、芳基、烯基等,相對於R1之總量,烷基之比例為50~98莫耳%、芳基之比例為1~50莫耳%、烯基之比例為1~35莫耳%;a1>0、a2>0、a3≧0、a4>0、0.5≦a1/a2≦10、a1+a2+a3+a4=1];(B):下列平均實驗式表示的聚有機矽氧烷:R2mHnSiO[(4-m-n)/2] [R2為烷基、芳基;0.7≦m≦2.1、0.001≦n≦1.0、0.8≦m+n≦3];(C):通式(III-1)表示的直鏈聚有機矽氧烷: [式中,R3為烷基;y為1以上100以下之整數] (D):矽氫化觸媒
简体摘要: 提供形成具有优异之阻气性、耐热性、耐光性、柔软性、耐热冲击性、且黏性低之硬化物的硬化性树脂组成物。 该硬化性树脂组成物包含下述(A)~(D)成分,且(C)成分相对于组成物总量的含量为0.3~20重量%。 (A):下列平均单元式表示的聚有机硅氧烷:(SiO4/2)a1(R1SiO3/2)a2(R12SiO2/2)a3(R13SiO1/2)a4 [R1为烷基、芳基、烯基等,相对于R1之总量,烷基之比例为50~98莫耳%、芳基之比例为1~50莫耳%、烯基之比例为1~35莫耳%;a1>0、a2>0、a3≧0、a4>0、0.5≦a1/a2≦10、a1+a2+a3+a4=1];(B):下列平均实验式表示的聚有机硅氧烷:R2mHnSiO[(4-m-n)/2] [R2为烷基、芳基;0.7≦m≦2.1、0.001≦n≦1.0、0.8≦m+n≦3];(C):通式(III-1)表示的直链聚有机硅氧烷: [式中,R3为烷基;y为1以上100以下之整数] (D):硅氢化触媒
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公开(公告)号:TWI611532B
公开(公告)日:2018-01-11
申请号:TW103120653
申请日:2014-06-16
发明人: 伊藤慎吾 , ITOH, SHINGO
CPC分类号: H01L24/05 , H01L23/3128 , H01L23/49582 , H01L23/564 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0657 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/48505 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48864 , H01L2224/49171 , H01L2924/10162 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01202 , H01L2924/01201 , H01L2924/00015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046
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公开(公告)号:TWI610403B
公开(公告)日:2018-01-01
申请号:TW106106979
申请日:2017-03-03
发明人: 王伯豪 , WANG, PO HAO , 林畯棠 , LIN, CHUN TANG , 張守騏 , CHANG SHOU-QI , 謝裕翔 , HSIEH, YU HSIANG
CPC分类号: H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012
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