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公开(公告)号：TWI583480B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW102143321
申请日：2013-11-27
发明人： 山下貢丸 , YAMASHITA, TSUGUMARU , 藤田善仁 , FUJITA, YOSHIHITO , 吳屋真之 , GOYA, SANEYUKI , 柴田亮太 , SHIBATA, RYOTA , 鈴木龍 , SUZUKI, RYU , 山崎真 , YAMASAKI, MAKOTO
CPC分类号： B23K26/032 , B23K26/0066 , B23K26/0075 , B23K26/046 , B23K26/0648 , B23K26/0884 , B23K26/20 , B23K26/38 , G01B5/0004 , G01B11/24
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公开(公告)号：TW201545235A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104106080
申请日：2015-02-25
发明人： 朴正來 , PARK, JUNGRAE , 類維生 , LEI, WEI-SHENG , 帕帕那詹姆士S , PAPANU, JAMES S. , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/0823 , B23K26/0869 , B23K26/20 , B23K2201/001 , B23K2201/36 , B23K2203/166 , B23K2203/56
摘要： 本文描述用於改良晶圓塗佈之烘焙方法及工具。在一個實施例中，切割包括積體電路之半導體晶圓之方法涉及塗佈半導體晶圓之表面以形成覆蓋積體電路之遮罩。該方法涉及利用來自一或更多個光源之輻射烘焙遮罩。該方法涉及利用雷射劃割製程圖案化遮罩，以向圖案化遮罩提供間隙，從而曝露基板的介於積體電路之間的區域。該方法亦可涉及諸如利用電漿蝕刻操作來單體化積體電路。
简体摘要： 本文描述用于改良晶圆涂布之烘焙方法及工具。在一个实施例中，切割包括集成电路之半导体晶圆之方法涉及涂布半导体晶圆之表面以形成覆盖集成电路之遮罩。该方法涉及利用来自一或更多个光源之辐射烘焙遮罩。该方法涉及利用激光划割制程图案化遮罩，以向图案化遮罩提供间隙，从而曝露基板的介于集成电路之间的区域。该方法亦可涉及诸如利用等离子蚀刻操作来单体化集成电路。
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公开(公告)号：TW201429598A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102143321
申请日：2013-11-27
发明人： 山下貢丸 , YAMASHITA, TSUGUMARU , 藤田善仁 , FUJITA, YOSHIHITO , 吳屋真之 , GOYA, SANEYUKI , 柴田亮太 , SHIBATA, RYOTA , 鈴木龍 , SUZUKI, RYU , 山崎真 , YAMASAKI, MAKOTO
CPC分类号： B23K26/032 , B23K26/0066 , B23K26/0075 , B23K26/046 , B23K26/0648 , B23K26/0884 , B23K26/20 , B23K26/38 , G01B5/0004 , G01B11/24
摘要： 本發明之課題係提高三維雷射加工機之雷射加工之加工效率。本發明之三維雷射加工機係將藉由聚光透鏡聚光之雷射光之焦點位置與被加工物W之被加工部設定為特定之距離，藉此對上述被加工部實施高精度之雷射加工者，且具備測定上述被加工物W之三維形狀之三維形狀測定器50，且基於藉由上述三維形狀測定器50測定之上述被加工物W之三維形狀資料，將上述雷射光之焦點位置與上述被加工部設定為特定之距離。
简体摘要： 本发明之课题系提高三维激光加工机之激光加工之加工效率。本发明之三维激光加工机系将借由聚光透镜聚光之激光光之焦点位置与被加工物W之被加工部设置为特定之距离，借此对上述被加工部实施高精度之激光加工者，且具备测定上述被加工物W之三维形状之三维形状测定器50，且基于借由上述三维形状测定器50测定之上述被加工物W之三维形状数据，将上述激光光之焦点位置与上述被加工部设置为特定之距离。
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公开(公告)号：TW201401392A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102123003
申请日：2013-06-27
发明人： 田中榮次 , TANAKA, EIJI , 安吉裕之 , YASUYOSHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： B23K26/22 , B23K1/00 , B23K1/0016 , B23K1/0056 , B23K3/04 , B23K26/00 , B23K26/20 , B23K2201/42 , H01L21/56 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L2021/6003 , H01L2021/60112 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/75262 , H01L2224/75702 , H01L2224/75745 , H01L2224/81024 , H01L2224/81224 , H01L2924/12042 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： 本發明係一種接合裝置，其特徵為：跨殼體5A、工具基座13以及接合工具14設置晶片吸引通路23；當對晶片吸引通路23供給負壓時，便可將半導體晶片3吸附保持於接合工具14的底面；工具基座13係由透光構件11、12堆疊所構成，藉由形成在透光構件12的頂面上的溝部12B與中心部位的貫通孔12A構成作為晶片吸引通路23的主要部位的連接通路29。本發明之功效為：在利用雷射光L將半導體晶片3加熱並接合於基板2上時，即使附著於凸塊35的助焊劑等物質蒸發而附著於連接通路29內，由於溝部12B的設置範圍較小，故可防止因為助焊劑等物質而導致雷射光L的透光率降低。
简体摘要： 本发明系一种接合设备，其特征为：跨壳体5A、工具基座13以及接合工具14设置芯片吸引通路23；当对芯片吸引通路23供给负压时，便可将半导体芯片3吸附保持于接合工具14的底面；工具基座13系由透光构件11、12堆栈所构成，借由形成在透光构件12的顶面上的沟部12B与中心部位的贯通孔12A构成作为芯片吸引通路23的主要部位的连接通路29。本发明之功效为：在利用激光光L将半导体芯片3加热并接合于基板2上时，即使附着于凸块35的助焊剂等物质蒸发而附着于连接通路29内，由于沟部12B的设置范围较小，故可防止因为助焊剂等物质而导致激光光L的透光率降低。
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公开(公告)号：TWI504027B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW103113717
申请日：2014-04-15
发明人： 邱怡仁 , CHIU, YIJEN , 張榕殷 , CHANG, JUNGYIN
CPC分类号： B23K26/20 , B23K26/242 , G02B6/009
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公开(公告)号：TWI451928B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW100136946
申请日：2011-10-12
发明人： 古迫誠司 , FURUSAKO, SEIJI , 宮崎康信 , MIYAZAKI, YASUNOBU , 內藤恭章 , NAITO, YASUAKI
IPC分类号： B23K26/20
CPC分类号： B23K26/20 , B23K26/082 , B23K26/22 , B23K26/244 , B23K26/32 , B23K26/323 , B23K31/003 , B23K35/004 , B23K35/3073 , B23K2201/006 , B23K2203/04 , B23K2203/50 , C22C38/02 , C22C38/04
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公开(公告)号：TWI440260B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW100115315
申请日：2011-05-02
发明人： 吉田拓史 , YOSHIDA, TAKUSHI , 本島有子 , MATOJIMA, YUKO , 秋元比呂志 , AKIMOTO, HIROSHI , 山路崇洋 , YAMAJI, TAKAHIRO , 石橋文生 , ISHIBASHI, FUMIO
IPC分类号： H01R13/405 , H01R43/18
CPC分类号： H01R43/20 , B23K26/20 , B23K26/324 , H01R13/405 , H01R13/504 , H01R43/18 , Y10T29/49211 , Y10T29/53209
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公开(公告)号：TWI582865B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW102123003
申请日：2013-06-27
发明人： 田中榮次 , TANAKA, EIJI , 安吉裕之 , YASUYOSHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： B23K26/22 , B23K1/00 , B23K1/0016 , B23K1/0056 , B23K3/04 , B23K26/00 , B23K26/20 , B23K2201/42 , H01L21/56 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L2021/6003 , H01L2021/60112 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/75262 , H01L2224/75702 , H01L2224/75745 , H01L2224/81024 , H01L2224/81224 , H01L2924/12042 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201642366A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105106213
申请日：2016-03-01
发明人： 路德克 亨利 , LUDEKE, HEINRICH , 蓋爾哈 利卡多 , GEELHAAR, RICARDO
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/49 , H01L21/283 , H01L23/482 , H01L21/268
CPC分类号： H01L24/48 , B23K26/20 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L24/77 , H01L24/81 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/16225 , H01L2224/37026 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/40491 , H01L2224/40992 , H01L2224/40997 , H01L2224/4112 , H01L2224/45005 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48839 , H01L2224/48847 , H01L2224/73255 , H01L2224/77263 , H01L2224/77281 , H01L2224/77601 , H01L2224/77611 , H01L2224/77704 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/84214 , H01L2224/84424 , H01L2224/84439 , H01L2224/84444 , H01L2224/84447 , H01L2224/84455 , H01L2224/84464 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2224/84986 , H01L2224/85051 , H01L2224/85203 , H01L2224/85214 , H01L2224/85379 , H01L2224/8584 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2224/13099
摘要： 本發明是關於一種晶片配置結構(10)以及用於形成晶片(18) ， 特別是功率電晶體及其類似物與導體材料軌道(14)之間之接觸連接(11)的方法，導體材料軌道形成在非導電基板上，晶片被設置在基板上或在導體材料軌道(15)上，銀膏(29)或銅膏被塗佈於晶片之晶片接觸表面(25)及導體材料軌道(28)中之每一個上，接觸導體(30)被浸於晶片接觸表面上之銀膏或銅膏中，並被浸於導體材料軌道上之銀膏或銅膏中。銀膏或銅膏中所含之溶劑至少部分透過加熱蒸發並藉由雷射能之方式燒結銀膏或銅膏形成接觸連接。
简体摘要： 本发明是关于一种芯片配置结构(10)以及用于形成芯片(18) ， 特别是功率晶体管及其类似物与导体材料轨道(14)之间之接触连接(11)的方法，导体材料轨道形成在非导电基板上，芯片被设置在基板上或在导体材料轨道(15)上，银膏(29)或铜膏被涂布于芯片之芯片接触表面(25)及导体材料轨道(28)中之每一个上，接触导体(30)被浸于芯片接触表面上之银膏或铜膏中，并被浸于导体材料轨道上之银膏或铜膏中。银膏或铜膏中所含之溶剂至少部分透过加热蒸发并借由激光能之方式烧结银膏或铜膏形成接触连接。
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公开(公告)号：TWI466356B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW100105098
申请日：2011-02-16
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 志水俊文 , SHIMIZU, TOSHIFUMI , 倉田健剛 , KURATA, KENGO , 豐田夏樹 , TOYOTA, NATSUKI , 柏崎永記 , KASHIWAZAKI, EIKI
IPC分类号： H01M10/058 , H01M2/04
CPC分类号： H01M2/024 , B23K26/00 , B23K26/20 , H01M2/0217 , H01M2/0426 , H01M2/12 , H01M2/22 , H01M2/26 , H01M2/263 , Y10T29/4911
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