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    Methods for processing substrates in a dual chamber processing system having shared resources
    1.
    发明授权
    Methods for processing substrates in a dual chamber processing system having shared resources 失效
    在具有共享资源的双室处理系统中处理基板的方法

    公开(公告)号：US08097088B1

    公开(公告)日：2012-01-17

    申请号：US13088791

    申请日：2011-04-18

    申请人： Eu Jin Lim ,  Adauto Diaz, Jr. ,  Benjamin Schwarz ,  James P. Cruse ,  Charles Hardy

    发明人： Eu Jin Lim ,  Adauto Diaz, Jr. ,  Benjamin Schwarz ,  James P. Cruse ,  Charles Hardy

    IPC分类号： B08B5/00

    CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32899 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/905

    摘要： Methods for processing substrates in dual chamber processing systems comprising first and second process chambers that share resources may include performing a first internal chamber clean in each of the first process chamber and the second process chamber; and subsequently processing a substrate in one of the first process chamber or the second process chamber by: providing a substrate to one of the first process chamber or the second process chamber; providing a process gas to the first process chamber and the second process chamber; forming a plasma in only the one of the first process chamber or the second process chamber having the substrate contained therein; and providing an inert gas to the first process chamber and the second process chamber via one or more channels formed in a surface of respective substrate supports disposed in the first process chamber and the second process chamber while processing the substrate.

    摘要翻译： 在包括共享资源的第一和第二处理室的双室处理系统中处理衬底的方法可以包括在第一处理室和第二处理室中的每一个中执行第一内室清洁; 并且随后通过以下步骤来处理第一处理室或第二处理室之一中的衬底：将衬底提供到第一处理室或第二处理室中的一个; 向所述第一处理室和所述第二处理室提供处理气体; 仅在其中包含基板的第一处理室或第二处理室中的一个中形成等离子体; 以及通过形成在设置在第一处理室和第二处理室中的相应基板支撑件的表面中的一个或多个通道，在处理基板的同时，向第一处理室和第二处理室提供惰性气体。

    Methods for processing substrates in process systems having shared resources
    6.
    发明授权
    Methods for processing substrates in process systems having shared resources 有权
    在具有共享资源的处理系统中处理衬底的方法

    公开(公告)号：US08496756B2

    公开(公告)日：2013-07-30

    申请号：US12915240

    申请日：2010-10-29

    申请人： James P. Cruse ,  Dermot Cantwell ,  Ming Xu ,  Charles Hardy ,  Benjamin Schwarz ,  Kenneth S. Collins ,  Andrew Nguyen ,  Zhifeng Sui ,  Evans Lee

    发明人： James P. Cruse ,  Dermot Cantwell ,  Ming Xu ,  Charles Hardy ,  Benjamin Schwarz ,  Kenneth S. Collins ,  Andrew Nguyen ,  Zhifeng Sui ,  Evans Lee

    IPC分类号： B08B6/00

    CPC分类号： H01L21/6719 ,  H01J37/32899

    摘要： Methods for processing substrates in twin chamber processing systems having first and second process chambers and shared processing resources are provided herein. In some embodiments, a method may include flowing a process gas from a shared gas panel to a processing volume of the first process chamber and to a processing volume of the second process chamber; forming a first plasma in the first processing volume to process the first substrate and a second plasma to process the second substrate; monitoring the first processing volume and the second processing volume to determine if a process endpoint is reached in either volume; and either terminating the first and second plasma simultaneously when a first endpoint is reached; or terminating the first plasma when a first endpoint is reached in the first processing volume while continuing to provide the second plasma in the second processing volume until a second endpoint is reached.

    摘要翻译： 本文提供了具有第一处理室和第二处理室以及共享处理资源的双室处理系统中处理基板的方法。 在一些实施例中，一种方法可以包括将处理气体从共用气体面板流动到第一处理室的处理容积和第二处理室的处理容积; 在所述第一处理体积中形成第一等离子体以处理所述第一基板和第二等离子体以处理所述第二基板; 监测第一处理量和第二处理量以确定任一体积中是否达到过程终点; 并且当达到第一端点时同时终止第一和第二等离子体; 或在第一处理容积中达到第一端点时终止第一等离子体，同时继续在第二处理容积中提供第二等离子体直到达到第二端点。

    Gate etch process
    10.
    发明授权
    Gate etch process 有权
    门蚀刻工艺

    公开(公告)号：US07112834B1

    公开(公告)日：2006-09-26

    申请号：US10791657

    申请日：2004-03-02

    申请人： Benjamin Schwarz ,  Chan-Lon Yang ,  Kiyoko Ikeuchi ,  Peter Keswick ,  Lien Lee

    发明人： Benjamin Schwarz ,  Chan-Lon Yang ,  Kiyoko Ikeuchi ,  Peter Keswick ,  Lien Lee

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  Y10S438/952

    摘要： A method of making a semiconductor structure includes etching an anti-reflective coating layer at a pressure of 10 millitorr or less; etching a nitride layer with a first nitride etch plasma having a first F:C ratio; and etching the nitride layer with a second nitride etch plasma having a second F:C ratio. The first F:C ratio is greater than the second F:C ratio.

    摘要翻译： 制造半导体结构的方法包括在10毫托或更低的压力下蚀刻抗反射涂层; 用具有第一F：C比率的第一氮化物蚀刻等离子体蚀刻氮化物层; 并用具有第二F：C比率的第二氮化物蚀刻等离子体蚀刻氮化物层。 第一F：C比大于第二F：C比。