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    TECHNIQUE FOR MANUFACTURING A SOLAR CELL
    11.
    发明申请
    TECHNIQUE FOR MANUFACTURING A SOLAR CELL 有权
    制造太阳能电池的技术

    公开(公告)号：US20100124799A1

    公开(公告)日：2010-05-20

    申请号：US12581491

    申请日：2009-10-19

    申请人： Julian G. BLAKE ,  Kevin M. Daniels

    发明人： Julian G. BLAKE ,  Kevin M. Daniels

    IPC分类号： H01L21/266 ,  H01J37/08 ,  G21F1/08

    CPC分类号： H01L21/266 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/31711 ,  H01L31/18

    摘要： Techniques for manufacturing solar cells are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may comprise disposing a mask upstream of the solar cell, the mask comprising a plurality of filaments spaced apart from one another to define at least one aperture; directing a ribbon ion beam of desired species toward the solar cell to ion implant a portion of the solar cell defined by the at least one aperture of the mask; and orienting the ribbon ion beam such that longer cross-section dimension of the ribbon beam is perpendicular to the aperture in one plane.

    摘要翻译： 公开了制造太阳能电池的技术。 在一个特定的示例性实施例中，技术可以包括在太阳能电池的上游设置掩模，所述掩模包括彼此间隔开的多个细丝以限定至少一个孔; 将所需物质的带状离子束引向太阳能电池以离子注入由掩模的至少一个孔限定的太阳能电池的一部分; 并且使带状离子束定向成使得带状束的较长横截面尺寸垂直于一个平面中的孔。

    Techniques for processing a substrate
    13.
    发明授权
    Techniques for processing a substrate 有权
    用于处理基材的技术

    公开(公告)号：US08900982B2

    公开(公告)日：2014-12-02

    申请号：US12756036

    申请日：2010-04-07

    申请人： Kevin M. Daniels ,  Russell L. Low ,  Nicholas P. T. Bateman ,  Benjamin B. Riordon

    发明人： Kevin M. Daniels ,  Russell L. Low ,  Nicholas P. T. Bateman ,  Benjamin B. Riordon

    IPC分类号： H01L21/266 ,  H01J37/317

    CPC分类号： C23C14/042 ,  C23C14/48 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266

    摘要： Herein, an improved technique for processing a substrate is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be achieved using a mask for processing the substrate. The mask may be incorporated into a substrate processing system such as, for example, an ion implantation system. The mask may comprise one or more first apertures disposed in a first row; and one or more second apertures disposed in a second row, each row extending along a width direction of the mask, wherein the one or more first apertures and the one or more second apertures are non-uniform.

    摘要翻译： 本文中公开了一种用于处理衬底的改进技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以使用用于处理衬底的掩模来实现该技术。 掩模可以并入基板处理系统中，例如离子注入系统。 掩模可以包括设置在第一排中的一个或多个第一孔; 以及设置在第二排中的一个或多个第二孔，每排沿着所述掩模的宽度方向延伸，其中所述一个或多个第一孔和所述一个或多个第二孔是不均匀的。

    TECHNIQUES FOR PROCESSING A SUBSTRATE
    16.
    发明申请
    TECHNIQUES FOR PROCESSING A SUBSTRATE 有权
    加工基材的技术

    公开(公告)号：US20100297782A1

    公开(公告)日：2010-11-25

    申请号：US12783873

    申请日：2010-05-20

    申请人： Benjamin B. Riordon ,  Kevin M. Daniels ,  William T. Weaver ,  Steven M. Anella

    发明人： Benjamin B. Riordon ,  Kevin M. Daniels ,  William T. Weaver ,  Steven M. Anella

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/426

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/31711 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Herein, an improved technique for processing a substrate is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized with a system for processing one or more substrates. The system may comprise an ion source for generating ions of desired species, the ions generated from the ion source being directed toward the one or more substrates along an ion beam path; a substrate support for supporting the one or more substrates; a mask disposed between the ion source and the substrate support, the mask comprising a finger defining one or more apertures through which a portion of the ions traveling along the ion beam path pass; and a first detector for detecting ions, the first detector being fixedly positioned relative to the one or more substrates.

    摘要翻译： 本文中公开了一种用于处理衬底的改进技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以用用于处理一个或多个基板的系统来实现。 该系统可以包括用于产生所需物质的离子的离子源，从离子源产生的离子沿离子束路指向一个或多个衬底; 用于支撑所述一个或多个基板的基板支撑件; 设置在所述离子源和所述衬底支撑件之间的掩模，所述掩模包括限定一个或多个孔的手指，所述离子沿所述离子束路径行进的一部分穿过所述孔; 以及用于检测离子的第一检测器，所述第一检测器相对于所述一个或多个基板固定地定位。

    Techniques for processing a substrate
    18.
    发明授权
    Techniques for processing a substrate 有权
    用于处理基材的技术

    公开(公告)号：US09076914B2

    公开(公告)日：2015-07-07

    申请号：US12756026

    申请日：2010-04-07

    申请人： Kevin M. Daniels ,  Russell L. Low ,  Benjamin B. Riordon

    发明人： Kevin M. Daniels ,  Russell L. Low ,  Benjamin B. Riordon

    IPC分类号： A61N5/00 ,  H01L31/068 ,  H01L21/266 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/068 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Herein, an improved technique for processing a substrate is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized as a method for processing a substrate. The method may comprise directing an ion beam comprising a plurality of ions along an ion beam path, from an ion source to the substrate; disposing at least a portion of a mask in the ion beam path, between the ion source and the substrate; and translating one of the substrate and the mask relative to other one of the substrate and the mask.

    摘要翻译： 本文中公开了一种用于处理衬底的改进技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以被实现为用于处理衬底的方法。 该方法可以包括将离子束沿着离子束路径从离子源引导到衬底; 在离子源和衬底之间的离子束路径中设置掩模的至少一部分; 并且相对于衬底和掩模中的另一个平移衬底和掩模中的一个。