公开(公告)号：US20060081998A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US10966136

申请日：2004-10-15

申请人： Xiang Zeng ,  Jiangqi He ,  Jack Zhong

发明人： Xiang Zeng ,  Jiangqi He ,  Jack Zhong

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Those methods comprise depositing a bottom electrode, depositing a dielectric layer on the bottom electrode, forming at least one via in the dielectric layer, wherein a bottom surface of the via does not contact a top surface of the bottom electrode, and depositing a top electrode on the dielectric layer.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法包括沉积底部电极，在底部电极上沉​​积电介质层，在电介质层中形成至少一个通孔，其中通孔的底表面不接触底部电极的顶表面，并且沉积顶部电极 在介电层上。

公开(公告)号：US20070158818A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：US11323312

申请日：2005-12-30

申请人： John Tang ,  Xiang Zeng ,  Jiangqi He ,  Ding Hai

发明人： John Tang ,  Xiang Zeng ,  Jiangqi He ,  Ding Hai

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L21/4857 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/111 ,  H05K1/113 ,  H05K1/162 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/09436 ,  H05K2201/09763 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00

摘要： An article includes a top electrode that is embedded in a solder mask. An article includes a top electrode that is on a core structure. A process of forming the top electrode includes reducing the solder mask thickness and forming the top electrode on the reduced-thickness solder mask. A process of forming the top electrode includes forming the top electrode over a high-K dielectric that is in a patterned portion of the core structure.

摘要翻译： 一种物品包括埋在焊接掩模中的顶部电极。 一种物品包括在核心结构上的顶部电极。 形成顶部电极的工艺包括减小焊接掩模厚度并在厚度较薄的焊接掩模上形成顶部电极。 形成顶部电极的工艺包括在位于芯结构的图案化部分中的高K电介质上形成顶部电极。

公开(公告)号：US20070145543A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11320274

申请日：2005-12-28

申请人： Xiang Zeng ,  Jiangqi He ,  Dong-Ho Han

发明人： Xiang Zeng ,  Jiangqi He ,  Dong-Ho Han

IPC分类号： H01L29/40

CPC分类号： H05K3/242 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0237 ,  H05K2201/093 ,  H05K2201/09318 ,  H05K2201/0969 ,  H05K2201/09727 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A method including modifying a characteristic impedance along a length of a plating bar of a substrate package. An apparatus including a package substrate including a plurality of transmission lines therethrough, a portion of the plurality of transmission lines each including a plating bar coupled thereto, wherein the plating bar comprises portions having different characteristic impedance along its length. A system including a computing device including a microprocessor, the microprocessor coupled to a printed circuit board through a substrate, the substrate including a plurality of transmission lines therethrough, a portion of the plurality of transmission lines each including a plating bar coupled thereto, wherein the plating bar comprises portions having different characteristic impedance along its length.

摘要翻译： 一种方法，包括沿衬底封装的电镀条的长度改变特性阻抗。 一种包括包括穿过其中的多个传输线的封装基板的装置，所述多个传输线的一部分各自包括连接到其上的电镀板，其中所述电镀棒包括沿其长度具有不同特征阻抗的部分。 一种包括计算设备的系统，包括微处理器，所述微处理器通过衬底耦合到印刷电路板，所述衬底包括穿过其中的多个传输线，所述多个传输线中的一部分包括与其耦合的电镀板，其中， 电镀棒包括沿其长度具有不同特性阻抗的部分。

公开(公告)号：US20050213281A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US10808489

申请日：2004-03-25

申请人： Jiangqi He ,  Ping Sun ,  Hyunjun Kim ,  Xiang Zeng

发明人： Jiangqi He ,  Ping Sun ,  Hyunjun Kim ,  Xiang Zeng

IPC分类号： H01G4/228 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H05K1/00 ,  H05K1/03 ,  H05K1/16

CPC分类号： H01G4/228 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/19103 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10674

摘要： Extending high k material of a second dielectric layer to surround at least one thru-via designed to provide a signal other than a power signal to a die may eliminate discrete AC coupling capacitors to reduce cost and improve performance of the package.

摘要翻译： 扩展第二电介质层的高k材料以围绕设计成向芯片提供除了功率信号之外的信号的至少一个通孔可以消除离散AC耦合电容器以降低成本并提高封装的性能。

公开(公告)号：US20150035603A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：US14380465

申请日：2012-02-24

申请人： Xiang Zeng ,  Changjiang Yang ,  Tao Huang

发明人： Xiang Zeng ,  Changjiang Yang ,  Tao Huang

IPC分类号： H03F1/32 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21

CPC分类号： H03F1/3223 ,  H03F1/3229 ,  H03F3/19 ,  H03F3/211 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/336 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21142

摘要： The present application discloses a feed-forward amplifier device and the method thereof. The device comprises: a splitter for splitting an input signal into two portions; a non-linear amplifier for amplifying the input signal and producing inter-modulation products; a carrier canceling unit for generating pure inter-modulation products; a linear amplifier for amplifying the pure inter-modulation products; and a coupler for generating final output signal by counteracting the inter-modulation products with the amplified pure inter-modulation products; wherein the splitter and the carrier canceling unit are provided in digital base band. According to the present disclosure, pure inter-modulation products can be generated and adjusted more flexibly and more accurately in digital base band, and hence ideal output signal may be generated.

摘要翻译： 本申请公开了一种前馈放大器装置及其方法。 该装置包括：分离器，用于将输入信号分成两部分; 用于放大输入信号并产生互调产物的非线性放大器; 用于产生纯互调产物的载波消除单元; 用于放大纯互调制品的线性放大器; 以及耦合器，用于通过将所述互调产物与所述放大纯互调产物相抵消来产生最终输出信号; 其中分离器和载波消除单元设置在数字基带中。 根据本公开，可以在数字基带中更灵活，更准确地生成和调整纯互调制品，因此可以产生理想的输出信号。

公开(公告)号：US08598465B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13015132

申请日：2011-01-27

申请人： David M. Eaves ,  Xiang Zeng ,  Kelly J. Hennig ,  Patty Pei-Ling Chang-Chien

发明人： David M. Eaves ,  Xiang Zeng ,  Kelly J. Hennig ,  Patty Pei-Ling Chang-Chien

IPC分类号： H05K1/11

CPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L23/10 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2224/80

摘要： A wafer-scale assembly circuit including a plurality of metal interconnect layers, where each metal layer includes patterned metal portions and where at least some of the patterned metal portions are RF signal lines. The circuit further includes at least one benzocyclobutene layer provided between two metal interconnect layers that includes at least one trench via formed around a perimeter of the benzocyclobutene layer at a circuit sealing ring, where the trench via provides a hermetic seal at the sealing ring. The benzocyclobutene layer also includes a plurality of stabilizing post vias formed through the benzocyclobutene layer adjacent to the trench via proximate to the sealing ring and extending around the perimeter of the benzocyclobutene layer, where the stabilizing vias operate to prevent the benzocyclobutene layer from shrinking in size.

摘要翻译： 包括多个金属互连层的晶片级组装电路，其中每个金属层包括图案化的金属部分，并且其中至少一些图案化的金属部分是RF信号线。 该电路还包括至少一个设置在两个金属互连层之间的苯并环丁烯层，其包括在电路密封环处围绕苯并环丁烯层的周边形成的至少一个沟槽通道，其中沟槽通孔在密封环处提供气密密封。 苯并环丁烯层还包括多个稳定的通孔，其通过邻近密封环的邻近沟槽的苯并环丁烯层形成，并且围绕苯并环丁烯层的周边延伸，其中稳定通孔的作用是防止苯并环丁烯层的尺寸收缩 。

公开(公告)号：US09148096B2

公开(公告)日：2015-09-29

申请号：US14377959

申请日：2012-02-22

申请人： Tao Huang ,  Changjiang Yang ,  Xiang Zeng

发明人： Tao Huang ,  Changjiang Yang ,  Xiang Zeng

IPC分类号： H03F3/19 ,  H04L27/26 ,  H04L27/36 ,  H03F1/32 ,  H03F3/24 ,  H03F1/02

CPC分类号： H03F3/19 ,  H03F1/02 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/451 ,  H03F2201/3215 ,  H03F2201/3227 ,  H04B2201/70706 ,  H04L27/2623 ,  H04L27/368

摘要： A method for controlling an input signal of a power amplifier is provided. The method comprise applying CFR to the input signal to obtain a processed input signal; determining a minimum CFR threshold; comparing the peak power of the power amplifier and an allowable peak power; and if the peak power is below the allowable peak power, determining a final CFR threshold by increasing the minimum CFR threshold, or if the peak power is not below the allowable peak power, reducing the average output power until peak power reaches the allowable peak power.

摘要翻译： 提供一种用于控制功率放大器的输入信号的方法。 该方法包括将CFR应用于输入信号以获得经处理的输入信号; 确定最小CFR阈值; 比较功率放大器的峰值功率和允许的峰值功率; 并且如果峰值功率低于容许峰值功率，则通过增加最小CFR阈值来确定最终CFR阈值，或者如果峰值功率不低于允许峰值功率，则降低平均输出功率，直到峰值功率达到允许峰值功率 。

公开(公告)号：US20150022269A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：US14377959

申请日：2012-02-22

申请人： Tao Huang ,  Changjiang Yang ,  Xiang Zeng

发明人： Tao Huang ,  Changjiang Yang ,  Xiang Zeng

IPC分类号： H03F3/19 ,  H03F1/02 ,  H03F1/32

CPC分类号： H03F3/19 ,  H03F1/02 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/451 ,  H03F2201/3215 ,  H03F2201/3227 ,  H04B2201/70706 ,  H04L27/2623 ,  H04L27/368

摘要： A method for controlling an input signal of a power amplifier is provided. The method comprise applying CFR to the input signal to obtain a processed input signal; determining a minimum CFR threshold; comparing the peak power of the power amplifier and an allowable peak power; and if the peak power is below the allowable peak power, determining a final CFR threshold by increasing the minimum CFR threshold, or if the peak power is not below the allowable peak power, reducing the average output power until peak power reaches the allowable peak power.

摘要翻译： 提供一种用于控制功率放大器的输入信号的方法。 该方法包括将CFR应用于输入信号以获得经处理的输入信号; 确定最小CFR阈值; 比较功率放大器的峰值功率和允许的峰值功率; 并且如果峰值功率低于容许峰值功率，则通过增加最小CFR阈值来确定最终CFR阈值，或者如果峰值功率不低于允许峰值功率，则降低平均输出功率，直到峰值功率达到允许峰值功率 。

公开(公告)号：US20120193133A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13015132

申请日：2011-01-27

申请人： David M. Eaves ,  Xiang Zeng ,  Kelly J. Hennig ,  Patty Chang-Chien

发明人： David M. Eaves ,  Xiang Zeng ,  Kelly J. Hennig ,  Patty Chang-Chien

IPC分类号： H05K1/18

CPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L23/10 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2224/80

摘要： A wafer-scale assembly circuit including a plurality of metal interconnect layers, where each metal layer includes patterned metal portions and where at least some of the patterned metal portions are RF signal lines. The circuit further includes at least one benzocyclobutene layer provided between two metal interconnect layers that includes at least one trench via formed around a perimeter of the benzocyclobutene layer at a circuit sealing ring, where the trench via provides a hermetic seal at the sealing ring. The benzocyclobutene layer also includes a plurality of stabilizing post vias formed through the benzocyclobutene layer adjacent to the trench via proximate to the sealing ring and extending around the perimeter of the benzocyclobutene layer, where the stabilizing vias operate to prevent the benzocyclobutene layer from shrinking in size.

摘要翻译： 包括多个金属互连层的晶片级组装电路，其中每个金属层包括图案化的金属部分，并且其中至少一些图案化的金属部分是RF信号线。 该电路还包括至少一个设置在两个金属互连层之间的苯并环丁烯层，其包括在电路密封环处围绕苯并环丁烯层的周边形成的至少一个沟槽通道，其中沟槽通孔在密封环处提供气密密封。 苯并环丁烯层还包括多个稳定的通孔，其通过邻近密封环的邻近沟槽的苯并环丁烯层形成，并且围绕苯并环丁烯层的周边延伸，其中稳定通孔的作用是防止苯并环丁烯层的尺寸收缩 。

公开(公告)号：US09369092B2

公开(公告)日：2016-06-14

申请号：US14380465

申请日：2012-02-24

申请人： Xiang Zeng ,  Changjiang Yang ,  Tao Huang

发明人： Xiang Zeng ,  Changjiang Yang ,  Tao Huang

IPC分类号： H03F1/26 ,  H03F1/32 ,  H03F3/24 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21

CPC分类号： H03F1/3223 ,  H03F1/3229 ,  H03F3/19 ,  H03F3/211 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/336 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21142

摘要： The present application discloses a feed-forward amplifier device and the method thereof. The device comprises: a splitter for splitting an input signal into two portions; a non-linear amplifier for amplifying the input signal and producing inter-modulation products; a carrier canceling unit for generating pure inter-modulation products; a linear amplifier for amplifying the pure inter-modulation products; and a coupler for generating final output signal by counteracting the inter-modulation products with the amplified pure inter-modulation products; wherein the splitter and the carrier canceling unit are provided in digital base band. According to the present disclosure, pure inter-modulation products can be generated and adjusted more flexibly and more accurately in digital base band, and hence ideal output signal may be generated.

摘要翻译： 本申请公开了一种前馈放大器装置及其方法。 该装置包括：分离器，用于将输入信号分成两部分; 用于放大输入信号并产生互调产物的非线性放大器; 用于产生纯互调产物的载波消除单元; 用于放大纯互调制品的线性放大器; 以及耦合器，用于通过将所述互调产物与所述放大纯互调产物相抵消来产生最终输出信号; 其中分离器和载波消除单元设置在数字基带中。 根据本公开，可以在数字基带中更灵活，更准确地生成和调整纯互调制品，因此可以产生理想的输出信号。