利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

26 条记录 (耗时 0.018 秒)

    Laser arrangement and semiconductor laser for optically pumping a laser
    16.
    发明申请
    Laser arrangement and semiconductor laser for optically pumping a laser 审中-公开
    用于光学泵浦激光的激光布置和半导体激光器

    公开(公告)号：US20080089380A1

    公开(公告)日：2008-04-17

    申请号：US11904171

    申请日：2007-09-26

    申请人： Harald Konig ,  Johann Luft ,  Martin Muller ,  Marc Philippens

    发明人： Harald Konig ,  Johann Luft ,  Martin Muller ,  Marc Philippens

    IPC分类号： H01S3/091

    CPC分类号： H01S5/4043 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/0604 ,  H01S3/067 ,  H01S3/094096 ,  H01S3/0941 ,  H01S3/09415 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/343 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4087

    摘要： A laser arrangement comprises an optically pumped laser (2) and at least one semiconductor laser (1) which emits pump radiation (6) for pumping the optically pumped laser (2). The semiconductor laser (1) contains a plurality of monolithically integrated active zones (3, 4, 5) arranged one above another, at least two of the plurality of active zones (3, 4, 5) emitting pump radiation (6) of different wavelengths. In this way, it is possible to pump different absorption bands of the optically pumped laser (2) using a single semiconductor laser (1).

    摘要翻译： 激光装置包括光泵浦激光器（2）和至少一个发射用于泵浦光泵浦激光器（2）的泵浦辐射（6）的半导体激光器（1）。 半导体激光器（1）包含多个排列成一体的有源区域（3,4,5），多个有源区域（3,4,5）中的至少两个发射不同的泵浦辐射（6） 波长。 以这种方式，可以使用单个半导体激光器（1）泵浦光泵浦激光器（2）的不同吸收带。

    Laser device having a plurality of emission zones
    17.
    发明授权
    Laser device having a plurality of emission zones 有权
    具有多个发射区的激光装置

    公开(公告)号：US07271419B2

    公开(公告)日：2007-09-18

    申请号：US10926903

    申请日：2004-08-27

    申请人： Martin Behringer ,  Johann Luft ,  Bruno Acklin

    发明人： Martin Behringer ,  Johann Luft ,  Bruno Acklin

    IPC分类号： H01L29/18

    CPC分类号： H01S5/405 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/02423

    摘要： A laser device having a semiconductor body (1), which has a plurality of active layers (5, 9) arranged vertically one above the other and serving for generating laser radiation. The active layers are subdivided in the transverse direction into a plurality of emission zones (15) and are electrically connected in series in the vertical direction. The semiconductor body (1) is formed in monolithic integrated fashion, and a cooling element (2) is provided on which the semiconductor body (1) is arranged.

    摘要翻译： 一种具有半导体本体（1）的激光器件，其具有多个有源层（5,9），所述多个有源层（5,9）垂直地彼此排列并用于产生激光辐射。 有源层在横向被细分为多个发射区（15），并在垂直方向串联电连接。 半导体本体（1）以单片集成的方式形成，并且设置有半导体本体（1）布置在其上的冷却元件（2）。

    Radiation emitter component
    18.
    发明授权
    Radiation emitter component 失效
    辐射发射器组件

    公开(公告)号：US5999552A

    公开(公告)日：1999-12-07

    申请号：US9606

    申请日：1998-01-20

    申请人： Georg Bogner ,  Herbert Brunner ,  Heinz Haas ,  Johann Luft ,  Ernst Nirschl ,  Werner Spaeth ,  Norbert Stath ,  Wolfgang Teich

    发明人： Georg Bogner ,  Herbert Brunner ,  Heinz Haas ,  Johann Luft ,  Ernst Nirschl ,  Werner Spaeth ,  Norbert Stath ,  Wolfgang Teich

    IPC分类号： H01L33/56 ,  H01S3/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/022 ,  H01S3/18 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01S5/02244 ,  H01S5/02228 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0091 ,  H01L33/56

    摘要： A radiation emitter component, in particular an infrared emitter component with a conventional light-emitting diode housing, includes two electrode connections, one of which has a well-shaped reflector. The housing has an optically transparent, electrically non-conducting encapsulation material. A semiconductor laser chip is fastened in a well-shaped reflector of the light-emitting diode housing. The semiconductor laser chip has a quantum well structure, in particular with a strained layer structure, for example MOVPE epitaxial layers with a layer sequence GaAlAs-InGaAs-GaAlAs. A diffusor material can be inserted into the optically transparent, electrically non-conducting material of the light-emitting diode housing. The diffusor material is constructed or inserted with regard to type and concentration in such a way that in connection with the semiconductor laser chip encapsulated in the light-emitting diode housing, a radiation characteristic curve or an increase of an effective emission surface is produced that is comparable to that of a conventional infrared light-emitting diode.

    摘要翻译： 辐射发射器部件，特别是具有传统发光二极管外壳的红外发射器部件包括两个电极连接件，其中之一具有良好形状的反射器。 壳体具有光学透明的非导电封装材料。 将半导体激光芯片紧固在发光二极管壳体的形状好的反射器中。 半导体激光芯片具有量子阱结构，特别是具有应变层结构，例如具有层序列GaAlAs-InGaAs-GaAlAs的MOVPE外延层。 漫射材料可以插入到发光二极管外壳的光学透明的非导电材料中。 关于类型和浓度来构造或插入扩散材料，使得与封装在发光二极管外壳中的半导体激光器芯片有关，产生辐射特性曲线或有效发射表面的增加，即， 与传统的红外发光二极管相当。

    Edge emitting semiconductor laser comprising a plurality of monolithically integrated laser diodes
    19.
    发明申请
    Edge emitting semiconductor laser comprising a plurality of monolithically integrated laser diodes 有权
    包括多个单片集成激光二极管的边缘发射半导体激光器

    公开(公告)号：US20080123710A1

    公开(公告)日：2008-05-29

    申请号：US11904060

    申请日：2007-09-25

    申请人： Peter Brick ,  Johann Luft ,  Martin Muller ,  Marc Philippens

    发明人： Peter Brick ,  Johann Luft ,  Martin Muller ,  Marc Philippens

    IPC分类号： H01S5/026

    CPC分类号： H01S5/4043 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4087

    摘要： An edge emitting semiconductor laser containing a plurality of monolithically integrated laser diodes (1, 2, 3). Each laser diode (1, 2, 3) contains an active zone (11, 12, 13), with the active zones (11, 12, 13) being in each case arranged between waveguide layers (6), the waveguide layers (6) in each case adjoining a cladding layer (7, 8) at a side remote from the active zone (11, 12, 13). The cladding layers (7, 8) comprise inner cladding layers (7), which are arranged above a bottommost active zone (11) and below a topmost active zone (13), and outer cladding layers (8) which are arranged below the bottommost active zone (11) or above the topmost active zone (13). The inner cladding layers (7) have a smaller thickness than the outer cladding layers (8).

    摘要翻译： 一种边缘发射半导体激光器，包含多个单片集成的激光二极管（1,2,3）。 每个激光二极管（1,2,3）包含有源区（11,12,13），其中有源区（11,12,13）各自布置在波导层（6）之间，波导层（6） ）在与活动区域（11,12,13）相邻的一侧邻接包层（7,8）。 包覆层（7,8）包括布置在最下面的活性区域（11）的上方并位于最上面的活性区域（13）的下方的内部包层（7），以及设置在最下面的外部包层 活动区域（11）或最上面的活动区域（13）之上。 内包层（7）具有比外包层（8）更小的厚度。

    Stacked semiconductor laser diode
    20.
    发明授权
    Stacked semiconductor laser diode 有权
    叠层半导体激光二极管

    公开(公告)号：US06956881B2

    公开(公告)日：2005-10-18

    申请号：US10432187

    申请日：2001-11-20

    申请人： Martin Behringer ,  Karl Ebeling ,  Thomas Knödl ,  Johann Luft

    发明人： Martin Behringer ,  Karl Ebeling ,  Thomas Knödl ,  Johann Luft

    IPC分类号： H01S5/32 ,  H01S5/40 ,  H01S3/10 ,  H01S3/14 ,  H01S5/00

    CPC分类号： H01S5/4043 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/4087

    摘要： The present invention relates to an arrangement of semiconductor diode lasers stacked on top of one another, which is arranged on a substrate (1). A first diode laser (12) is arranged on the substrate (1), and a second diode laser (13) is arranged on the first diode laser (12). Between the first diode laser (12) and the second diode laser (13) there is a contact layer (6). The contact layer (6) comprises a first conductive layer (18) of a first conduction type and a second conductive layer (20) of a second conduction type and an interlayer (19) which is arranged between the first and second conductive layers (18, 20).

    摘要翻译： 本发明涉及堆叠在彼此之上的半导体二极管激光器的布置，其布置在衬底（1）上。 第一二极管激光器（12）布置在衬底（1）上，并且第二二极管激光器（13）布置在第一二极管激光器（12）上。 在第一二极管激光器（12）和第二二极管激光器（13）之间存在接触层（6）。 接触层（6）包括布置在第一和第二导电层（18）之间的第一导电类型的第一导电层（18）和第二导电类型的第二导电层（20）和中间层（19） ，20）。