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    METHODS FOR ENHANCING LIGHT ABSORPTION DURING PV APPLICATIONS
    23.
    发明申请
    METHODS FOR ENHANCING LIGHT ABSORPTION DURING PV APPLICATIONS 有权
    在光伏应用中增强光吸收的方法

    公开(公告)号：US20110263068A1

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：US13087823

    申请日：2011-04-15

    申请人： KAUSHAL K. SINGH ,  Robert Visser ,  Vijay Parihar ,  Randhir P. S. Thakur

    发明人： KAUSHAL K. SINGH ,  Robert Visser ,  Vijay Parihar ,  Randhir P. S. Thakur

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/02366 ,  H01L31/055 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

    摘要： Embodiments of the invention generally relate to solar cell devices and methods for manufacturing such solar cell devices. In one embodiment, a method for forming a solar cell device includes depositing a conversion layer over a first surface of a substrate, depositing a first transparent conductive oxide layer over a second surface of the substrate that is opposite the first surface, depositing a first p-doped silicon layer over the first transparent conductive oxide layer, depositing a first intrinsic silicon layer over the first p-doped silicon layer, and depositing a first n-doped silicon layer over the first intrinsic silicon layer. The method further includes depositing a second transparent conductive oxide layer over the first n-doped silicon layer, and depositing an electrically conductive contact layer over the second transparent conductive oxide layer.

    摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于制造这种太阳能电池装置的太阳能电池装置和方法。 在一个实施例中，一种用于形成太阳能电池器件的方法包括在衬底的第一表面上沉积转换层，在衬底的与第一表面相对的第二表面上沉积第一透明导电氧化物层，沉积第一p 在第一透明导电氧化物层之上的掺杂硅层，在第一p掺杂硅层上沉积第一本征硅层，以及在第一本征硅层上沉积第一n掺杂硅层。 该方法还包括在第一n掺杂硅层上沉积第二透明导电氧化物层，以及在第二透明导电氧化物层上沉积导电接触层。

    SULFURIZATION OR SELENIZATION IN MOLTEN (LIQUID) STATE FOR THE PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS
    24.
    发明申请
    SULFURIZATION OR SELENIZATION IN MOLTEN (LIQUID) STATE FOR THE PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS 审中-公开
    用于光伏应用的液体（液体）状态的硫化或放电

    公开(公告)号：US20100255660A1

    公开(公告)日：2010-10-07

    申请号：US12755203

    申请日：2010-04-06

    申请人： Kaushal K. Singh ,  Ralf Hofmann ,  Nety M. Krishna

    发明人： Kaushal K. Singh ,  Ralf Hofmann ,  Nety M. Krishna

    IPC分类号： H01L21/363

    CPC分类号： H01L21/02568 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

    摘要： A method of forming a solar cell incorporating a compound semiconductor is provided. The compound semiconductor is generally of the “II/VI” variety, and is formed by depositing one or more group II elements in a vapor deposition process, and then contacting the deposited layer with a liquid bath of the group VI elements. The liquid bath may comprise a pure element or a mixture of elements. The contacting is performed under a non-reactive atmosphere, or vacuum, and any fugitive vapors may be captured by a cold trap and recycled. The substrate may be subsequently annealed to remove any excess of the group VI elements, which may be similarly recycled.

    摘要翻译： 提供一种形成包含化合物半导体的太阳能电池的方法。 化合物半导体通常为“II / VI”，并且通过在气相沉积工艺中沉积一个或多个II族元素，然后使沉积层与VI族元素的液槽接触而形成。 液体浴可以包含纯元素或元素的混合物。 接触在非反应性气氛或真空下进行，并且任何逸出的蒸气可能被冷阱捕获并再循环。 可以随后将基材退火以除去任何过量的可以类似地再循环的VI族元素。

    NANOCRYSTAL FORMATION
    26.
    发明申请
    NANOCRYSTAL FORMATION 审中-公开
    纳米结构

    公开(公告)号：US20080135914A1

    公开(公告)日：2008-06-12

    申请号：US11771778

    申请日：2007-06-29

    申请人： Nety M. Krishna ,  Ralf Hofmann ,  Kaushal K. Singh ,  Karl J. Armstrong

    发明人： Nety M. Krishna ,  Ralf Hofmann ,  Kaushal K. Singh ,  Karl J. Armstrong

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/788

    CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42332

    摘要： In one embodiment, a method for forming a metallic nanocrystalline material on a substrate is provided which includes exposing a substrate to a pretreatment process, forming a tunnel dielectric layer on the substrate, exposing the substrate to a post-treatment process, forming a metallic nanocrystalline layer on the tunnel dielectric layer, and forming a dielectric capping layer on the metallic nanocrystalline layer. The method further provides forming the metallic nanocrystalline layer having a nanocrystalline density of at least about 5×1012 cm−2, preferably, at least about 8×1012 cm−2. In one example, the metallic nanocrystalline layer contains platinum, ruthenium, or nickel. In another embodiment, a method for forming a multi-layered metallic nanocrystalline material on a substrate is provided which includes forming a plurality of bi-layers, wherein each bi-layer contains an intermediate dielectric layer deposited on a metallic nanocrystalline layer. Some of the examples include 10, 50, 100, 200, or more bi-layers.

    摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种在衬底上形成金属纳米晶体材料的方法，其包括将衬底暴露于预处理工艺，在衬底上形成隧道电介质层，将衬底暴露于后处理工艺，形成金属纳米晶体 并在所述金属纳米晶层上形成介电覆盖层。 该方法进一步提供形成金属纳米晶层，其纳米晶密度为至少约5×10 12 cm -2，优选至少约8×10 12 / > cm -2。 在一个实例中，金属纳米晶层包含铂，钌或镍。 在另一个实施例中，提供了一种在衬底上形成多层金属纳米晶体材料的方法，其包括形成多个双层，其中每个双层包含沉积在金属纳米晶层上的中间介电层。 一些示例包括10,50,100,200或更多的双层。

    Test system for ferroelectric materials and noble metal electrodes in semiconductor capacitors
    27.
    发明授权
    Test system for ferroelectric materials and noble metal electrodes in semiconductor capacitors 失效
    半导体电容器中铁电材料和贵金属电极的测试系统

    公开(公告)号：US06617178B1

    公开(公告)日：2003-09-09

    申请号：US10190402

    申请日：2002-07-02

    申请人： Sanjeev Aggarwal ,  Kaushal K. Singh

    发明人： Sanjeev Aggarwal ,  Kaushal K. Singh

    IPC分类号： H01L2100

    CPC分类号： H01L22/34 ,  G01N23/223 ,  G01N2223/076

    摘要： A method is provided for ferroelectric layer testing. An adhesion layer is deposited over a semiconductor substrate to be of a phase pure material lacking a first material. A lower electrode is deposited over the adhesion layer and a ferroelectric layer is deposited over the lower electrode. The ferroelectic layer contains the first material. The ferroelectric layer is x-rayed and the x-ray fluorescence from the ferroelectric layer is detected for characterizing the ferroelectric layer.

    摘要翻译： 提供了一种用于铁电层测试的方法。 粘附层沉积在半导体衬底上以成为缺乏第一材料的相纯物质。 下部电极沉积在粘合层上方，铁电层沉积在下电极上。 铁电层含有第一种材料。 铁电层被X射线检测，并且检测来自铁电层的x射线荧光以表征铁电层。

    Methods for enhancing light absorption during PV applications
    28.
    发明授权
    Methods for enhancing light absorption during PV applications 有权
    在PV应用中增强光吸收的方法

    公开(公告)号：US08822259B2

    公开(公告)日：2014-09-02

    申请号：US13087823

    申请日：2011-04-15

    申请人： Kaushal K. Singh ,  Robert Visser ,  Vijay Parihar ,  Randhir P. S. Thakur

    发明人： Kaushal K. Singh ,  Robert Visser ,  Vijay Parihar ,  Randhir P. S. Thakur

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/055 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0236

    CPC分类号： H01L31/02366 ,  H01L31/055 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

    摘要： Embodiments of the invention generally relate to solar cell devices and methods for manufacturing such solar cell devices. In one embodiment, a method for forming a solar cell device includes depositing a conversion layer over a first surface of a substrate, depositing a first transparent conductive oxide layer over a second surface of the substrate that is opposite the first surface, depositing a first p-doped silicon layer over the first transparent conductive oxide layer, depositing a first intrinsic silicon layer over the first p-doped silicon layer, and depositing a first n-doped silicon layer over the first intrinsic silicon layer. The method further includes depositing a second transparent conductive oxide layer over the first n-doped silicon layer, and depositing an electrically conductive contact layer over the second transparent conductive oxide layer.

    摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于制造这种太阳能电池装置的太阳能电池装置和方法。 在一个实施例中，一种用于形成太阳能电池器件的方法包括在衬底的第一表面上沉积转换层，在衬底的与第一表面相对的第二表面上沉积第一透明导电氧化物层，沉积第一p 在第一透明导电氧化物层之上的掺杂硅层，在第一p掺杂硅层上沉积第一本征硅层，以及在第一本征硅层上沉积第一n掺杂硅层。 该方法还包括在第一n掺杂硅层上沉积第二透明导电氧化物层，以及在第二透明导电氧化物层上沉积导电接触层。

    MATERIALS AND DEVICE STACK FOR MARKET VIABLE ELECTROCHROMIC DEVICES
    29.
    发明申请
    MATERIALS AND DEVICE STACK FOR MARKET VIABLE ELECTROCHROMIC DEVICES 有权
    市场上可见的电致发光器件的材料和器件堆叠

    公开(公告)号：US20120218621A1

    公开(公告)日：2012-08-30

    申请号：US13501994

    申请日：2010-10-22

    申请人： Byung Sung Leo Kwak ,  Kaushal K. Singh ,  Joseph G. Gordon, II ,  Omkaram Nalamasu

    发明人： Byung Sung Leo Kwak ,  Kaushal K. Singh ,  Joseph G. Gordon, II ,  Omkaram Nalamasu

    IPC分类号： G02F1/153 ,  C23C16/453 ,  H05H1/24

    CPC分类号： G02F1/1523 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1525 ,  G02F2202/06 ,  Y10S359/90

    摘要： The present invention generally relates to electrochromic (EC) devices, such as used in electrochromic windows (ECWs), and their manufacture. The EC devices may comprise a transparent substrate; a first transparent conductive layer; a doped coloration layer, wherein the coloration layer dopants provide structural stability to the arrangement of atoms in the coloration layer; an electrolyte layer; a doped anode layer over said electrolyte layer, wherein the anode layer dopant provides increased electrically conductivity in the doped anode layer; and a second transparent conductive layer. A method of fabricating an electrochromic device may comprise depositing on a substrate, in sequence, a first transparent conductive layer, a doped coloration layer, an electrolyte layer, a doped anode layer, and a second transparent conductive layer, wherein at least one of the doped coloration layer, the electrolyte layer and the doped anode layer is sputter deposited using a combinatorial plasma deposition process.

    摘要翻译： 本发明一般涉及电致变色（EC）装置，例如用于电致变色窗（ECW））及其制造。 EC装置可以包括透明基板; 第一透明导电层; 掺杂着色层，其中着色层掺杂剂为着色层中的原子排列提供结构稳定性; 电解质层; 在所述电解质层上的掺杂阳极层，其中所述阳极层掺杂剂在所述掺杂阳极层中提供增加的导电性; 和第二透明导电层。 制造电致变色器件的方法可以包括依次沉积在第一透明导电层，掺杂着色层，电解质层，掺杂阳极层和第二透明导电层的衬底上，其中至少一个 掺杂着色层，电解质层和掺杂阳极层使用组合等离子体沉积工艺溅射沉积。