公开(公告)号：US20090324475A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US11968546

申请日：2008-01-02

申请人： John Kouvetakis ,  I.S.T. Tsong ,  Levi Torrison ,  John Tolle

发明人： John Kouvetakis ,  I.S.T. Tsong ,  Levi Torrison ,  John Tolle

IPC分类号： C01B35/10 ,  C01B33/26

CPC分类号： H01L21/02145 ,  C01B21/0826 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/5805 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/465 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9653 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/38 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/3145 ,  H01L29/518

摘要： Novel superhard dielectric compounds useful as gate dielectrics in microelectronic devices have been discovered. Low temperature methods for making thin films of the compounds on substrate silicon are provided. The methods comprise the step of contacting a precursor having the formula H3X—O—XH3, wherein X is silicon or carbon with a compound comprising boron or nitrogen In a chemical vapor deposition (CVD) chamber or with one or more atomic elements in a molecular beam epitaxial deposition (MBE) chamber. These thin film constructs are useful as components of microelectronic devices, and specifically as gate dielectrics in CMOS devices.

摘要翻译： 已经发现了用作微电子器件中的栅极电介质的新型超硬电介质化合物。 提供了在基板硅上制备化合物薄膜的低温方法。 所述方法包括使具有式H3X-O-XH3的前体与其中X是硅或碳的化合物与包含硼或氮的化合物接触的步骤在化学气相沉积（CVD）室中或与分子中的一个或多个原子元素 光束外延沉积（MBE）室。 这些薄膜结构可用作微电子器件的组件，特别是CMOS器件中的栅极电介质。

公开(公告)号：US07374738B2

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：US10492271

申请日：2002-10-10

申请人： John Kouvetakis ,  Ignatius S. Tsong ,  Levi Torrison ,  John Tolle

发明人： John Kouvetakis ,  Ignatius S. Tsong ,  Levi Torrison ,  John Tolle

IPC分类号： C01B35/10 ,  C01B21/082 ,  C01B33/00

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C01B21/0826 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/5805 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/465 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9653 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/38 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/3145 ,  H01L29/518

摘要： Novel superhard dielectric compounds useful as gate dielectrics discovered. Low temperature methods for making thin films of the compounds on substrate silicon are provided. The methods comprise the step of contacting a precursor having the formula H3X—O—XH3, wherein X is silicon or carbon with a compound comprising boron or nitrogen in a chemical vapor deposition (CVD) chamber or with one or more atomic elements in a molecular beam epitaxial deposition (MBE) chamber. These thin film constructs are useful as components of microelectronic devices, and specifically as gate dielectrics in CMOS devices.

摘要翻译： 发现了用作栅极电介质的新型超硬电介质化合物。 提供了在基板硅上制备化合物薄膜的低温方法。 该方法包括使具有式H 3 XO-XH 3 N的前体与其中X是硅或碳的化合物与化学气体中含有硼或氮的化合物接触的步骤 沉积（CVD）室或在分子束外延沉积（MBE）室中的一个或多个原子元素。 这些薄膜结构可用作微电子器件的组件，特别是CMOS器件中的栅极电介质。

公开(公告)号：US20060163612A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US10559979

申请日：2004-06-14

申请人： John Kouvetakis ,  Matthew Bauer

发明人： John Kouvetakis ,  Matthew Bauer

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L31/028 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  Y02E10/547 ,  Y10S148/169 ,  Y10S438/936

摘要： A novel method for synthesizing device-quality alloys and ordered phases in a Si—Ge—Sn system uses a UHV-CVD process and reactions of SnD4 with SiH3GeH3. Using the method, single-phase SixSnyGe1-x-y semiconductors (x≦0.25, y≦0.11) are grown on Si via Ge1-xSnx buffer layers The Ge1-xSnx buffer layers facilitate heteroepitaxial growth of the SixSnyGe1-x-y, films and act as compliant templates that can conform structurally and absorb the differential strain imposed by the more rigid Si and Si—Ge—Sn materials. The SiH3GeH3 species was prepared using a new and high yield method that provided high purity semiconductor grade material.

摘要翻译： 在Si-Ge-Sn系统中合成器件质量合金和有序相的新方法使用UHV-CVD工艺，并且SnD <4> 与SiH 3 GeH SUB> 3 。 使用该方法，生长单相Si x 1 Sn y y Ge 1-xy x半导体（x <= 0.25，y <= 0.11） 在Si上通过Ge 1-x Sn Sn x缓冲层。Ge 1-x Sn 3 x缓冲层有利于异质外延 膜的生长，并且作为可以在结构上符合并吸收由 更硬的Si和Si-Ge-Sn材料。 使用提供高纯度半导体级材料的新的高产率法制备SiH 3 GeH 3 N 3种类。

公开(公告)号：US08043980B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12594250

申请日：2008-04-02

申请人： John Kouvetakis ,  Jesse Tice ,  Yan-Yan Fang

发明人： John Kouvetakis ,  Jesse Tice ,  Yan-Yan Fang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C01B33/08 ,  C01B33/107 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  Y10S438/933

摘要： The invention provides compounds of, and methods for the preparation of compounds of, the molecular formula, SixGeyHz—aXa; wherein X is halogen, and x, y, z, and a are defined herein, and methods for the deposition of high-Ge content Si films on silicon substrates using compounds of the invention.

摘要翻译： 本发明提供了分子式为SixGeyHz-aXa的化合物及其制备方法。 其中X是卤素，x，y，z和a在本文中定义，以及使用本发明的化合物在硅衬底上沉积高Ge含量的Si膜的方法。

公开(公告)号：US20110062496A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12946485

申请日：2010-11-15

申请人： John Kouvetakis ,  Yan-Yan Fang

发明人： John Kouvetakis ,  Yan-Yan Fang

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0262 ,  Y10S438/933

摘要： The present disclosure describes methods for preparing semiconductor structures, comprising forming a Ge layer on a semiconductor substrate using an admixture of (a) (GeH3)2CH2 and Ge2H6; (b) GeH3CH3 and Ge2H6; or (c) (GeH3)2CH2, GeH3CH3 and Ge2H6, wherein in all cases, Ge2H6 is in excess. The disclosure further provides semiconductor structures formed according to the methods of the invention as well as compositions comprising an admixture of (GeH3)2CH2 and/or GeH3CH3 and Ge2H6 in a ratio of between about 1:5 and 1:30. The methods herein provide, and the semiconductor structures provide, Ge layers formed on semiconductor substrates having threading dislocation density below 105/cm2 which can be useful in semiconductor devices.

摘要翻译： 本公开描述了制备半导体结构的方法，包括使用（a）（GeH 3）2 CH 2和Ge 2 H 6的混合物在半导体衬底上形成Ge层; （b）GeH 3 CH 3和Ge 2 H 6; 或（c）（GeH 3）2 CH 2，GeH 3 CH 3和Ge 2 H 6，其中在所有情况下，Ge 2 H 6过量。 本发明还提供了根据本发明方法形成的半导体结构以及包含（GeH 3）2 CH 2和/或GeH 3 CH 3和Ge 2 H 6的混合物的比例为约1:5至1:30的组合物。 本文提供的方法，并且半导体结构提供了在半导体衬底上形成的穿透位错密度低于105 / cm 2的Ge层，其可用于半导体器件。

公开(公告)号：US20080187768A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US11908143

申请日：2006-03-10

申请人： John Kouvetakis ,  Radek Roucka

发明人： John Kouvetakis ,  Radek Roucka

IPC分类号： B32B15/04 ,  C01B33/00

CPC分类号： C23C16/0272 ,  C23C16/301 ,  C23C16/42 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/101 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547

摘要： The present invention provides novel compounds of the formula Gei-x-ySixSny, wherein 0.01

摘要翻译： 本发明提供新的式Gei-x-ySixSny化合物，其中0.01

公开(公告)号：US5606056A

公开(公告)日：1997-02-25

申请号：US248407

申请日：1994-05-24

申请人： John Kouvetakis ,  Michael Todd

发明人： John Kouvetakis ,  Michael Todd

IPC分类号： C01B21/06 ,  C04B35/58 ,  C23C16/34 ,  C07D251/72 ,  B32B9/00

CPC分类号： C23C16/347 ,  C01B21/0605 ,  C04B35/58 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/03 ,  Y10T428/30

摘要： An extended solid bulk composition carbon nitride (C.sub.3 N.sub.4) having an atomic ratio of carbon to nitrogen in the range of 3:4 to 3.2:4 as a bulk solid, produced by thermal decomposition and chemical vapor deposition of precursors having formula (I):C.sub.3 N.sub.3 XX'N(MR.sub.3)(M'R'.sub.3) (I)wherein C3N3 is a cyclic 1,3,5-triazine group, X is a halogen selected from the group consisting of fluorine, chlorine, bromine, and iodine, X' is a halogen selected from the group consisting of fluorine, chlorine, bromine, and iodine, M is a group IV metal, M' is a group IV metal, R is an alkyl substituent, and R' is an alkyl substituent, producing a decomposition gas decomposition gas having formula II:XMR.sub.3 (II)

摘要翻译： 通过热分解和化学气相沉积具有式（I）的前体制备的作为大量固体的碳/氮原子比在3:4至3.2:4范围内的固体本体组合物碳氮化物（C 3 N 4）： C3N3XX'N（MR3）（M'R'3）（I）其中C3N3是环状1,3,5-三嗪基，X是选自氟，氯，溴和碘的卤素，X '是选自氟，氯，溴和碘的卤素，M是IV族金属，M'是Ⅳ族金属，R是烷基取代基，R'是烷基取代基，产生 具有式II的分解气体分解气体：XMR3（II）

公开(公告)号：US08518360B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13542987

申请日：2012-07-06

申请人： John Kouvetakis ,  Cole J. Ritter, III ,  Changwu Hu ,  Ignatius S. T. Tsong ,  Andrew Chizmeshya

发明人： John Kouvetakis ,  Cole J. Ritter, III ,  Changwu Hu ,  Ignatius S. T. Tsong ,  Andrew Chizmeshya

IPC分类号： C01B33/00 ,  C30B25/02

CPC分类号： C01B6/06 ,  C23C16/22 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： The present invention provides novel silicon-germanium hydride compounds, methods for their synthesis, methods for their deposition, and semiconductor structures made using the novel compounds.

摘要翻译： 本发明提供新的硅锗化合物，它们的合成方法，它们的沉积方法，以及使用这些新化合物制备的半导体结构。

公开(公告)号：US20100151666A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12594250

申请日：2008-04-02

申请人： John Kouvetakis ,  Jesse Tice ,  Yan-Yan Fang

发明人： John Kouvetakis ,  Jesse Tice ,  Yan-Yan Fang

IPC分类号： H01L21/20 ,  C01B33/08 ,  C23C16/06 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C01B33/08 ,  C01B33/107 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  Y10S438/933

摘要： The invention provides compounds of, and methods for the preparation of compounds of, the molecular formula, SixGeyHz—aXa; wherein X is halogen, and x, y, z, and a are defined herein, and methods for the deposition of high-Ge content Si films on silicon substrates using compounds of the invention.

摘要翻译： 本发明提供了分子式为SixGeyHz-aXa的化合物及其制备方法。 其中X是卤素，x，y，z和a在本文中定义，以及使用本发明的化合物在硅衬底上沉积高Ge含量的Si膜的方法。

公开(公告)号：US08524582B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13407195

申请日：2012-02-28

申请人： John Kouvetakis ,  Cole J. Ritter, III

发明人： John Kouvetakis ,  Cole J. Ritter, III

IPC分类号： C01B33/00 ,  C30B25/02

CPC分类号： C01B6/06 ,  C23C16/22 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/261 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663

摘要： The present invention provides novel silicon-germanium hydride compounds, methods for their synthesis, methods for their deposition, and semiconductor structures made using the novel compounds.