公开(公告)号：US06630201B2

公开(公告)日：2003-10-07

申请号：US09999636

申请日：2001-10-24

申请人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser ,  Jeffrey A. Brown ,  Jason E. Babcoke

发明人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser ,  Jeffrey A. Brown ,  Jason E. Babcoke

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/515 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

摘要： A method for conducting an ALD process to deposit layers on a substrate which includes an electrostatic chuck (ESC) to retain the substrate. Electrode(s) in the chuck assembly are used to induce a voltage on the substrate to promote precursor adsorption on the substrate.

摘要翻译： 一种用于进行ALD处理以在包括静电卡盘（ESC）的基板上沉积层以保持基板的方法。 卡盘组件中的电极用于在衬底上引起电压以促进衬底上的前体吸附。

公开(公告)号：US20110017139A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12895635

申请日：2010-09-30

申请人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser

发明人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser

IPC分类号： C23C16/503 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/466 ,  C23C16/481 ,  C23C16/483 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76838

摘要： The present invention relates to an enhanced sequential atomic layer deposition (ALD) technique suitable for deposition of barrier layers, adhesion layers, seed layers, low dielectric constant (low-k) films, high dielectric constant (high-k) films, and other conductive, semi-conductive, and non-conductive films. This is accomplished by 1) providing a non-thermal or non-pyrolytic means of triggering the deposition reaction; 2) providing a means of depositing a purer film of higher density at lower temperatures; and, 3) providing a faster and more efficient means of modulating the deposition sequence and hence the overall process rate resulting in an improved deposition method.

摘要翻译： 本发明涉及适用于阻挡层，粘附层，种子层，低介电常数（低k）膜，高介电常数（高k）膜等的沉积的增强的顺序原子层沉积（ALD）技术 导电，半导电和非导电膜。 这通过以下方式实现：1）提供触发沉积反应的非热或非热解方法; 2）提供在较低温度下沉积更高密度的较纯膜的方法; 和3）提供更快和更有效的调节沉积顺序的手段，并因此提供总体处理速率，从而产生改进的沉积方法。

公开(公告)号：US07806983B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US10921604

申请日：2004-08-18

申请人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser ,  Jeffrey A. Brown ,  Jason E. Babcoke

发明人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser ,  Jeffrey A. Brown ,  Jason E. Babcoke

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23C16/00 ,  C23C14/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/515 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76843 ,  Y10T279/23

摘要： A deposition system includes a process chamber for conducting an ALD process to deposit layers on a substrate. An electrostatic chuck (ESC) retains the substrate. A backside gas increases thermal coupling between the substrate and the ESC. The ESC is cooled via a coolant flowing through a coolant plate and heated via a resistive heater. Various arrangements are disclosed.

摘要翻译： 沉积系统包括用于进行ALD工艺以在衬底上沉积层的处理室。 静电吸盘（ESC）保持基板。 背面气体增加了基板和ESC之间的热耦合。 ESC通过冷却剂流经冷却剂冷却并通过电阻加热器加热。 公开了各种布置。

公开(公告)号：US07348042B2

公开(公告)日：2008-03-25

申请号：US10137855

申请日：2002-05-03

申请人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser

发明人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser

IPC分类号： C23C8/00 ,  B05D3/00 ,  B05D3/02 ,  C23C16/00 ,  C23C16/48 ,  H05H1/20 ,  H05H1/22 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/45538 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  C23C16/483

摘要： The present invention relates to an enhanced sequential atomic layer deposition (ALD) technique suitable for deposition of barrier layers, adhesion layers, seed layers, low dielectric constant (low-k) films, high dielectric constant (high-k) films, and other conductive, semi-conductive, and non-conductive films. This is accomplished by 1) providing a non-thermal or non-pyrolytic means of triggering the deposition reaction; 2) providing a means of depositing a purer film of higher density at lower temperatures; and, 3) providing a faster and more efficient means of modulating the deposition sequence and hence the overall process rate resulting in an improved deposition method.

摘要翻译： 本发明涉及适用于阻挡层，粘附层，种子层，低介电常数（低k）膜，高介电常数（高k）膜等的沉积的增强的顺序原子层沉积（ALD）技术 导电，半导电和非导电膜。 这通过以下方式实现：1）提供触发沉积反应的非热或非热解方法; 2）提供在较低温度下沉积更高密度的较纯膜的方法; 和3）提供更快和更有效的调节沉积顺序的手段，并因此提供总体处理速率，从而产生改进的沉积方法。

公开(公告)号：US07189432B2

公开(公告)日：2007-03-13

申请号：US10027592

申请日：2001-12-19

申请人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser ,  Jeffrey A. Brown ,  Jason E. Babcoke

发明人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser ,  Jeffrey A. Brown ,  Jason E. Babcoke

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/515 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

摘要： A deposition system includes a process chamber for conducting an ALD process to deposit layers on a substrate. In one embodiment, instead of varying the gas flux on a substrate in the chamber by controlling the flow of gas upstream of the process chamber, the gas flux on the substrate is controlled by controlling the conductance between the process chamber and a lower pressure volume outside the process chamber. The flux of the gas on the substrate varies inversely with the chamber conductance, such that the flux of the gas on the substrate increases when the conductance decreases. Various methods of performing an ALD process by controlling the conductance are disclosed as well as various structures for controlling the conductance.

摘要翻译： 沉积系统包括用于进行ALD工艺以在衬底上沉积层的处理室。 在一个实施例中，通过控制处理室上游的气体流而不是改变腔室中的衬底上的气体通量，通过控制处理室和外部较低压力体积之间的电导来控制衬底上的气体通量 处理室。 衬底上的气体通量与室电导反向变化，使得当电导降低时，衬底上气体的通量增加。 公开了通过控制电导进行ALD处理的各种方法以及用于控制电导的各种结构。

公开(公告)号：US06878402B2

公开(公告)日：2005-04-12

申请号：US09854092

申请日：2001-05-10

申请人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser

发明人： Tony P. Chiang ,  Karl F. Leeser

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/08 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/466 ,  C23C16/481 ,  C23C16/483 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838

摘要： A system and method for that allows one part of an atomic layer deposition (ALD) process sequence to occur at a first temperature while allowing another part of the ALD process sequence to occur at a second temperature. In such a fashion, the first temperature can be chosen to be lower such that decomposition or desorption of the adsorbed first reactant does not occur, and the second temperature can be chosen to be higher such that comparably greater deposition rate and film purity can be achieved. Additionally, the invention relates to improved temperature control in ALD to switch between these two thermal states in rapid succession. It is emphasized that this abstract is provided to comply with rules requiring an abstract. It is submitted with the understanding that it will not be used to interpret or limit the scope or meaning of the claims.

摘要翻译： 一种用于其的原子层沉积（ALD）工艺序列的一部分在第一温度下发生并且允许另一部分ALD工艺序列在第二温度下发生的系统和方法。 以这种方式，可以选择第一温度较低，使得不会发生吸附的第一反应物的分解或解吸，并且可以选择第二温度更高，使得可以实现相当大的沉积速率和膜纯度 。 此外，本发明涉及ALD中改进的温度控制以快速连续地在这两个热状态之间切换。 强调提供这个摘要是为了符合要求摘要的规则。 提交它的理解是，它不会用于解释或限制权利要求的范围或含义。