公开(公告)号：US07928553B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12848612

申请日：2010-08-02

申请人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L23/22 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device and method is disclosed. In one embodiment, a method includes providing an electrically insulating substrate. A first electrically conductive layer is applied over the electrically insulating substrate. A first semiconductor chip is placed over the first electrically conductive layer. The first semiconductor chip comprises a first electrode on a first main surface and a second electrode on a second main surface. An electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the electrically insulating layer. A through connection is provided in the electrically insulating layer to couple the first electrically conductive layer to the second electrically conductive layer.

摘要翻译： 公开了一种电子设备和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供电绝缘基板。 将第一导电层施加在电绝缘基板上。 第一半导体芯片放置在第一导电层上。 第一半导体芯片包括第一主表面上的第一电极和第二主表面上的第二电极。 电绝缘层施加在第一导电层上。 在电绝缘层上施加第二导电层。 在电绝缘层中提供通孔连接以将第一导电层耦合到第二导电层。

公开(公告)号：US20100295171A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12848612

申请日：2010-08-02

申请人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device and method is disclosed. In one embodiment, a method includes providing an electrically insulating substrate. A first electrically conductive layer is applied over the electrically insulating substrate. A first semiconductor chip is placed over the first electrically conductive layer. An electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the electrically insulating layer.

摘要翻译： 公开了一种电子设备和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供电绝缘基板。 将第一导电层施加在电绝缘基板上。 第一半导体芯片放置在第一导电层上。 电绝缘层施加在第一导电层上。 在电绝缘层上施加第二导电层。

公开(公告)号：US07569920B2

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：US11382594

申请日：2006-05-10

申请人： Ralf Otremba ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L31/111 ,  H01L23/495 ,  H01L23/02 ,  H01L23/34 ,  H05K3/34 ,  H05K1/11

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： An electronic component includes a vertical semiconductor power transistor and a further semiconductor device arranged on the transistor to form a stack. The first vertical semiconductor power transistor has a semiconductor body having a first side and a second side and device structures, at least one first electrode positioned on the first side and at least one second electrode positioned on the second side. The semiconductor body further has at least one electrically conductive via. The via extends from the first side to the second side of the semiconductor body and is galvanically isolated from the device structures of the semiconductor body and from the first electrode and the second electrode.

摘要翻译： 电子部件包括垂直半导体功率晶体管和布置在晶体管上形成堆叠的另外的半导体器件。 第一垂直半导体功率晶体管具有半导体本体，其具有第一侧和第二侧以及器件结构，至少一个位于第一侧的第一电极和位于第二侧的至少一个第二电极。 半导体本体还具有至少一个导电通孔。 通孔从半导体本体的第一侧延伸到第二侧，并且与半导体本体的器件结构以及与第一电极和第二电极电气隔离。

公开(公告)号：US20080146010A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11619350

申请日：2007-01-03

申请人： Khalil Hosseini ,  Alexander Koenigsberger ,  Ralf Otremba ,  Klaus Schiess

发明人： Khalil Hosseini ,  Alexander Koenigsberger ,  Ralf Otremba ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L24/84 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor component (1) has a semiconductor chip (5) and a semiconductor component carrier (3) with external connection strips (12, 13, 15). The semiconductor chip (5) has a first electrode (6) and a control electrode (7) on its top side (8) and a second electrode (9) on its rear side (10). The semiconductor chip (5) is fixed by its top side (8) in flip-chip arrangement (11) on a first and a second external connection strip (12, 13) for the first electrode (6) and the control electrode (7). The second electrode (9) is electrically connected to at least one third external connection strip (15) via a bonding tape (14).

摘要翻译： 半导体部件（1）具有半导体芯片（5）和具有外部连接条（12,13,15）的半导体部件载体（3）。 半导体芯片（5）在其顶侧（8）上具有第一电极（6）和控制电极（7），在其后侧具有第二电极（9）。 半导体芯片（5）在第一和第二外部连接条（12,13）上用倒装芯片布置（11）的顶侧（8）固定，用于第一电极（6）和控制电极（7） ）。 第二电极（9）经由粘合带（14）电连接到至少一个第三外部连接条（15）。

公开(公告)号：US07799614B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11962883

申请日：2007-12-21

申请人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/34 ,  H05K7/12

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device and method is disclosed. In one embodiment, a method includes providing an electrically insulating substrate. A first electrically conductive layer is applied over the electrically insulating substrate. A first semiconductor chip is placed over the first electrically conductive layer. An electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the electrically insulating layer. A through connection is formed in the electrically insulating layer to couple the second electrically conductive layer to the first electrically conductive layer.

摘要翻译： 公开了一种电子设备和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供电绝缘基板。 将第一导电层施加在电绝缘基板上。 第一半导体芯片放置在第一导电层上。 电绝缘层施加在第一导电层上。 在电绝缘层上施加第二导电层。 在电绝缘层中形成直通连接，以将第二导电层耦合到第一导电层。

公开(公告)号：US07759777B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11735762

申请日：2007-04-16

申请人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Klaus Schiess ,  Charlie Tan Tien Lai

发明人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Klaus Schiess ,  Charlie Tan Tien Lai

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L23/142 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83

摘要： A module having a semiconductor chip with a first contact element on a first main surface and a second contact element on a second main surface is disclosed. The semiconductor chip is arranged on a carrier. An insulating layer and a wiring layer cover the second main surface and the carrier.

摘要翻译： 公开了一种具有在第一主表面上具有第一接触元件的半导体芯片和在第二主表面上的第二接触元件的模块。 半导体芯片布置在载体上。 绝缘层和布线层覆盖第二主表面和载体。

公开(公告)号：US07728415B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11955710

申请日：2007-12-13

申请人： Khalil Hosseini ,  Alexander Koenigsberger ,  Ralf Otremba ,  Joachim Mahler ,  Xaver Schloegel ,  Klaus Schiess

发明人： Khalil Hosseini ,  Alexander Koenigsberger ,  Ralf Otremba ,  Joachim Mahler ,  Xaver Schloegel ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： A power semiconductor component stack, using lead technology with surface-mountable external contacts, includes at least two MOSFET power semiconductor components each having a top side and an underside. The underside includes: a drain external contact area, a source external contact area and a gate external contact area. The top side includes at least one source external contact area and a gate external contact area. The gate external contact areas on the top side and the underside are electrically connected to one another. The power semiconductor component stack is a series circuit or a parallel circuit of MOSFET power semiconductor components arranged one above another in a plastic housing composition.

摘要翻译： 使用具有表面可安装外部触点的引线技术的功率半导体元件堆叠包括至少两个MOSFET功率半导体元件，每个MOSFET功率半导体元件具有顶侧和下侧。 下侧包括：漏极外部接触区域，源极外部接触区域和栅极外部接触区域。 顶侧包括至少一个源极外部接触区域和栅极外部接触区域。 上侧和下侧的栅极外部接触区域彼此电连接。 功率半导体元件堆叠是在塑料外壳组合物中一个在另一个之上布置的MOSFET功率半导体元件的串联电路或并联电路。

公开(公告)号：US20090236749A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12050552

申请日：2008-03-18

申请人： Ralf Otremba ,  Henrik Ewe ,  Klaus Schiess ,  Manfred Mengel

发明人： Ralf Otremba ,  Henrik Ewe ,  Klaus Schiess ,  Manfred Mengel

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： One aspect is a method including providing a carrier having a first conducting layer, a first insulating layer over the first conducting layer, and at least one through-connection from a first face of the first insulating layer to a second face of the first insulating layer; attaching at least two semiconductor chips to the carrier; applying a second insulating layer over the carrier; opening the second insulating layer until the carrier is exposed; depositing a metal layer over the opened second insulating layer; and separating the at least two semiconductor chips after depositing the metal layer.

摘要翻译： 一个方面是一种方法，包括提供具有第一导电层，第一导电层上的第一绝缘层和从第一绝缘层的第一面到第一绝缘层的第二面的至少一个通孔的载体 ; 将至少两个半导体芯片附接到所述载体上; 在载体上施加第二绝缘层; 打开第二绝缘层，直到载体露出; 在所述打开的第二绝缘层上沉积金属层; 以及在沉积所述金属层之后分离所述至少两个半导体芯片。

公开(公告)号：US20090227071A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12403035

申请日：2009-03-12

申请人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Klaus Schiess ,  Charlle Tan Tien Lai

发明人： Ralf Otremba ,  Xaver Schloegel ,  Klaus Schiess ,  Charlle Tan Tien Lai

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L23/142 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83

摘要： A module having a semiconductor chip with a first contact element on a first main surface and a second contact element on a second main surface is disclosed. The semiconductor chip is arranged on a carrier. An insulating layer and a wiring layer cover the second main surface and the carrier.

摘要翻译： 公开了一种具有在第一主表面上具有第一接触元件的半导体芯片和在第二主表面上的第二接触元件的模块。 半导体芯片布置在载体上。 绝缘层和布线层覆盖第二主表面和载体。

公开(公告)号：US20090160046A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US11962883

申请日：2007-12-21

申请人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device and method is disclosed. In one embodiment, a method includes providing an electrically insulating substrate. A first electrically conductive layer is applied over the electrically insulating substrate. A first semiconductor chip is placed over the first electrically conductive layer. An electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the electrically insulating layer.

摘要翻译： 公开了一种电子设备和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供电绝缘基板。 将第一导电层施加在电绝缘基板上。 第一半导体芯片放置在第一导电层上。 电绝缘层施加在第一导电层上。 在电绝缘层上施加第二导电层。