公开(公告)号：US20110175090A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US13072910

申请日：2011-03-28

申请人： Toshinori Sugihara ,  Hideo Ohno ,  Masashi Kawasaki

发明人： Toshinori Sugihara ,  Hideo Ohno ,  Masashi Kawasaki

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969

摘要： In a thin film transistor, a gate insulating layer is formed on a gate electrode formed on an insulating substrate. Formed on the gate insulating layer is a semiconductor layer. Formed on the semiconductor layer are a source electrode and a drain electrode. A protective layer covers them, so that the semiconductor layer is blocked from an atmosphere. The semiconductor layer (active layer) is made of, e.g., a semiconductor containing polycrystalline ZnO to which, e.g., a group V element is added. This allows practical use of a semiconductor device which has an active layer made of zinc oxide and which includes an protective layer for blocking the active layer from an atmosphere.

摘要翻译： 在薄膜晶体管中，在绝缘基板上形成的栅电极上形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成半导体层。 形成在半导体层上的是源电极和漏电极。 保护层覆盖它们，使得半导体层被阻挡在大气中。 半导体层（有源层）由例如含有例如V族元素的多晶ZnO的半导体构成。 这允许实际使用具有由氧化锌制成的有源层的半导体器件，并且其包括用于从大气阻挡有源层的保护层。

公开(公告)号：US20100230671A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12680406

申请日：2008-09-26

申请人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/18 ,  H01L33/28

摘要： Provided are a ZnO-based semiconductor capable of alleviating the self-compensation effect and of achieving easier conversion into p-type, and a ZnO-based semiconductor device. The ZnO-based semiconductor includes a nitrogen-doped MgXZn1-XO (0

摘要翻译： 提供能够减轻自补偿效果并且实现更容易转化为p型的ZnO基半导体以及ZnO类半导体器件。 ZnO基半导体包括氮掺杂的MgXZn1-XO（0

公开(公告)号：US07741637B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US12308064

申请日：2007-06-08

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

摘要： Provided is a ZnO-based semiconductor device capable of growing a flat ZnO-based semiconductor layer on an MgZnO substrate having a main surface on the lamination side oriented in a c-axis direction. ZnO-based semiconductor layers 2 to 6 are epitaxially grown on an MgxZn1-xO (0≦x

摘要翻译： 提供一种ZnO基半导体器件，其能够在层叠侧的主表面在c轴方向上取向的MgZnO基板上生长平坦的ZnO基半导体层。 在具有+ C面（0001）的作为主表面的至少在m轴方向上倾斜的MgxZn1-xO（0＆lt; nlE; x <1）衬底1上外延生长ZnO基半导体层2至6。 在ZnO系半导体层5上形成p电极8，在Mg x Zn 1-x O基板1的下侧形成n电极9.由此，能够在m轴方向上规则排列的工序形成在 MgxZn1-xO基板1的表面，以及称为步骤聚束的现象。 因此，可以提高层叠在基板1上的半导体层的膜的平坦度。

公开(公告)号：US20100102309A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12525537

申请日：2008-02-04

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki ,  Tomoteru Fukumura ,  Masaki Nakano

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki ,  Tomoteru Fukumura ,  Masaki Nakano

IPC分类号： H01L29/221

CPC分类号： H01L29/22 ,  H01L29/045 ,  H01L29/225 ,  H01L29/402 ,  H01L29/43 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L31/0296 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/4233 ,  Y02E10/549

摘要： To solve the foregoing problems, provided is a ZnO-based semiconductor element having an entirely novel function distinct from hitherto, using a ZnO-based semiconductor and organic matter for an active role. An organic electrode 2 is formed on a ZnO-based semiconductor 1, and an Au film 3 is formed on the organic electrode 2. An electrode formed of a multilayer metal film including a Ti film 4 and an Au film 5 is formed on the back surface of the ZnO-based semiconductor 1 so as to be opposed to the organic electrode 2. A bonding interface between the organic electrode 2 and the ZnO-based semiconductor 1 is in a pn junction-like state. Thus, rectification occurs therebetween.

摘要翻译： 为了解决上述问题，提供了使用ZnO类半导体和有机物作为主动作用的具有与迄今不同的全新功能的ZnO类半导体元件。 在ZnO类半导体1上形成有机电极2，在有机电极2上形成Au膜3.在背面形成由包含Ti膜4和Au膜5的多层金属膜形成的电极 ZnO基半导体1的表面与有机电极2相对。有机电极2和ZnO系半导体1之间的接合界面处于pn结状态。 因此，在它们之间发生整流。

公开(公告)号：US07633723B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US10569089

申请日：2004-06-04

申请人： Yoshinori Tokura ,  Masashi Kawasaki ,  Hiroyuki Yamada ,  Yoshihiro Ogawa ,  Yoshio Kaneko

发明人： Yoshinori Tokura ,  Masashi Kawasaki ,  Hiroyuki Yamada ,  Yoshihiro Ogawa ,  Yoshio Kaneko

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11C11/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  G01R33/06 ,  G11B5/3903 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08

摘要： To provide a tunnel junction device having a high MR ratio even at room temperature, a tunneling film as a nonmagnetic layer of three-layer structure of LaMnO3/SrTiO3/LaMnO3 is arranged between a ferromagnetic metal material La0.6Sr0.4MnO3 (12) and a ferromagnetic metal film material La0.6Sr0.4MnO3 (14). The tunneling film comprises two unit layers of LaMnO3 (13A) arranged on the ferromagnetic metal material La0.6Sr0.4MnO3 (12); five unit layers of SrTiO3 (13B); and two unit layers of LaMnO3 (13C) arranged at the interface between the SrTiO3 (13B) and the ferromagnetic metal film material La0.6Sr0.4MnO3 (14).

摘要翻译： 为了提供即使在室温下也具有高MR比的隧道结装置，作为LaMnO 3 / SrTiO 3 / LaMnO 3的三层结构的非磁性层的隧道膜设置在强磁性金属材料La0.6Sr0.4MnO3（12）和 铁磁金属膜材料La0.6Sr0.4MnO3（14）。 隧道膜包括布置在强磁性金属材料La0.6Sr0.4MnO3（12）上的两个单位层的LaMnO3（13A）; 五个单位层的SrTiO3（13B）; 和布置在SrTiO 3（13B）和铁磁性金属膜材料La0.6Sr0.4MnO3（14）之间的界面处的LaMnO 3（13C）的两个单位层。

公开(公告)号：US20080245297A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US12078322

申请日：2008-03-28

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： B05C5/00

CPC分类号： C30B23/066 ,  C30B35/00

摘要： A container of a material supply apparatus is configured of a crucible and an orifice. The crucible has a cylindrical shape, a rectangular-column shape or the like, and is hollow. Heat sources such as heaters are disposed around the crucible. The orifice including an opening is provided on a side of the crucible in a material element supplying direction. The orifice includes a pipe portion that extends in the material element supplying direction. The opening is formed on a tip of the pipe portion. An opening area of the pipe portion is formed to become gradually narrower towards the material element supplying side, namely in a direction of the opening.

摘要翻译： 材料供给装置的容器由坩埚和孔构成。 坩埚具有圆柱形状，矩形柱状等，并且是中空的。 诸如加热器的热源设置在坩埚周围。 包括开口的孔口沿着材料元件供给方向设置在坩埚的一侧。 孔口包括在材料元件供给方向上延伸的管部分。 开口形成在管部的前端。 管部的开口部形成为朝向材料供给侧逐渐变窄，即开口方向。

公开(公告)号：US20070212572A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US10591246

申请日：2005-02-25

申请人： Yoshinori Tokura ,  Masashi Kawasaki ,  Hiroshi Akoh ,  Hiroyuki Yamada ,  Yuji Ishii ,  Hiroshi Sato ,  Yoshio Kaneko

发明人： Yoshinori Tokura ,  Masashi Kawasaki ,  Hiroshi Akoh ,  Hiroyuki Yamada ,  Yuji Ishii ,  Hiroshi Sato ,  Yoshio Kaneko

IPC分类号： H01L43/08

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  G11C11/16 ,  H01F1/407 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/205 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1114

摘要： A tunnel junction device capable of controlling its spin retention is provided. The tunnel junction device includes a La0.6Sr0.4MnO3-δ electrode (12), a La0.6Sr0.4Mn1-yRuyO3-δ electrode (14), both as ferromagnetic (including ferrimagnetic) metal materials, and a LaAlO3-δ (electrically insulating layer) (13) arranged between the two electrodes (12) and (14).

摘要翻译： 提供能够控制其自旋保留的隧道连接装置。 隧道结装置包括La 0.6 N 4 O 5 MnO 3-δ电极（12），La 0.6 N （14），均为铁磁性（包括（ⅲ）），（ⅲ） 铁氧体）金属材料和布置在两个电极（12）和（14）之间的LaAlO 3-δ（电绝缘层）（13）。

公开(公告)号：US20060014815A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US10531317

申请日：2003-10-22

申请人： Toshiaki Mase ,  Takehiko Iida ,  Masashi Kawasaki ,  Kenichi Asakawa

发明人： Toshiaki Mase ,  Takehiko Iida ,  Masashi Kawasaki ,  Kenichi Asakawa

IPC分类号： A61K31/415 ,  C07D231/14

CPC分类号： C07D231/38 ,  C07D401/04

摘要： This invention relates to a process for making pyrazole compounds of formula I.

摘要翻译： 本发明涉及制备式I的吡唑化合物的方法。

公开(公告)号：US06790836B2

公开(公告)日：2004-09-14

申请号：US10203088

申请日：2002-08-06

申请人： Shouichi Hiraga ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Akao ,  Asayuki Kamatani ,  Masayuki Hagiwara ,  Toshiaki Mase ,  Fumio Nakano

发明人： Shouichi Hiraga ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Akao ,  Asayuki Kamatani ,  Masayuki Hagiwara ,  Toshiaki Mase ,  Fumio Nakano

IPC分类号： A61K3170

CPC分类号： C07H15/252 ,  A61K31/7052 ,  C07H19/044 ,  C07H19/23 ,  Y02P20/55

摘要： A process for preparing indolopyrrolocarbazole derivatives [I] by trating a compound [V] with a base in an inert solvent to prepare a compound [IV], reacting the compound [IV] with a compound [III]to prepare a compound [II], and deblocking the compound [II]; intermediates [II], [III] and [IV]; and a process for preparing compounds [III]: [wherein Y1 is hydrogen, C1-4 alkyl, phenyl, benzyloxymethyl, or aralkyl; R1, R2, R3, R4, R5, and R6 are each independently a hydroxyl-protecting group; R7 and R8 are each independently hydrogen or a hydroxyl-protecting group; and X is an acid molecule]. The above process is a safe and easy industrial process for preparing indolopyrrolocarbazole derivatives [1] useful as antitumor agents.

摘要翻译： 通过在惰性溶剂中用碱处理化合物[Ⅴ]制备吲哚并吡咯咔唑衍生物[Ⅰ]的方法，以制备化合物[Ⅳ]，使化合物[Ⅳ]与化合物[Ⅲ]反应，制备化合物[Ⅱ] 并解封复合物[II]; 中间体[II]，[III]和[IV]; 和其中Y 1为氢，C 1-4烷基，苯基，苄氧基甲基或芳烷基的化合物[III]的制备方法： R 1，R 2，R 3，R 4，R 5和R 6各自独立地为羟基保护基; R 7和R 8各自独立地为氢或羟基保护基; X为酸分子]。 上述方法是制备用作抗肿瘤剂的吲哚并吡咯并唑衍生物[1]的安全和容易的工业方法。

公开(公告)号：US06727522B1

公开(公告)日：2004-04-27

申请号：US09850732

申请日：2001-06-06

申请人： Masashi Kawasaki ,  Hideo Ohno

发明人： Masashi Kawasaki ,  Hideo Ohno

IPC分类号： H01L3300

CPC分类号： H01S5/0261 ,  H01L27/15 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/28

摘要： A transistor is provided, which is entirely and partially transparent by the use of a transparent channel layer made of zinc oxide or the like. A channel layer 11 formed of a transparent semiconductor such as zinc oxide ZnO. A transparent electrode is used for all of a source 12, a drain 13 and a gate 14, or a part of them. As the transparent electrode, a transparent conductive material such as conductive ZnO doped with, for example, group III elements is used. As a gate insulating layer 15, a transparent insulative material such as insulative ZnO doped with elements capable of taking a valence of one as a valence number or group V elements is used. If a substrate 16 must be transparent, for example, glass, sapphire, plastic or the like can be used as a transparent material.

摘要翻译： 提供了通过使用由氧化锌等制成的透明沟道层而完全和部分透明的晶体管。 由诸如氧化锌ZnO的透明半导体形成的沟道层11。 一个透明电极用于所有的源12，漏极13和栅极14或其一部分。 作为透明电极，使用掺杂有例如III族元素的透明导电材料，例如导电ZnO。 作为栅极绝缘层15，使用透明绝缘材料，例如掺杂有能够以1价或1价V价元素为一价元素的绝缘性ZnO。 如果衬底16必须是透明的，例如可以使用玻璃，蓝宝石，塑料等作为透明材料。