公开(公告)号：US09348220B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：US13077943

申请日：2011-03-31

Applicant: Emad Aqad ,  Mingqi Li ,  Cheng-Bai Xu ,  Cong Liu

Inventor： Emad Aqad ,  Mingqi Li ,  Cheng-Bai Xu ,  Cong Liu

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C07C303/32 ,  C07C309/06 ,  C07C309/07 ,  C07C309/12 ,  C07C309/19 ,  C07D313/00 ,  C07D315/00 ,  C07D327/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C303/32 ,  C07C309/06 ,  C07C309/07 ,  C07C309/12 ,  C07C309/19 ,  C07D313/00 ,  C07D315/00 ,  C07D327/00 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

Abstract: New methods are provided for synthesis of photoacid generator compounds (“PAGs”), new photoacid generator compounds and photoresist compositions that comprise such PAG compounds. In a particular aspect, photoacid generators that comprise 1) a SO3− moiety; 2) one or more fluorinated carbons; and 3) one or more of the fluorinated carbons either directly or indirectly substituted by an ester keto group.

Abstract translation: 提供了新的方法用于合成光酸产生剂化合物（“PAG”），新的光酸产生剂化合物和包含这种PAG化合物的光致抗蚀剂组合物。 在特定方面，光酸产生剂包含1）SO 3部分; 2）一个或多个氟化碳; 和3）直接或间接被酯酮基取代的一个或多个氟化碳。

公开(公告)号：US09255079B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US12965368

申请日：2010-12-10

Applicant: Mingqi Li ,  Emad Aqad ,  Cong Liu ,  Joseph Mattia ,  Cheng-Bai Xu ,  George G. Barclay

Inventor： Mingqi Li ,  Emad Aqad ,  Cong Liu ,  Joseph Mattia ,  Cheng-Bai Xu ,  George G. Barclay

IPC: C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D337/04 ,  C07C303/32 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  G03F7/004 ,  C07C381/12 ,  C07D493/20 ,  C07J31/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C303/32 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  C07C321/30 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D337/04 ,  C07D493/20 ,  C07J31/006 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

Abstract: New methods are provided for synthesis of photoacid generator compounds (“PAGs”), new photoacid generator compounds and photoresist compositions that comprise such PAG compounds. In a particular aspect, sulfonium-containing (S+) photoacid generators and methods of synthesis of sulfonium photoacid generators are provided.

Abstract translation: 提供了新的方法用于合成光酸产生剂化合物（“PAG”），新的光酸产生剂化合物和包含这种PAG化合物的光致抗蚀剂组合物。 在特定方面，提供含锍（S +）光酸产生剂和合成锍光酸发生剂的方法。

公开(公告)号：US09156785B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13296949

申请日：2011-11-15

Applicant: Emad Aqad ,  Mingqi Li ,  Cheng-Bai Xu ,  Deyan Wang ,  Cong Liu ,  Joon Seok Oh ,  Shintaro Yamada

Inventor： Emad Aqad ,  Mingqi Li ,  Cheng-Bai Xu ,  Deyan Wang ,  Cong Liu ,  Joon Seok Oh ,  Shintaro Yamada

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/30 ,  C07C303/32 ,  C07C309/19 ,  C07C309/24 ,  C08F220/22 ,  C08F228/02 ,  C07C309/04 ,  C07C309/08 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  C07C309/20 ,  C07C309/23 ,  C07C381/12 ,  G03F7/38 ,  C07C63/72 ,  C07C309/17 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

CPC classification number: C07C381/12 ,  C07C63/72 ,  C07C303/32 ,  C07C309/04 ,  C07C309/06 ,  C07C309/08 ,  C07C309/12 ,  C07C309/17 ,  C07C309/19 ,  C07C309/20 ,  C07C309/23 ,  C07C309/24 ,  C07C2602/42 ,  C08F220/22 ,  C08F228/02 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38

Abstract: This invention relates to new photoacid generator compounds and photoresist compositions that comprise such compounds. In particular, the invention relates to photoacid generator compounds that comprise base-cleavable groups.

Abstract translation: 本发明涉及包含这些化合物的新的光酸产生剂化合物和光致抗蚀剂组合物。 特别地，本发明涉及包含可碱基裂解基团的光酸产生剂化合物。

公开(公告)号：US08975006B2

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：US12592155

申请日：2009-11-19

Applicant: Deyan Wang ,  Charles R. Szmanda ,  George G. Barclay ,  Cheng-Bai Xu

Inventor： Deyan Wang ,  Charles R. Szmanda ,  George G. Barclay ,  Cheng-Bai Xu

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038

CPC classification number: G03F7/038 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/2041

Abstract: New photoresist compositions are provided that are useful for immersion lithography. Preferred photoresist compositions of the invention comprise one or more block copolymers. Particularly preferred photoresists of the invention can exhibit reduced leaching of resist materials into an immersion fluid contacting the resist layer dining immersion lithography processing.

Abstract translation: 提供了可用于浸没式光刻的新的光致抗蚀剂组合物。 本发明优选的光致抗蚀剂组合物包含一种或多种嵌段共聚物。 本发明的特别优选的光致抗蚀剂可以将抗蚀剂材料的浸出性降低到与抗蚀剂层用餐浸渍光刻处理接触的浸渍流体中。

公开(公告)号：US20140065540A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US14076724

申请日：2013-11-11

Applicant: Deyan Wang ,  Chunyi Wu ,  Cong Liu ,  Gerhard Pohlers ,  Cheng-bai Xu ,  George G. Barclay

Inventor： Deyan Wang ,  Chunyi Wu ,  Cong Liu ,  Gerhard Pohlers ,  Cheng-bai Xu ,  George G. Barclay

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0397 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/32 ,  C08F220/34 ,  C08F220/36 ,  C08F220/38 ,  C08F220/58 ,  C08F226/06 ,  C08F2220/1833 ,  C08F2220/283 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/09 ,  G03F7/2041

Abstract: A polymer includes the polymerized product of monomers including a nitrogen-containing monomer comprising formula (Ia), formula (Ib), or a combination of formulas (Ia) and (Ib), and an acid-deprotectable monomer having the formula (II): wherein a, L1, LN, Ra, Rb, Rc, and X are defined herein. The polymer is a useful component of a photoresist composition.

Abstract translation: 聚合物包括包含式（Ia），式（Ib）或式（Ia）和（Ib）的组合的含氮单体的单体的聚合产物和具有式（II）的酸可脱保护的单体， ：其中a，L1，LN，Ra，Rb，Rc和X在本文中定义。 聚合物是光致抗蚀剂组合物的有用组分。

公开(公告)号：US20130244178A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13607728

申请日：2012-09-09

Applicant: Gregory P. Prokopowicz ,  Gerhard Pohlers ,  Cong Liu ,  Chunyi Wu ,  Cheng-Bai Xu ,  Joon Seok Oh

Inventor： Gregory P. Prokopowicz ,  Gerhard Pohlers ,  Cong Liu ,  Chunyi Wu ,  Cheng-Bai Xu ,  Joon Seok Oh

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/20

Abstract: New photoresist compositions are provided that comprise a component that comprises two or more amide groups. Preferred photoresists of the invention may comprise a resin with photoacid-labile groups; a photoacid generator compound; and a multi-amide component that can function to decrease undesired photogenrated-acid diffusion out of unexposed regions of a photoresist coating layer

Abstract translation: 提供新的光致抗蚀剂组合物，其包含包含两个或多个酰胺基团的组分。 本发明优选的光致抗蚀剂可以包含具有光酸不稳定基团的树脂; 光致酸发生剂化合物; 以及可以起到减少光致抗蚀剂涂层的未曝光区域中不期望的光致酸扩散的作用的多酰胺组分

公开(公告)号：US20130065178A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13602259

申请日：2012-09-03

Applicant: Deyan WANG ,  Cheng-Bai Xu ,  George G. Barclay

Inventor： Deyan WANG ,  Cheng-Bai Xu ,  George G. Barclay

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/2041 ,  C08F220/22 ,  C08F220/24 ,  C08F220/26 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0274

Abstract: New photoresist compositions are provided that are useful for immersion lithography. Preferred photoresist compositions of the invention comprises two or more distinct materials that can be substantially non-mixable with a resin component of the resist. Particularly preferred photoresists of the invention can exhibit reduced leaching of resist materials into an immersion fluid contacting the resist layer during immersion lithography processing.

公开(公告)号：US08257902B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12290980

申请日：2008-11-05

Applicant: Deyan Wang ,  Cheng-Bai Xu ,  George G. Barclay

Inventor： Deyan Wang ,  Cheng-Bai Xu ,  George G. Barclay

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/2041 ,  C08F220/22 ,  C08F220/24 ,  C08F220/26 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0274

Abstract: New photoresist compositions are provided that are useful for immersion lithography. Preferred photoresist compositions of the invention comprises two or more distinct materials that can be substantially non-mixable with a resin component of the resist. Particularly preferred photoresists of the invention can exhibit reduced leaching of resist materials into an immersion fluid contacting the resist layer during immersion lithography processing.

Abstract translation: 提供了可用于浸没式光刻的新的光致抗蚀剂组合物。 本发明优选的光致抗蚀剂组合物包含两种或多种不同的材料，其可以与抗蚀剂的树脂组分基本上不可混合。 本发明的特别优选的光致抗蚀剂可以在浸没光刻处理期间将抗蚀剂材料的浸出降低到与抗蚀剂层接触的浸没流体中。

公开(公告)号：US20120129104A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13297031

申请日：2011-11-15

Applicant: Emad AQAD ,  Mingqi Li ,  Cheng-Bai Xu ,  Cong Liu

Inventor： Emad AQAD ,  Mingqi Li ,  Cheng-Bai Xu ,  Cong Liu

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/027 ,  C07D493/08

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07D493/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397

Abstract: New lactone-containing photoacid generator compounds (“PAGs”) and photoresist compositions that comprise such PAG compounds are provided. These photoresist compositions are useful in the manufacture of electronic devices

Abstract translation: 提供了含有这种PAG化合物的新的含内酯的光酸产生剂化合物（“PAG”）和光致抗蚀剂组合物。 这些光致抗蚀剂组合物可用于制造电子器件

公开(公告)号：US20110255061A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US12966928

申请日：2010-12-13

Applicant: Deyan Wang ,  Jinrong Liu ,  Cong Liu ,  Doris Kang ,  Anthony Zampini ,  Cheng-Bai Xu

Inventor： Deyan Wang ,  Jinrong Liu ,  Cong Liu ,  Doris Kang ,  Anthony Zampini ,  Cheng-Bai Xu

IPC: G03B27/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/322

Abstract: New photoresist compositions are provided that are useful for immersion lithography. Preferred photoresist compositions of the invention comprise one or more materials that have base-reactive groups. Particularly preferred photoresists of the invention can exhibit reduced leaching of resist materials into an immersion fluid contacting the resist layer during immersion lithography processing.

Abstract translation: 提供了可用于浸没式光刻的新的光致抗蚀剂组合物。 本发明优选的光致抗蚀剂组合物包含一种或多种具有碱反应性基团的材料。 本发明的特别优选的光致抗蚀剂可以在浸没光刻处理期间将抗蚀剂材料的浸出降低到与抗蚀剂层接触的浸没流体中。