公开(公告)号：US4709353A

公开(公告)日：1987-11-24

申请号：US941840

申请日：1986-12-15

申请人： Katsuhiro Shimohigashi ,  Hiroo Masuda ,  Kunihiko Ikuzaki ,  Hiroshi Kawamoto

发明人： Katsuhiro Shimohigashi ,  Hiroo Masuda ,  Kunihiko Ikuzaki ,  Hiroshi Kawamoto

IPC分类号： G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097 ,  H01L23/522 ,  H01L27/108 ,  G11C11/40

CPC分类号： G11C11/4096 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4097 ,  H01L23/522 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011

摘要： A dynamic RAM integrated circuit of the one-element memory cell type is provided with a plurality of data lines, a sense amplifier, a plurality of word lines disposed in a manner to intersect with the data lines, and memory cells disposed at the points of intersection between the data lines and the word lines. The RAM includes a P-type semiconductor substrate and an N-type well region formed in the substrate. The memory cells are disposed within the well, and the sense amplifier, which is connected to the data lines, is constructed of a pair of N-channel MOSFETs formed in the semiconductor substrate and a pair of P-channel MOSFETs formed in the well region.

摘要翻译： 单元存储单元型的动态RAM集成电路设置有多条数据线，读出放大器，以与数据线相交的方式设置的多条字线，以及设置在数据线上的存储单元 数据线与字线之间的交点。 RAM包括P型半导体衬底和形成在衬底中的N型阱区。 存储单元设置在阱内，连接到数据线的读出放大器由形成在半导体衬底中的一对N沟道MOSFET和形成在阱区中的一对P沟道MOSFET构成 。

公开(公告)号：US4673632A

公开(公告)日：1987-06-16

申请号：US726441

申请日：1985-04-23

申请人： Hisashi Okamura ,  Hiroshi Kawamoto ,  Hisashi Shiraishi

发明人： Hisashi Okamura ,  Hiroshi Kawamoto ,  Hisashi Shiraishi

IPC分类号： C07D295/12 ,  C07C67/00 ,  C07C239/00 ,  C07C275/70 ,  C07C301/00 ,  C07C309/14 ,  C07C309/65 ,  C07D211/74 ,  C07D213/32 ,  C07D213/34 ,  C07D233/28 ,  C07D239/08 ,  C07D291/06 ,  C07D295/215 ,  C07D487/04 ,  C08L89/00 ,  G03C1/30 ,  C08F3/34 ,  C08H1/06 ,  C09H7/00

CPC分类号： C07D295/215 ,  C07C275/70 ,  C07D211/74 ,  G03C1/30

摘要： A hardening method for gelatin which comprises using as a hardening agent a compound represented by formula (I) ##STR1## wherein R.sup.1, R.sup.2, R.sup.3, and R.sup.4 each represents a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group; or two of said R.sup.1, R.sup.2, R.sup.3, and R.sup.4 are combined with each other to form a ring (1); or 3 or more of said R.sup.1, R.sup.2, R.sup.3 and R.sup.4 are combined with each other to form a condensed ring (2); X represents a group capable of being released when the compound shown by formula (I) reacts with a nucleophilic reagent; Y.sup..crclbar. represents an anion; or Y.sup..crclbar. is combined with one of X, R.sup.1, R.sup.2, R.sup.3, and R.sup.4, ring (1), or ring (2) to form an anionic portion of an intramolecular salt.

摘要翻译： 一种用于明胶的硬化方法，其包括使用由式（I）表示的化合物作为硬化剂，其中R1，R2，R3和R4各自表示取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基 取代或未取代的芳烷基或取代或未取代的芳基; 或所述R1，R2，R3和R4中的两个相互结合形成环（1）; 或所述R1，R2，R3和R4中的3个或更多个彼此组合以形成稠环（2）; 当式（I）所示的化合物与亲核试剂反应时，X表示能够释放的基团; Y（ - ）表示阴离子; 或Y（ - ）与X，R 1，R 2，R 3和R 4，环（1）或环（2）中的一个结合形成分子内盐的阴离子部分。

公开(公告)号：US4646267A

公开(公告)日：1987-02-24

申请号：US854502

申请日：1986-04-22

申请人： Katsuhiro Shimohigashi ,  Hiroo Masuda ,  Kunihiko Ikuzaki ,  Hiroshi Kawamoto

发明人： Katsuhiro Shimohigashi ,  Hiroo Masuda ,  Kunihiko Ikuzaki ,  Hiroshi Kawamoto

IPC分类号： G11C11/419 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  G11C11/40 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097 ,  H01L23/522 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10S148/164

摘要： A dynamic RAM integrated circuit of the one-element memory cell type is provided with a plurality of data lines, a sense amplifier, a plurality of word lines disposed in a manner to intersect with the data lines, and memory cells disposed at the points of intersection between the data lines and the word lines. The RAM includes a P-type semiconductor substrate and an N-type well region formed in the substrate. The memory cells are disposed within the well, and the sense amplifier, which is connected to the date lines, is constructed of a pair of N-channel MOSFETS formed in the semiconductor substrate and a pair of P-channel MOSFETs formed in the well region.

摘要翻译： 单元存储单元型的动态RAM集成电路设置有多条数据线，读出放大器，以与数据线相交的方式设置的多条字线，以及设置在数据线上的存储单元 数据线与字线之间的交点。 RAM包括P型半导体衬底和形成在衬底中的N型阱区。 存储单元设置在阱内，并且连接到日期线的读出放大器由形成在半导体衬底中的一对N沟道MOSFET形成，并且在阱区中形成一对P沟道MOSFET 。

公开(公告)号：US4472792A

公开(公告)日：1984-09-18

申请号：US377958

申请日：1982-05-13

申请人： Katsuhiro Shimohigashi ,  Hiroo Masuda ,  Kunihiko Ikuzaki ,  Hiroshi Kawamoto

发明人： Katsuhiro Shimohigashi ,  Hiroo Masuda ,  Kunihiko Ikuzaki ,  Hiroshi Kawamoto

IPC分类号： G11C11/419 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097 ,  H01L23/522 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10S148/164

摘要： A dynamic RAM integrated circuit of the one-element memory cell type is provided with a plurality of data lines, a sense amplifier, a plurality of word lines disposed in a manner to intersect with the data lines, and memory cells disposed at the points of intersection between the data lines and the word lines. The RAM includes a P-type semiconductor substrate and an N-type well region formed in the substrate. The memory cells are disposed within the well, and the sense amplifier, which is connected to the data lines, is constructed of a pair of N-channel MOSFETs formed in the semiconductor substrate and a pair of P-channel MOSFETs formed in the well region.

摘要翻译： 单元存储单元型的动态RAM集成电路设置有多条数据线，读出放大器，以与数据线相交的方式设置的多条字线，以及设置在数据线上的存储单元 数据线与字线之间的交点。 RAM包括P型半导体衬底和形成在衬底中的N型阱区。 存储单元设置在阱内，连接到数据线的读出放大器由形成在半导体衬底中的一对N沟道MOSFET和形成在阱区中的一对P沟道MOSFET构成 。

公开(公告)号：US09080127B2

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：US13380616

申请日：2010-06-23

申请人： Ken Kawata ,  Saisuke Watanabe ,  Hiroshi Kawamoto

发明人： Ken Kawata ,  Saisuke Watanabe ,  Hiroshi Kawamoto

IPC分类号： B01D19/04 ,  F16C33/20 ,  C07C69/34 ,  C07C69/74 ,  C07C315/00 ,  C10M145/26 ,  C10M159/18 ,  C07C69/40 ,  C07C271/22 ,  C07C307/02 ,  C07C309/70 ,  C07C311/04 ,  C07C229/16 ,  C07C229/38 ,  C07C233/18

CPC分类号： C10M145/26 ,  C07C69/40 ,  C07C229/16 ,  C07C229/38 ,  C07C233/18 ,  C07C271/22 ,  C07C307/02 ,  C07C309/70 ,  C07C311/04 ,  C10M159/18 ,  C10M2201/02 ,  C10M2203/10 ,  C10M2203/1025 ,  C10M2205/0265 ,  C10M2205/028 ,  C10M2207/021 ,  C10M2207/022 ,  C10M2207/026 ,  C10M2207/044 ,  C10M2207/2825 ,  C10M2207/283 ,  C10M2209/103 ,  C10M2209/104 ,  C10M2219/00 ,  C10M2219/068 ,  C10M2223/00 ,  C10M2223/045 ,  C10M2227/09 ,  C10M2229/02 ,  C10N2220/022 ,  C10N2220/04 ,  C10N2230/02 ,  C10N2230/06 ,  C10N2240/02 ,  C10N2240/10 ,  C10N2240/401 ,  C10N2240/58 ,  C10N2250/10 ,  C10N2210/02 ,  C10N2210/06

摘要： A composition comprising at least one compound represented by the following formula (Z) is disclose. A-L-{D1-(E)q-D2-(B)m—Z1—R}p  (Z) In the formula, A represents a p-valent, linear or cyclic residue; L represents a single bond or a divalent linking group; p indicates an integer of at least 2; D1 represents a carbonyl group (—C(═O)—) or a sulfonyl group (—S(═O)2—); D2 represents a carbonyl group (—C(═O)—), a sulfonyl group (—S(═O)2—), a carboxyl group (—C(═O)O—), a sulfoxyl group (—S(═O)2O—), a carbamoyl group (—C(═O)N(Alk)-), or a sulfamoyl group (—S(═O)2N(Alk)-); E represents a divalent group; R represents a hydrogen atom, or a substituted or unsubstituted alkyl group having at most 7 carbon atoms; B represents oxyethylene group or the like; Z1 represents a single bond, or a divalent group.

摘要翻译： 公开了包含至少一种由下式（Z）表示的化合物的组合物。 A-L- {D1-（E）q-D2-（B）m-Z1-R} p（Z）在该式中，A表示p价，线性或环状残基; L表示单键或二价连接基团; p表示至少2的整数; D1表示羰基（-C（= O） - ）或磺酰基（-S（= O）2-））。 D2表示羰基（-C（= O） - ），磺酰基（-S（= O）2-），羧基（-C（= O）O-），亚硫酰基（-S （O）2 O - ），氨基甲酰基（-C（= O）N（Alk） - ）或氨磺酰基（-S（= O）2 N（Alk） E表示二价基团; R代表氢原子或具有至多7个碳原子的取代或未取代的烷基; B表示氧乙烯基等; Z1表示单键或二价基团。

公开(公告)号：US20110319396A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13142005

申请日：2010-01-19

申请人： Masanori Asai ,  Tasuku Haketa ,  Seiichi Inamura ,  Makoto Ishikawa ,  Hideki Jona ,  Hiroshi Kawamoto ,  Hideki Kurihara ,  Jun Shibata ,  Tadashi Shimamura ,  Takuya Suga ,  Hitomi Watanabe

发明人： Masanori Asai ,  Tasuku Haketa ,  Seiichi Inamura ,  Makoto Ishikawa ,  Hideki Jona ,  Hiroshi Kawamoto ,  Hideki Kurihara ,  Jun Shibata ,  Tadashi Shimamura ,  Takuya Suga ,  Hitomi Watanabe

IPC分类号： A61K31/5513 ,  C07D401/12 ,  C07D417/12 ,  A61P3/04 ,  C07D409/12 ,  A61P3/06 ,  A61P3/10 ,  C07D243/14 ,  C07D403/12

CPC分类号： C07D243/12 ,  A61K31/551 ,  C07D401/12 ,  C07D403/12 ,  C07D409/12 ,  C07D413/12 ,  C07D417/12

摘要： The present invention relates to a compound represented by the formula (I): wherein R1 represents a hydrogen atom or the like; R2 represents lower alkyl or the like; R3 and R4 represent lower alkyl or the like; R5 represents phenyl or the like; R6 represents a hydrogen atom or the like; m is an integer of from 0 to 2; p is an integer of from 1 to 4; and q is an integer of from 1 to 5, or a pharmaceutical acceptable salt thereof, and a DGAT 1 inhibitor comprising the compound.

摘要翻译： 本发明涉及由式（I）表示的化合物：其中R1表示氢原子等; R2代表低级烷基等; R3和R4表示低级烷基等; R5表示苯基等; R6表示氢原子等; m为0〜2的整数; p是1至4的整数; 和q为1〜5的整数，或其药学上可接受的盐和包含该化合物的DGAT 1抑制剂。

公开(公告)号：US20110231944A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13062439

申请日：2009-09-04

申请人： Hiroshi Watarai ,  Tomokatsu Ikawa ,  Fumihiko Ishikawa ,  Hiroshi Kawamoto ,  Haruhiko Koseki ,  Masaru Taniguchi

发明人： Hiroshi Watarai ,  Tomokatsu Ikawa ,  Fumihiko Ishikawa ,  Hiroshi Kawamoto ,  Haruhiko Koseki ,  Masaru Taniguchi

IPC分类号： A01K67/027 ,  C12N5/071 ,  C12N5/10 ,  C12P21/08 ,  C12N15/00

CPC分类号： C12N5/0696 ,  A01K2267/01 ,  C12N15/8775 ,  C12N2501/2302 ,  C12N2501/235 ,  C12N2501/602 ,  C12N2501/603 ,  C12N2501/604 ,  C12N2501/606 ,  C12N2506/11 ,  C12N2510/00

摘要： Provided are a B cell-derived iPS cell generated using a convenient technique, a technology for providing a human antibody at low cost using the iPS cell, an immunologically humanized mouse prepared using cells differentiated from the iPS cell, and the like. Also provided are a cloned cell obtained by contacting a B cell with nuclear reprogramming factors excluding C/EBPα and Pax5 expression inhibiting substances, particularly nucleic acids that encode Oct3/4, Sox2, Klf4 and c-Myc, wherein the cloned cell has an immunoglobulin gene rearranged therein and possesses pluripotency and replication competence (B-iPS cell). Still also provided are a method of producing a monoclonal antibody against a specified antigen, comprising recovering an antibody from a culture of B cells obtained by differentiating a B-iPS cell derived from a B cell immunized with the specified antigen, and a method of generating an immunologically humanized mouse, comprising transplanting to an immunodeficient mouse a human immunohematological system cell obtained by differentiating a B-iPS cell.

摘要翻译： 提供了使用方便的技术产生的B细胞衍生的iPS细胞，使用iPS细胞以低成本提供人抗体的技术，使用从iPS细胞分化的细胞制备的免疫人源化小鼠等的技术。 还提供了通过使B细胞与不包括C /EBPα和Pax5表达抑制物质，特别是编码Oct3 / 4，Sox2，Klf4和c-Myc的核酸的核重编程因子接触获得的克隆细胞，其中克隆的细胞具有免疫球蛋白 基因重排并具有多能性和复制能力（B-iPS细胞）。 还提供了针对特定抗原产生单克隆抗体的方法，包括从通过分化来源于用特定抗原免疫的B细胞的B-iPS细胞获得的B细胞的培养物中回收抗体，以及产生 一种免疫人源化的小鼠，包括将免疫缺陷小鼠移植到通过分化B-iPS细胞获得的人免疫血液学系统细胞中。

公开(公告)号：US20110160208A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US13041848

申请日：2011-03-07

申请人： Yukari Hirata ,  Satoru Ito ,  Hiroshi Kawamoto ,  Toshifumi Kimura ,  Yasushi Nagatomi ,  Hisashi Ohta ,  Akio Sato ,  Atsushi Satoh ,  Gentaroh Suzuki

发明人： Yukari Hirata ,  Satoru Ito ,  Hiroshi Kawamoto ,  Toshifumi Kimura ,  Yasushi Nagatomi ,  Hisashi Ohta ,  Akio Sato ,  Atsushi Satoh ,  Gentaroh Suzuki

IPC分类号： A61K31/4709 ,  C07D401/10 ,  C07D249/06 ,  A61K31/4192 ,  C07D417/10 ,  A61K31/428 ,  C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  A61K31/497 ,  C07D471/04 ,  A61K31/444 ,  C07D491/052 ,  A61K31/4725 ,  C07D401/04 ,  A61K31/4439 ,  C07D413/14 ,  A61K31/5377 ,  C07D401/14 ,  A61K31/517 ,  C07D487/04 ,  A61P25/08 ,  A61P25/04 ,  A61P29/00 ,  A61P25/00 ,  A61P9/10 ,  A61P25/18 ,  A61P25/22 ,  A61P25/30 ,  A61P25/16 ,  A61P1/00

CPC分类号： C07D471/04 ,  C07D249/06 ,  C07D401/04 ,  C07D401/14 ,  C07D403/04 ,  C07D405/14 ,  C07D409/14 ,  C07D417/14 ,  C07D491/04 ,  C07D513/04

摘要： The present invention provides the compounds represented by formula (I): or pharmaceutical salts thereof, wherein: X1 represents oxygen atoms and the like, X2 represents nitrogen atoms and the like, X3 represents nitrogen atoms and the like, X4 represents nitrogen atoms and the like, R1 represents formula (II-1): wherein X5 represents sulfur atoms and the like, A1 represents carbon atoms and the like, A2 represents nitrogen atoms and the like and A ring represents phenyl group and the like, having mGluR1 inhibiting effect, and being useful for preventing or treating convulsion, acute pain, inflammatory pain, chronic pain, brain disorder such as cerebral infarction or transient ischemick attack, psychotic disorder such as schizophrenia, anxiety, drug dependence, Parkinson's disease, or gastrointestinal disorder.

摘要翻译： 本发明提供由式（I）表示的化合物或其药用盐，其中：X1表示氧原子等，X2表示氮原子等，X3表示氮原子等，X4表示氮原子， R 1表示式（II-1）：其中X 5表示硫原子等，A 1表示碳原子等，A 2表示氮原子等，A表示具有mGluR1抑制作用的苯基等， 并且可用于预防或治疗惊厥，急性疼痛，炎性疼痛，慢性疼痛，脑梗塞如脑梗塞或短暂性脑缺血发作，精神病如精神分裂症，焦虑症，药物依赖性，帕金森病或胃肠道疾病。

公开(公告)号：US20110067734A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12845371

申请日：2010-07-28

申请人： Yoshihiro OGAWA ,  Hajime Onoda ,  Hiroshi Kawamoto

发明人： Yoshihiro OGAWA ,  Hajime Onoda ,  Hiroshi Kawamoto

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： H01L21/67028 ,  B08B3/022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057

摘要： A method of cleaning a semiconductor substrate includes cleaning a semiconductor substrate with a cleaning liquid, rinsing the semiconductor substrate with rinse water after the semiconductor substrate has been cleaned, and drying the semiconductor substrate after the semiconductor substrate has been rinsed. A temperature of the rinse water is set to 70° C. or above in the rinsing, and the rinse water is set so as to be acidic.

摘要翻译： 清洗半导体衬底的方法包括用清洗液清洗半导体衬底，在半导体衬底被清洁之后用冲洗水冲洗半导体衬底，以及在半导体衬底被冲洗之后干燥半导体衬底。 冲洗水的温度在漂洗中设定为70℃以上，冲洗水设定为酸性。

公开(公告)号：US20110015181A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12920916

申请日：2009-03-04

申请人： Makoto Ando ,  Hirokatsu Ito ,  Minoru Kameda ,  Hiroshi Kawamoto ,  Kensuke Kobayashi ,  Hiroshi Miyazoe ,  Chisato Nakama ,  Nagaaki Sato ,  Toshiaki Tsujino

发明人： Makoto Ando ,  Hirokatsu Ito ,  Minoru Kameda ,  Hiroshi Kawamoto ,  Kensuke Kobayashi ,  Hiroshi Miyazoe ,  Chisato Nakama ,  Nagaaki Sato ,  Toshiaki Tsujino

IPC分类号： A61K31/55 ,  C07D498/04 ,  A61K31/5386 ,  C07D401/14 ,  A61K31/4545 ,  C07D417/14 ,  A61K31/541 ,  C07D413/14 ,  A61K31/5377 ,  A61K31/439 ,  A61P3/00

CPC分类号： C07D417/14 ,  C07D401/12 ,  C07D401/14 ,  C07D413/12 ,  C07D413/14 ,  C07D451/02 ,  C07D498/08

摘要： The present invention relates to a compound that is useful for treatment of, for example, hypertension, arteriosclerosis, bulimia and obesity because of having an antagonistic action to a neuropeptide Y receptor and is represented by formula (I) [wherein R1 represents hydrogen, cyano, or the like; R represents a group represented by formula (II); X1 represents C1-4 lower alkylene or the like; X2 represents lower alkylene or the like; and Het represents a 5-membered heteroaromatic ring that has at least one nitrogen atom and, in addition, one or two hetero atoms selected from the group consisting of nitrogen, sulfur and oxygen atoms] or to a pharmaceutically acceptable salt thereof.

摘要翻译： 本发明涉及由于对神经肽Y受体具有拮抗作用而由式（I）表示的化合物，其可用于治疗例如高血压，动脉硬化，贪食症和肥胖症[其中R1表示氢，氰基 ，等等; R表示由式（II）表示的基团。 X1表示C1-4低级亚烷基等; X2表示低级亚烷基等; Het表示具有至少一个氮原子，另外还有一个或两个选自氮，硫和氧原子的杂原子的5元杂芳环]或其药学上可接受的盐。