公开(公告)号：US08114525B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12151842

申请日：2008-05-08

申请人： Nianci Han ,  Li Xu ,  Hong Shih ,  Yang Zhang ,  Danny Lu ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Nianci Han ,  Li Xu ,  Hong Shih ,  Yang Zhang ,  Danny Lu ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  B01J19/02 ,  B05C11/00

CPC分类号： C25D3/54 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4411 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  C23C28/36 ,  C23C28/42 ,  C23C30/00 ,  C23C30/005 ,  C25D3/44 ,  C25D3/56 ,  C25D5/18 ,  C25D5/50 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/67115 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/12667 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12778 ,  Y10T428/12806

摘要： A component capable of being exposed to a plasma in a process chamber has a structure having an electroplated coating comprising yttrium-containing species. The electroplated coating can include zirconium oxide, or can have an oxide layer thereon. In another embodiment the electroplated coating comprises a first species and is coated with a second electroplated coating comprising a second species that is different from the first species. The electroplated coating is resistant to corrosion in the plasma. In another embodiment, the electroplated coating has an interface having a thickness with a first concentration gradient of an yttrium-containing species and a second concentration gradient of a second species. An electroplated coating having a layer comprising first and second concentration gradients of first and second metals can be formed by varying the concentration of the first and second metal electrolyte species in the electroplating bath to electroplate the coating.

摘要翻译： 能够在处理室中暴露于等离子体的组分具有包含含钇物质的电镀涂层的结构。 电镀涂层可以包括氧化锆，或者可以在其上具有氧化物层。 在另一个实施方案中，电镀涂层包括第一种，并涂覆有包含与第一种不同的第二物质的第二电镀涂层。 电镀涂层耐等离子体腐蚀。 在另一个实施方案中，电镀涂层具有具有包含钇的物质的第一浓度梯度和第二种类的第二浓度梯度的厚度的界面。 具有包含第一和第二金属的第一和第二浓度梯度的层的电镀涂层可以通过改变电镀浴中的第一和第二金属电解质种类的浓度以电镀该涂层来形成。

公开(公告)号：US08080479B2

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：US11733858

申请日：2007-04-11

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831

摘要： A method of processing a workpiece in a plasma reactor chamber includes coupling RF power via an electrode to plasma in the chamber, the RF power being of a variable frequency in a frequency range that includes a fundamental frequency f. The method also includes coupling the electrode to a resonator having a resonant VHF frequency F which is a harmonic of the fundamental frequency f, so as to produce VHF power at the harmonic. The method controls the ratio of power near the fundamental f to power at harmonic F, by controlling the proportion of power from the generator that is up-converted from f to F, so as to control plasma ion density distribution.

摘要翻译： 在等离子体反应器室中处理工件的方法包括经由电极将RF功率耦合到腔室中的等离子体，RF功率在包括基频f的频率范围内是可变频率的。 该方法还包括将电极耦合到具有作为基频f的谐波的谐振VHF频率F的谐振器，以便在谐波处产生VHF功率。 该方法通过控制从f向F转换为F的发电机的功率比例来控制基波f附近的功率与谐波F功率的比值，以便控制等离子体离子密度分布。

公开(公告)号：US08016948B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12284540

申请日：2008-09-22

申请人： Xikun Wang ,  Li Xu ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Xikun Wang ,  Li Xu ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： B08B3/04

CPC分类号： C30B35/00 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C14/00 ,  C23C16/4404 ,  C23C28/042 ,  Y10S134/902 ,  Y10T428/26

摘要： Disclosed herein is a cleaning method useful in removing contaminants from a surface of a coating which comprises an oxide or fluoride of a Group III B metal. Typically the coating overlies an aluminum substrate which is present as part of a semiconductor processing apparatus. The coating typically comprises an oxide or a fluoride of Y, Sc, La, Ce, Eu, Dy, or the like, or yttrium-aluminum-garnet (YAG). The coating may further comprise about 20 volume % or less of Al2O3.

摘要翻译： 本文公开了一种可用于从包含IIIBB族金属的氧化物或氟化物的涂层表面除去污染物的清洁方法。 通常，涂层覆盖作为半导体处理装置的一部分存在的铝基板。 涂层通常包含Y，Sc，La，Ce，Eu，Dy等的氧化物或氟化物，或钇 - 铝 - 石榴石（YAG）。 涂层可以进一步包含约20体积％或更少的Al 2 O 3。

公开(公告)号：US20100156054A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12640496

申请日：2009-12-17

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Senh Thach ,  Ren-Guan Duan

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Senh Thach ,  Ren-Guan Duan

IPC分类号： H01L21/683 ,  C09J5/06 ,  C08L83/06 ,  H02N13/00

CPC分类号： H01L21/6833 ,  C08K3/22 ,  C08K3/28 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2003/282 ,  C09D183/04 ,  C09J11/04 ,  C09J183/04 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23 ,  Y10T279/34

摘要： Methods and apparatus for bonding an electrostatic chuck to a component of a substrate support are provided herein. In some embodiments, an adhesive for bonding components of a substrate support may include a matrix of silicon-based polymeric material having a filler dispersed therein. The silicon based polymeric material may be a polydimethylsiloxane (PDMS) structure having a molecular weight with a low molecular weight (LMW) content Σ D3-D10 of less than about 500 ppm. In some embodiments, the filler may comprise between about 50 to about 70 percent by volume of the adhesive layer. In some embodiments, the filler may comprise particles of aluminum oxide (Al2O3), aluminum nitride (AlN), yttrium oxide (Y2O3), or combinations thereof. In some embodiments, the filler may comprise particles having a diameter of about 10 nanometers to about 10 microns.

摘要翻译： 本文提供了用于将静电卡盘结合到基板支撑件的部件的方法和装置。 在一些实施例中，用于粘合基底支撑件的部件的粘合剂可以包括其中分散有填料的硅基聚合物材料的基体。 硅基聚合物材料可以是具有低分子量（LMW）含量＆Sgr的分子量的聚二甲基硅氧烷（PDMS）结构。 D3-D10小于约500ppm。 在一些实施方案中，填料可以占粘合剂层的约50至约70体积％。 在一些实施例中，填料可以包括氧化铝（Al 2 O 3），氮化铝（AlN），氧化钇（Y 2 O 3）或其组合的颗粒。 在一些实施方案中，填料可以包含直径为约10纳米至约10微米的颗粒。

公开(公告)号：US20100140222A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12632712

申请日：2009-12-07

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach ,  Li Xu

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach ,  Li Xu

IPC分类号： C08K3/10 ,  C08K3/16 ,  C08K3/28 ,  C08K3/08 ,  C08K3/34 ,  C08K3/22 ,  B32B7/12 ,  C23F1/02 ,  C23F1/08

CPC分类号： C09K3/10 ,  Y10T428/2857

摘要： A filled polymer composition having improved plasma resistance is disclosed. The composition includes a particle filler dispersed in a polymer matrix. The particle filler can be Nb2O5, YF3, AlN, SiC or Si3N4 and rare earth oxides. In an embodiment, the composition is utilized as a bonding adhesive for electrostatic chuck, bonding adhesive for shower head, bonding adhesive for liner, sealing material, O-ring, or plastic component.

摘要翻译： 公开了具有改善的等离子体电阻的填充聚合物组合物。 该组合物包括分散在聚合物基质中的颗粒填料。 颗粒填料可以是Nb2O5，YF3，AlN，SiC或Si3N4和稀土氧化物。 在一个实施方案中，组合物用作静电卡盘的粘合剂，用于喷头的粘合剂，衬垫的粘合剂，密封材料，O形环或塑料组分。

公开(公告)号：US07718559B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11738030

申请日：2007-04-20

申请人： Jie Yuan ,  Jennifer Y. Sun ,  Renguan Duan

发明人： Jie Yuan ,  Jennifer Y. Sun ,  Renguan Duan

IPC分类号： C03C3/06 ,  C03C3/04

CPC分类号： C03C3/06 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/36 ,  C03C2203/54 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  Y02P40/57 ,  Y10S156/915

摘要： A method of fabricating doped quartz component is provided herein. In one embodiment, the doped quartz component is a yttrium doped quartz ring configured to support a substrate. In another embodiment, the doped quartz component is a yttrium and aluminum doped cover ring. In yet another embodiment, the doped quartz component is a yttrium, aluminum and nitrogen containing cover ring.

摘要翻译： 本文提供了一种制造掺杂石英组分的方法。 在一个实施例中，掺杂的石英组件是被配置为支撑衬底的掺钇的石英环。 在另一个实施例中，掺杂的石英组件是掺钇和铝的覆盖环。 在另一个实施方案中，掺杂的石英组分是含钇，铝和氮的覆盖环。

公开(公告)号：US07473152B1

公开(公告)日：2009-01-06

申请号：US10768806

申请日：2004-01-30

申请人： Paul N. Ludwig ,  Theodore S. Fahlen ,  Shinji Kanagawa ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Paul N. Ludwig ,  Theodore S. Fahlen ,  Shinji Kanagawa ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： H01J9/00

CPC分类号： H01J9/261 ,  H01J2211/48 ,  H01J2329/867 ,  H01J2329/8675

摘要： A flat-panel display is hermetically sealed by a process in which a first plate structure (30) is positioned generally opposite a second plate structure (32) such that sealing material (34) provided over the second plate structure lies between the plate structures. In a gravitational sealing technique, the first plate structure is positioned vertically below the second plate structure. The sealing material is heated so that it moves vertically downward under gravitational influence to meet the first plate structure and seal the plate structures together. In a global-heating gap-jumping technique, the plate structures and sealing material are globally heated to cause the sealing material to jump a gap between the sealing material and the first plate structure. When the first plate structure is positioned vertically above the second plate structure, the sealing material moves vertically upward to meet the first plate structure and close the gap.

摘要翻译： 平板显示器通过其中第一板结构（30）大致相对于第二板结构（32）定位的过程而气密地密封，使得设置在第二板结构上方的密封材料（34）位于板结构之间。 在重力密封技术中，第一板结构位于第二板结构的垂直下方。 密封材料被加热，使得其在重力作用下垂直向下移动以满足第一板结构并将板结构密封在一起。 在全局加热间隙跳跃技术中，板结构和密封材料被全局加热，使得密封材料在密封材料和第一板结构之间跳跃间隙。 当第一板结构垂直地位于第二板结构上方时，密封材料垂直向上移动以满足第一板结构并闭合间隙。

公开(公告)号：US20080264564A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US11796210

申请日：2007-04-27

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： C04B35/48 ,  H01L21/3065

CPC分类号： C04B35/505 ,  B32B18/00 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9669 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32504 ,  Y10T428/31678

摘要： A ceramic article useful in semiconductor processing, which is resistant to erosion by halogen-containing plasmas. The ceramic article is formed from a combination of yttrium oxide and zirconium oxide. In a first embodiment, the ceramic article includes ceramic which is formed from yttrium oxide at a molar concentration ranging from about 90 mole % to about 70 mole %, and zirconium oxide at a molar concentration ranging from about 10 mole % to about 30 mole %. In a second embodiment, the ceramic article includes ceramic which is formed from zirconium oxide at a molar concentration ranging from about 96 mole % to about 94 mole %, and yttrium oxide at a molar concentration ranging from about 4 mole % to about 6 mole %.

摘要翻译： 用于半导体加工的陶瓷制品，其耐受含卤素等离子体的侵蚀。 陶瓷制品由氧化钇和氧化锆的组合形成。 在第一个实施方案中，陶瓷制品包括由摩尔浓度为约90摩尔％至约70摩尔％的氧化钇形成的陶瓷，摩尔浓度为约10摩尔％至约30摩尔％的氧化锆， 。 在第二个实施方案中，陶瓷制品包括由摩尔浓度为约96摩尔％至约94摩尔％的氧化锆形成的陶瓷，摩尔浓度为约4摩尔％至约6摩尔％的氧化钇 。

公开(公告)号：US20080182418A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11733858

申请日：2007-04-11

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831

摘要： A method of processing a workpiece in a plasma reactor chamber includes coupling RF power via an electrode to plasma in the chamber, the RF power being of a variable frequency in a frequency range that includes a fundamental frequency f. The method also includes coupling the electrode to a resonator having a resonant VHF frequency F which is a harmonic of the fundamental frequency f, so as to produce VHF power at the harmonic. The method controls the ratio of power near the fundamental f to power at harmonic F, by controlling the proportion of power from the generator that is up-converted from f to F, so as to control plasma ion density distribution.

摘要翻译： 在等离子体反应器室中处理工件的方法包括经由电极将RF功率耦合到腔室中的等离子体，RF功率在包括基频f的频率范围内是可变频率的。 该方法还包括将电极耦合到具有作为基频f的谐波的谐振VHF频率F的谐振器，以便在谐波处产生VHF功率。 该方法通过控制从f向F转换为F的发电机的功率比例来控制基波f附近的功率与谐波F功率的比值，以便控制等离子体离子密度分布。

公开(公告)号：US20080182417A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11733767

申请日：2007-04-11

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831

摘要： In a plasma reactor chamber a ceiling electrode and a workpiece support electrode, respective RF power sources of respective VHF frequencies f1 and f2 are coupled to either respective ones of the electrodes or to a common one of the electrodes, where f1 is sufficiently high to produce a center-high non-uniform plasma ion distribution and f2 is sufficiently low to produce a center-low non-uniform plasma ion distribution. Respective center ground return paths are provided for RF current passing directly between the ceiling electrode and the workpiece support electrode for the frequencies f1 and f2, and an edge ground return path is provided for each of the frequencies f1 and f2. The impedance of at least one of the ground return paths is adjusted so as to control the uniformity of the plasma ion density distribution.

摘要翻译： 在等离子体反应器室中，天花板电极和工件支撑电极，各个VHF频率f1和f2的相应RF功率源耦合到电极中的相应电极或共同的一个电极，其中f1足够高以产生 中心高的不均匀等离子体离子分布和f2足够低以产生中心 - 低不均匀的等离子体离子分布。 提供各自的中心接地返回路径用于频率f1和f2直接通过天花板电极和工件支撑电极之间的RF电流，并为每个频率f1和f2提供边缘接地返回路径。 调整至少一个接地返回路径的阻抗，以便控制等离子体离子密度分布的均匀性。