公开(公告)号：US08581204B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13235088

申请日：2011-09-16

申请人： Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang ,  Nai-Han Cheng ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang ,  Nai-Han Cheng ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G01T1/16

CPC分类号： H01L22/10 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/265

摘要： An apparatus for monitoring an ion distribution of a wafer comprises a first sensor and a sensor. The first sensor, the second sensor and the wafer are placed in an effective range of a uniform ion implantation current profile. A controller determines the ion dose of each region of the wafer based upon the detected signal from the first sensor and the second sensor. In addition, the controller adjusts the scanning frequency of an ion beam or the movement speed of the wafer to achieve a uniform ion distribution on the wafer.

公开(公告)号：US20130074872A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13240583

申请日：2011-09-22

申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： B08B3/08 ,  B08B1/00 ,  B08B7/04 ,  B08B3/02

CPC分类号： H01L21/67046 ,  H01L21/67051

摘要： The present disclosure provides a method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer. In an embodiment of the method, a single wafer cleaning apparatus is provided and a wafer is positioned in the apparatus. A first chemical spray is dispensed onto a front surface of the wafer. A back surface of the wafer is cleaned while dispensing the first chemical spray. The cleaning of the back surface may include a brush and spray of cleaning fluids. An apparatus operable to clean the front surface and the back surface of a single semiconductor wafer is also described.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于清洁半导体晶片的方法和装置。 在该方法的一个实施例中，提供单个晶片清洁装置，并将晶片定位在装置中。 将第一化学喷雾分配到晶片的前表面上。 在分配第一化学喷雾的同时清洁晶片的背面。 后表面的清洁可以包括刷子和喷射清洁流体。 还描述了可操作以清洁单个半导体晶片的前表面和后表面的装置。

公开(公告)号：US20100178772A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12354394

申请日：2009-01-15

申请人： Simon Su-Horng Lin ,  Yu-Ming Lee ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Simon Su-Horng Lin ,  Yu-Ming Lee ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517

摘要： The present disclosure provides a method for fabricating a semiconductor device. The method includes providing a semiconductor substrate having a first region and a second region, forming a high-k dielectric layer over the semiconductor substrate, forming a first metal layer and a first silicon layer by an in-situ deposition process, patterning the first silicon layer to remove a portion overlying the second region, patterning the first metal layer using the patterned first silicon layer as a mask, and removing the patterned first silicon layer including applying a solution. The solution includes a first component having an [F—] concentration greater than 0.01 M, a second component configured to adjust a pH of the solution from about 4.3 to about 6.7, and a third component configured to adjust a potential of the solution to be greater than −1.4 volts.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于制造半导体器件的方法。 该方法包括提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，在半导体衬底上形成高k电介质层，通过原位沉积工艺形成第一金属层和第一硅层，图案化第一硅 以去除覆盖在第二区域上的部分，使用图案化的第一硅层作为掩模来图案化第一金属层，以及去除图案化的第一硅层，包括施加溶液。 该溶液包括具有大于0.01M的[F-]浓度的第一组分，被配置为将溶液的pH调节至约4.3至约6.7的第二组分，以及将溶液的电位调节为 大于-1.4伏。

公开(公告)号：US20100167506A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12347483

申请日：2008-12-31

申请人： Simon Su-Horng LIN ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Simon Su-Horng LIN ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/3115 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/2236 ,  H01L29/66795

摘要： In some embodiments, a method of doping a semiconductor wafer disposed on a pedestal electrode in an inductive plasma chamber includes generating a plasma having a first voltage with respect to ground in the inductive plasma chamber, and applying a radio frequency (RF) voltage with respect to ground to the pedestal electrode in the inductive plasma chamber. The positive RF voltage is based on the first voltage of the plasma.

摘要翻译： 在一些实施例中，掺杂设置在感应等离子体室中的基座电极上的半导体晶片的方法包括在感应等离子体室中产生相对于接地的第一电压的等离子体，并且施加射频（RF）电压 接地到电感等离子体室中的基座电极。 正RF电压基于等离子体的第一电压。

公开(公告)号：US08921177B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13189108

申请日：2011-07-22

申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Hsien-Hsin Lin ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Yi-Fang Pai ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Hsien-Hsin Lin ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Yi-Fang Pai ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  Y10S438/976

摘要： A method for fabricating an integrated device is disclosed. A protective layer is formed over a gate structure when forming epitaxial (epi) features adjacent to another gate structure uncovered by the protective layer. The protective layer is thereafter removed after forming the epitaxial (epi) features. The disclosed method provides an improved method for removing the protective layer without substantial defects resulting. In an embodiment, the improved formation method is achieved by providing a protector over an oxide-base material, and then removing the protective layer using a chemical comprising hydrofluoric acid.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成器件的方法。 当形成与由保护层未覆盖的另一个栅极结构相邻的外延（epi）特征时，在栅极结构上形成保护层。 此后，在形成外延（epi）特征之后，去除保护层。 所公开的方法提供了用于去除保护层而没有实质缺陷的改进方法。 在一个实施方案中，改进的形成方法通过在氧化物基材料上提供保护剂，然后使用包含氢氟酸的化学品除去保护层来实现。

公开(公告)号：US08871605B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13449721

申请日：2012-04-18

申请人： Chin-Ming Lin ,  Wan-Lai Chen ,  Chia-Hung Huang ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Chin-Ming Lin ,  Wan-Lai Chen ,  Chia-Hung Huang ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/681 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/683 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of orienting a semiconductor wafer. The method includes rotating a wafer about a central axis; exposing a plurality of edge portions of the rotating wafer to light having a predetermined wavelength from one or more light sources; detecting a subsurface mark in one of the plurality of edge portions of the rotating wafer; and orienting the wafer using the detected subsurface mark as a reference.

摘要翻译： 一种定向半导体晶片的方法。 该方法包括围绕中心轴旋转晶片; 将旋转晶片的多个边缘部分暴露于来自一个或多个光源的具有预定波长的光; 检测所述旋转晶片的所述多个边缘部分之一中的地下标记; 并使用检测到的地下标记作为参考来定向晶片。

公开(公告)号：US08518634B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13022931

申请日：2011-02-08

申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Yu-Fu Lin ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Yu-Fu Lin ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828

摘要： A method of making an integrated circuit is provided. The method includes providing a substrate having a photosensitive layer. The photosensitive layer is exposed to a radiation beam. The exposed photosensitive layer is developed in a first chamber. In the first chamber, a cleaning process is performed on the developed photosensitive layer. The cleaning process includes using a rinse solution including at least one of ozone, hydrogen peroxide, and oxalic acid.

摘要翻译： 提供一种制造集成电路的方法。 该方法包括提供具有感光层的基底。 感光层暴露于辐射束。 曝光的感光层在第一室中显影。 在第一室中，对显影的感光层进行清洁处理。 清洁方法包括使用包括臭氧，过氧化氢和草酸中的至少一种的冲洗溶液。

公开(公告)号：US20130089958A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13269107

申请日：2011-10-07

申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66818 ,  H01L29/66795

摘要： Semiconductor materials, particularly III-V materials used to form, e.g., a finlike structure can suffer structural damage during chemical mechanical polishing steps. This damage can be reduced or eliminated by oxidizing the damaged surface of the material and then etching away the oxidized material. The etching step can be accomplished simultaneously with a step of etching back a patterned oxide layers, such as a shallow trench isolation layer.

公开(公告)号：US20130056031A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13226216

申请日：2011-09-06

申请人： Ying-Hsueh Chang Chien ,  Shao-Yen Ku ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ying-Hsueh Chang Chien ,  Shao-Yen Ku ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： B08B7/04

CPC分类号： B08B3/12 ,  B08B3/02 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6704

摘要： Methods and apparatus for a movable megasonic wafer probe. A method is disclosed including positioning a movable probe on a wafer surface, the movable probe having an open bottom portion that exposes a portion of the wafer surface; applying a liquid onto the wafer surface through a bottom portion of the movable probe; and moving the movable probe at a predetermined scan speed to traverse the wafer surface, applying the liquid to the wafer surface while moving over the wafer surface. In additional embodiments the method includes providing a transducer for applying megasonic energy to the wafer surface. Apparatus embodiments are disclosed including the movable megasonic wafer probe.

摘要翻译： 移动式超声波晶片探针的方法和装置。 公开了一种方法，包括将可移动探针定位在晶片表面上，所述可移动探针具有暴露晶片表面的一部分的开放底部; 通过可移动探针的底部将液体施加到晶片表面上; 并且以预定的扫描速度移动可移动探针以穿过晶片表面，同时在晶片表面上移动时将液体施加到晶片表面。 在另外的实施例中，该方法包括提供用于将兆声波能量施加到晶片表面的换能器。 公开了包括可移动兆声晶片探针的装置实施例。

公开(公告)号：US20130034966A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13198420

申请日：2011-08-04

申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chi-Wen Liu ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chi-Wen Liu ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/306 ,  B05B1/00

CPC分类号： H01L21/32134 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

摘要： A method of semiconductor fabrication including providing a semiconductor wafer and dispensing a first chemical spray onto the wafer using a first nozzle and dispensing a second chemical spray using a second nozzle onto the wafer. These dispensing may be performed simultaneously. The method may further include moving the first and second nozzle. The first and second nozzle may provide the first and second chemical spray having at least one different property. For example, different chemical compositions, concentrations, temperatures, angles of dispensing, or flow rate. A chemical dispersion apparatus providing two nozzles which are operable to be separately controlled is also provided.

摘要翻译： 一种半导体制造方法，包括提供半导体晶片并使用第一喷嘴将第一化学喷雾分配到晶片上，并且使用第二喷嘴将第二化学喷雾分配到晶片上。 这些分配可以同时进行。 该方法还可以包括移动第一和第二喷嘴。 第一和第二喷嘴可以提供具有至少一种不同性质的第一和第二化学喷雾。 例如，不同的化学成分，浓度，温度，分配角度或流速。 还提供了提供可分开控制的两个喷嘴的化学分散装置。