公开(公告)号：US06365009B1

公开(公告)日：2002-04-02

申请号：US09071446

申请日：1998-05-01

申请人： Keiji Ishibashi

发明人： Keiji Ishibashi

IPC分类号： C23C1435

CPC分类号： C23C14/35

摘要： A combined RF-DC magnetron sputtering method stops the production of tracking arcs and promotes the consistent manufacture of thin films during the manufacture of thin films by such RF-DC magnetron sputtering. Magnets 121, 122 are placed behind the target 111. RF and DC power are simultaneously supplied to the target to produce a plasma, and sputtering is used to manufacture a thin film on a substrate 106 facing the target. The supply of RF and DC power to the target is simultaneously and periodically stopped. The time that the power is supplied is shorter than the time needed to produce tracking arcs. The RF and DC power is both supplied and stopped simultaneously, and RF and DC power is intermittently supplied to the target.

摘要翻译： 组合的RF-DC磁控溅射法通过这种RF-DC磁控溅射在薄膜制造过程中停止生产跟踪电弧并促进薄膜的一致制造。 将磁体121,122放置在目标111的后面。将RF和DC功率同时提供给靶以产生等离子体，并且使用溅射来在面向靶的衬底106上制造薄膜。 同时定期停止向目标提供射频和直流电源。 供电时间短于产生跟踪弧所需的时间。 RF和DC电源同时供电和停止，RF和DC电源间歇地提供给目标。

公开(公告)号：US06218392B1

公开(公告)日：2001-04-17

申请号：US09161946

申请日：1998-09-29

申请人： Nobuhisa Watanabe ,  Yasuhiro Kabasawa ,  Yasutaka Takase ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Kazuki Miyazaki ,  Masayuki Matsukura ,  Shigeru Souda ,  Kazutoshi Miyake ,  Hiroki Ishihara ,  Kohtaro Kodama ,  Hideyuki Adachi

发明人： Nobuhisa Watanabe ,  Yasuhiro Kabasawa ,  Yasutaka Takase ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Kazuki Miyazaki ,  Masayuki Matsukura ,  Shigeru Souda ,  Kazutoshi Miyake ,  Hiroki Ishihara ,  Kohtaro Kodama ,  Hideyuki Adachi

IPC分类号： A61K31502

CPC分类号： C07D231/12 ,  C07D233/56 ,  C07D237/34 ,  C07D249/08 ,  C07D401/04 ,  C07D401/06 ,  C07D401/12 ,  C07D401/14 ,  C07D403/04 ,  C07D403/12 ,  C07D405/12 ,  C07D405/14 ,  C07D471/04

摘要： A fused pyridazine compound represented by the following general formula (I) or a pharmacologically acceptable salt thereof which exhibits an inhibitory activity against cyclic GMP phosphodiesterase (hereinafter referred to as “cGMP-PDE”). The compounds are useful as preventive and therapeutic agents for diseases for which a cGMP-PDE inhibiting action is efficacious, for example, ischemic heart diseases such as angina pectoris, myocardial infarct and chronic and acute cardiac failure, pulmonary hypertension, arteriosclerosis and bronchial asthma.

摘要翻译： 由下述通式（I）表示的稠合哒嗪化合物或其对环状GMP磷酸二酯酶具有抑制活性的药理学上可接受的盐（以下称为“cGMP-PDE”），可用作预防和治疗剂 cGMP-PDE抑制作用有效的疾病，例如心绞痛，心肌梗死，慢性和急性心力衰竭，肺动脉高压，动脉硬化和支气管哮喘等缺血性心脏病。

公开(公告)号：US5498634A

公开(公告)日：1996-03-12

申请号：US380589

申请日：1995-01-30

申请人： Yasuhiro Kabasawa ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Takashi Hasegawa ,  Hitoshi Oinuma ,  Toshiaki Ogawa ,  Hideyuki Adachi ,  Hiroshi Katoh ,  Kohtarou Kodama ,  Hideto Ohara ,  Nobuyuki Mori ,  Norio Minami

发明人： Yasuhiro Kabasawa ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Takashi Hasegawa ,  Hitoshi Oinuma ,  Toshiaki Ogawa ,  Hideyuki Adachi ,  Hiroshi Katoh ,  Kohtarou Kodama ,  Hideto Ohara ,  Nobuyuki Mori ,  Norio Minami

IPC分类号： C07D231/12 ,  C07D233/92 ,  C07D233/95 ,  C07D471/04 ,  A61K31/35 ,  C07D309/08

CPC分类号： C07D233/92 ,  C07D471/04

摘要： The present invention provides a thioformamide derivative represented by the following general formula (I) or a pharmacologically acceptable salt thereof, which is highly safe, easy to use, and useful as an excellent hypotensive or heart disease remedy: ##STR1## wherein Y represents ##STR2## or the like [wherein R.sup.7 represents benzyloxy or the like; R.sup.11 and R.sup.12 each represent hydrogen, hydroxyl, benzoyloxy, benzyloxy, ##STR3## (wherein R.sup.14 and R.sup.15 each represent hydrogen, benzyl or the like) or the like];Z represents --CH.sub.2 -- or the like; A represents imidazolyl or imidazopyridyl which may have one or two substituents, or the like; R.sup.1 and R.sup.2 each represent hydrogen, lower alkyl or the like; and R.sup.3 and R.sup.4 each represent hydrogen, lower alkyl or the like.

摘要翻译： 本发明提供由下列通式（I）表示的硫代甲酰胺衍生物或其药学上可接受的盐，其安全性高，易于使用，可用作优异的降血压或心脏病治疗药物：其中 Y表示 等[其中R7表示苄氧基等; R 11和R 12各自表示氢，羟基，苯甲酰氧基，苄氧基，（其中R 14和R 15各自表示氢，苄基等）等。 Z表示-CH 2 - 等; A表示可具有一个或两个取代基的咪唑基或咪唑并吡啶等; R 1和R 2各自表示氢，低级烷基等; R 3和R 4各自表示氢，低级烷基等。

公开(公告)号：US5478839A

公开(公告)日：1995-12-26

申请号：US300201

申请日：1994-09-02

申请人： Yasuhiro Kabasawa ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Takashi Hasegawa ,  Hitoshi Oinuma ,  Manabu Shirato ,  Katsuhiro Moriya ,  Toshiaki Ogawa ,  Satoshi Katayama ,  Shigeru Souda

发明人： Yasuhiro Kabasawa ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Takashi Hasegawa ,  Hitoshi Oinuma ,  Manabu Shirato ,  Katsuhiro Moriya ,  Toshiaki Ogawa ,  Satoshi Katayama ,  Shigeru Souda

IPC分类号： C07C13/18 ,  A61K31/015 ,  A61K31/13 ,  A61P21/00 ,  C07C327/46 ,  C07D471/04 ,  C07D521/00 ,  A61K31/435

CPC分类号： C07D231/12 ,  C07D233/56 ,  C07D249/08 ,  C07D471/04

摘要： To provide a cyclohexane derivative defined by the formula (I) or a pharmacologically acceptable salt thereof: ##STR1## (wherein R.sup.1 and R.sup.2 may be the same or different from each other and each represents hydrogen or lower alkyl; R.sup.3 represents optionally substituted aryl or optionally substituted heteroaryl; X represents oxygen or sulfur; and Y represents a group represented by the formula: ##STR2## or the like). The compound of the present invention is useful as a preventive and therapeutic agent for diseases against which a potassium channel opening action is efficacious.

摘要翻译： 提供由式（I）定义的环己烷衍生物或其药理学上可接受的盐：其中R 1和R 2可以彼此相同或不同，各自表示氢或低级烷基; R 3表示任选地 取代的芳基或任选取代的杂芳基; X表示氧或硫; Y表示由下式表示的基团：所发明的发明可用作钾通道开放作用有效的疾病的预防和治疗剂。

公开(公告)号：US5430059A

公开(公告)日：1995-07-04

申请号：US169500

申请日：1993-12-20

申请人： Norio Minami ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Yasuhiro Kabasawa ,  Toshiaki Ogawa ,  Hideyuki Adachi ,  Takanori Kawamura

发明人： Norio Minami ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Yasuhiro Kabasawa ,  Toshiaki Ogawa ,  Hideyuki Adachi ,  Takanori Kawamura

IPC分类号： C07C275/42 ,  C07C279/24 ,  C07C279/28 ,  C07C279/36 ,  C07C323/27 ,  C07C335/22 ,  C07D213/56 ,  C07D213/64 ,  C07D213/68 ,  C07D213/89 ,  C07D233/08 ,  C07D233/28 ,  C07D233/88 ,  C07D233/95 ,  C07D239/46 ,  C07D405/04 ,  C07D409/04 ,  C07D521/00 ,  A61K31/17 ,  A61K31/16 ,  A61K31/165 ,  C07C273/00 ,  C07C275/00 ,  C07C335/00

CPC分类号： C07C275/42 ,  C07C279/24 ,  C07C279/28 ,  C07C279/36 ,  C07C323/27 ,  C07C335/22 ,  C07D213/56 ,  C07D213/64 ,  C07D213/68 ,  C07D213/89 ,  C07D231/12 ,  C07D233/08 ,  C07D233/28 ,  C07D233/56 ,  C07D233/88 ,  C07D233/95 ,  C07D239/47 ,  C07D249/08 ,  C07D405/04 ,  C07D409/04

摘要： A butenoic acid compound of the following formula: ##STR1## in which Z is O, S, vinylene or azomethyne, A is an alkylene group and J is phenyl group, is a useful in treating heart disease.

摘要翻译： 下式的丁烯酸化合物：其中Z为O，S，亚乙烯基或偶氮甲炔的A为亚烷基，J为苯基，可用于治疗心脏病。

公开(公告)号：US5166188A

公开(公告)日：1992-11-24

申请号：US837599

申请日：1992-02-20

申请人： Norio Minami ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Yasuhiro Kabasawa ,  Toshiaki Ogawa ,  Hideyuki Adachi ,  Takanori Kawamura

发明人： Norio Minami ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Yasuhiro Kabasawa ,  Toshiaki Ogawa ,  Hideyuki Adachi ,  Takanori Kawamura

IPC分类号： C07D209/48 ,  A61K31/16 ,  A61K31/17 ,  A61K31/275 ,  A61K31/34 ,  A61K31/341 ,  A61K31/40 ,  A61K31/403 ,  A61K31/4035 ,  A61K31/415 ,  A61K31/44 ,  A61K31/4402 ,  A61K31/4406 ,  A61K31/4409 ,  A61K31/4418 ,  A61K31/4425 ,  A61K31/443 ,  A61K31/4433 ,  A61K31/505 ,  A61P9/08 ,  A61P9/10 ,  C07C235/32 ,  C07C237/20 ,  C07C257/14 ,  C07C275/38 ,  C07C275/42 ,  C07C275/62 ,  C07C279/18 ,  C07C279/24 ,  C07C279/28 ,  C07C279/36 ,  C07C323/27 ,  C07C335/22 ,  C07D213/56 ,  C07D213/64 ,  C07D213/65 ,  C07D213/68 ,  C07D213/89 ,  C07D233/08 ,  C07D233/28 ,  C07D233/61 ,  C07D233/88 ,  C07D233/91 ,  C07D233/94 ,  C07D233/95 ,  C07D239/46 ,  C07D239/47 ,  C07D307/66 ,  C07D333/24 ,  C07D405/04 ,  C07D409/04 ,  C07D521/00 ,  C07D403/04

CPC分类号： C07C237/20 ,  C07C275/42 ,  C07C275/62 ,  C07C279/24 ,  C07C279/28 ,  C07C279/36 ,  C07C323/27 ,  C07C335/22 ,  C07D213/56 ,  C07D213/64 ,  C07D213/68 ,  C07D213/89 ,  C07D231/12 ,  C07D233/08 ,  C07D233/28 ,  C07D233/56 ,  C07D233/88 ,  C07D233/95 ,  C07D239/47 ,  C07D249/08 ,  C07D405/04 ,  C07D409/04

摘要： A butenoic acid compound is defined by the following formula: ##STR1## in which Z is O,S, vinylene or azomethyne, A is an alkylene and J is phenyl or etc. It is useful to treat the heart disease.

摘要翻译： 丁烯酸化合物由下式定义：其中Z是O，S，亚乙烯基或偶氮甲炔的A（A），A是亚烷基，J是苯基等。它可用于治疗心脏病。

公开(公告)号：US08872189B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13564779

申请日：2012-08-02

申请人： Keiji Ishibashi

发明人： Keiji Ishibashi

IPC分类号： H01L31/0312 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  B32B3/02 ,  B24B1/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L29/34 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/304 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  Y10T428/21

摘要： A substrate capable of achieving a lowered probability of defects produced in a step of forming an epitaxial film or a semiconductor element, a semiconductor device including the substrate, and a method of manufacturing a semiconductor device are provided. A substrate is a substrate having a front surface and a back surface, in which at least a part of the front surface is composed of single crystal silicon carbide, the substrate having an average value of surface roughness Ra at the front surface not greater than 0.5 nm, a standard deviation σ of that surface roughness Ra not greater than 0.2 nm, an average value of surface roughness Ra at the back surface not smaller than 0.3 nm and not greater than 10 nm, standard deviation σ of that surface roughness Ra not greater than 3 nm, and a diameter D of the front surface not smaller than 110 mm.

摘要翻译： 提供了能够实现在形成外延膜或半导体元件的步骤中产生的缺陷概率低的衬底，包括衬底的半导体器件以及制造半导体器件的方法。 基板是具有前表面和背面的基板，其中前表面的至少一部分由单晶碳化硅构成，所述基板的前表面的表面粗糙度Ra的平均值不大于0.5 nm，标准偏差 的表面粗糙度Ra不大于0.2nm，背面的表面粗糙度Ra的平均值不小于0.3nm且不大于10nm，标准偏差＆sgr; 的表面粗糙度Ra不大于3nm，前表面直径D不小于110mm。

公开(公告)号：US08841215B2

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：US13415859

申请日：2012-03-09

申请人： Keiji Ishibashi ,  Masashi Futamura ,  Takayuki Nishiura

发明人： Keiji Ishibashi ,  Masashi Futamura ,  Takayuki Nishiura

IPC分类号： H01L21/302 ,  C09G1/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02024 ,  C09G1/04

摘要： Afforded are a polishing agent, and a compound semiconductor manufacturing method and semiconductor device manufacturing method utilizing the agent, whereby the surface quality of compound semiconductor substrates can be favorably maintained, and high polishing rates can be sustained as well. The polishing agent is a polishing agent for GaαIn(1-α)AsβP(1-β) (0≦α≦1; 0≦β≦1) compound semiconductors, and includes an alkali metal carbonate, an alkali metal organic salt, a chlorine-based oxidizer, and an alkali metal phosphate, wherein the sum of the concentrations of the alkali metal carbonate and the alkali metal organic salt is between 0.01 mol/L and 0.02 mol/L, inclusive. The compound semiconductor manufacturing method comprises a step of preparing a GaαIn(1-α)AsβP(1-β) (0≦α≦1; 0≦β≦1) compound semiconductor, and a step of polishing the face of the compound semiconductor utilizing an aforedescribed polishing agent.

摘要翻译： 所使用的是抛光剂，以及利用该试剂的化合物半导体制造方法和半导体器件制造方法，由此可以有利地保持化合物半导体衬底的表面质量，并且还可以维持高的抛光速率。 抛光剂是用于GaαIn（1-α）As＆bgr; P（1-＆bgr;）（0＆nlE;α＆nlE; 1; 0＆nlE; bgr; nlE; 1）化合物半导体的抛光剂，包括碱金属碳酸盐，碱 金属有机盐，氯系氧化剂和碱金属磷酸盐，其中碱金属碳酸盐和碱金属有机盐的浓度之和为0.01mol / L至0.02mol / L。 化合物半导体制造方法包括制备化合物半导体的GaαIn（1-α）As＆bgr; P（1-＆bgr;）（0＆nlE;α＆nlE; 1; 0＆nlE; bgr; nlE; 1）化合物半导体的步骤， 使用上述抛光剂的化合物半导体的表面。

公开(公告)号：US08471364B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13251404

申请日：2011-10-03

申请人： Keiji Ishibashi

发明人： Keiji Ishibashi

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： A group III nitride substrate in one embodiment has a surface layer. The surface layer contains 3 at. % to 25 at. % of carbon and 5×1010 atoms/cm2 to 200×1010 atoms/cm2 of a p-type metal element. The group III nitride substrate has a stable surface.

摘要翻译： 一个实施例中的III族氮化物衬底具有表面层。 表层含有3个。 ％至25点。 碳原子数为5×10 10原子/ cm 2至200×10 10原子/ cm 2的p型金属元素。 III族氮化物衬底具有稳定的表面。

公开(公告)号：US20130119406A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13613860

申请日：2012-09-13

申请人： Hiroshi NOTSU ,  Shin Harada ,  Keiji Ishibashi ,  Tsutomu Hori ,  Yu Saitoh

发明人： Hiroshi NOTSU ,  Shin Harada ,  Keiji Ishibashi ,  Tsutomu Hori ,  Yu Saitoh

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7802 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： A silicon carbide substrate includes a base layer made of silicon carbide, silicon carbide layers made of single-crystal silicon carbide and arranged side by side on the base layer when viewed in plan view, and a filling portion made of silicon carbide and filling a gap formed between the adjacent silicon carbide layers. The filling portion has a surface roughness of not more than 50 μm in RMS value.

摘要翻译： 碳化硅衬底包括由碳化硅制成的基底层，由单晶碳化硅制成的碳化硅层，并且在平面图中观察时并排设置在基底层上;以及填充部分，其由碳化硅制成并填充间隙 形成在相邻的碳化硅层之间。 填充部分的RMS值的表面粗糙度不大于50um。