公开(公告)号：US07713346B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US12247120

申请日：2008-10-07

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C07F7/02

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： This invention relates to silicon precursor compositions for forming silicon-containing films by low temperature (e.g.,

摘要翻译： 本发明涉及通过用于制造ULSI器件和器件结构的低温（例如，<300℃）的化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物。 这种硅前体组合物包含至少一个完全被烷基氨基和/或二烷基氨基官能团取代的二烷基硅烷衍生物化合物。

公开(公告)号：US20100068894A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12578262

申请日：2009-10-13

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/30 ,  C23C16/44

CPC分类号： C07F7/10 ,  H01L21/02271

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as films including silicon carbonitride, silicon oxycarbonitride, and silicon nitride (Si3N4), and a method of depositing the silicon precursors on substrates using low temperature (e.g.,

公开(公告)号：US07638074B2

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US12282511

申请日：2007-03-12

申请人： Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C07F3/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C14/088 ,  C07F17/00 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553

摘要： Barium, strontium, tantalum and lanthanum precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of titanate thin films. The precursors have the formula M(Cp)2, wherein M is strontium, barium, tantalum or lanthanum, and Cp is cyclopentadienyl, of the formula (I), wherein each of R1-R5 is the same as or different from one another, with each being independently selected from among hydrogen, C1-C12 alkyl, C1-C12 amino, C6-C10 aryl, C1-C12 alkoxy, C3-C6 alkylsilyl, C2-C12 alkenyl, R1R2R3NNR3, wherein R1, R2 and R3 may be the same as or different from one another and each is independently selected from hydrogen and C1-C6 alkyl, and pendant ligands including functional group(s) providing further coordination to the metal center M. The precursors of the above formula are useful to achieve uniform coating of high dielectric constant materials in the manufacture of flash memory and other microelectronic devices.

摘要翻译： 用于钛酸盐薄膜的原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）的钡，锶，钽和镧前体组合物。 前体具有式（I）的式M（Cp）2，其中M是锶，钡，钽或镧，Cp是环戊二烯基，其中R 1 -R 5各自彼此相同或不同， 其中每个独立地选自氢，C 1 -C 12烷基，C 1 -C 12氨基，C 6 -C 10芳基，C 1 -C 12烷氧基，C 3 -C 6烷基甲硅烷基，C 2 -C 12烯基，R 1 R 2 R 3 N NR 3，其中R 1，R 2和R 3可以是 彼此相同或不同，并且各自独立地选自氢和C 1 -C 6烷基，以及包括提供与金属中心M进一步配位的官能团的侧链配体。上式的前体可用于实现均匀涂布 的高介电常数材料制造闪存和其他微电子器件。

公开(公告)号：US20090215659A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US11813497

申请日：2006-01-09

申请人： David W. Minsek ,  Weihua Wang ,  David D. Bernhard ,  Thomas H. Baum ,  Melissa K. Rath

发明人： David W. Minsek ,  Weihua Wang ,  David D. Bernhard ,  Thomas H. Baum ,  Melissa K. Rath

IPC分类号： G03F7/42

CPC分类号： G03F7/425 ,  G03F7/091

摘要： An aqueous-based composition and process for removing hardened photoresist and/or bottom anti-reflective coating (BARC) material from a microelectronic device having same thereon. The aqueous-based composition includes at least one chaotropic solute, at least one alkaline base, and deionized water. The composition achieves high-efficiency removal of hardened photoresist and/or BARC material in the manufacture of integrated circuitry without adverse effect to metal species on the substrate, such as copper, and without damage to low-k dielectric materials employed in the microelectronic device architecture.

摘要翻译： 一种水性组合物和从其上具有其的微电子器件去除硬化的光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层（BARC）材料的方法。 水基组合物包括至少一种离液序列溶质，至少一种碱性碱和去离子水。 组合物在集成电路的制造中实现了高效去除硬化的光致抗蚀剂和/或BARC材料，而不会对衬底（例如铜）上的金属物质产生不利影响，并且不损害在微电子器件结构中使用的低k电介质材料 。

公开(公告)号：US07553803B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US10790535

申请日：2004-03-01

申请人： Michael B. Korzenski ,  Thomas H. Baum

发明人： Michael B. Korzenski ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  C11D3/43 ,  C11D3/60 ,  C23G5/02 ,  B08B7/00

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B7/0021 ,  C11D3/02 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/3749 ,  C11D3/43 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/5004

摘要： A method and composition for removing silicon-containing particulate material, such as silicon nitrides and silicon oxides, from patterned Si/SiO2 semiconductor wafer surfaces is described. The composition includes a supercritical fluid (SCF), an etchant species, a co-solvent, a surface passivator, a binder, deionized water, and optionally a surfactant. The SCF-based compositions substantially remove the contaminating particulate material from the wafer surface prior to subsequent processing, thus improving the morphology, performance, reliability and yield of the semiconductor device.

摘要翻译： 描述了从图案化的Si / SiO 2半导体晶片表面去除含硅颗粒材料如氮化硅和氧化硅的方法和组合物。 组合物包括超临界流体（SCF），蚀刻剂物质，共溶剂，表面钝化剂，粘合剂，去离子水和任选的表面活性剂。 基于SCF的组合物在随后的处理之前基本上从晶片表面除去污染的颗粒材料，从而改善半导体器件的形态，性能，可靠性和产量。

公开(公告)号：US20090162550A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12303250

申请日：2006-12-29

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07F1/08 ,  C09D5/00

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07C275/70

摘要： Copper (I) amidinate and copper (I) guanidinate precursors for forming copper thin films in the manufacture of microelectronic device articles, e.g., using chemical vapor deposition, atomic layer deposition, and rapid vapor deposition processes, as well as mixed ligand copper complexes suitable for such processes. Also described are solvent/additive compositions for copper precursors for CVD/ALD of copper metal films, which are highly advantageous for liquid delivery of such copper amidinates and copper guanidinates, as well as for other organocopper precursor compounds and complexes, e.g., copper isoureate complexes.

摘要翻译： 在微电子器件制品的制造中，例如使用化学气相沉积，原子层沉积和快速气相沉积工艺以及混合配体铜络合物合适的铜（I）脒和铜（I）胍形成铜薄膜的前体， 对于这样的过程。 还描述了用于铜金属膜的CVD / ALD的铜前体的溶剂/添加剂组合物，其对于这种铜脒酸盐和胍盐酸胍以及其它有机铜前体化合物和络合物的液体递送是非常有利的，例如铜异氰酸酯络合物 。

公开(公告)号：US07531679B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US10294431

申请日：2002-11-14

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan Hendrix ,  Jeffrey Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan Hendrix ,  Jeffrey Roeder

IPC分类号： C07F7/10 ,  C23C14/10

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,

摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。

公开(公告)号：US07531031B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US12119362

申请日：2008-05-12

申请人： Chongying Xu ,  Alexander S. Borovik ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Alexander S. Borovik ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07F1/08

CPC分类号： C07C257/14 ,  C07F1/005 ,  C23C16/18

摘要： Copper (I) amidinate precursors for forming copper thin films in the manufacture of semiconductor devices, and a method of depositing the copper (I) amidinate precursors on substrates using chemical vapor deposition or atomic layer deposition processes.

摘要翻译： 用于在制造半导体器件中形成铜薄膜的铜（I）脒前体，以及使用化学气相沉积或原子层沉积工艺在基片上沉积铜（I）脒前体的方法。

公开(公告)号：US07475588B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US11057734

申请日：2005-02-14

申请人： Frank Dimeo, Jr. ,  Philip S. H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawacz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Frank Dimeo, Jr. ,  Philip S. H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawacz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： G01N9/00

CPC分类号： G01N27/128 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32981 ,  Y10T29/49007 ,  Y10T436/17 ,  Y10T436/19

摘要： A gas detector and process for detecting a fluorine-containing species in a gas containing same, e.g., an effluent of a semiconductor processing tool undergoing etch cleaning with HF, NF3, etc. The detector in a preferred structural arrangement employs a microelectromechanical system (MEMS)-based device structure and/or a free-standing metal element that functions as a sensing component and optionally as a heat source when elevated temperature sensing is required. The free-standing metal element can be fabricated directly onto a standard chip carrier/device package so that the package becomes a platform of the detector.

摘要翻译： 用于检测含有其的气体中的含氟物质的气体检测器和方法，例如用HF，NF 3等进行蚀刻清洁的半导体加工工具的流出物。优选的结构布置中的检测器采用微机电系统（MEMS） ）的器件结构和/或独立的金属元件，其在需要升高的温度感测时用作感测部件并且可选地作为热源。 独立的金属元件可以直接制造在标准芯片载体/器件封装上，使得封装成为检测器的平台。

公开(公告)号：US07456488B2

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：US10301109

申请日：2002-11-21

申请人： Chongying Xu ,  Alexander S. Borovik ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Alexander S. Borovik ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L31/0256

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2985 ,  Y10T428/2998

摘要： A porogen material for forming a dielectric porous film. The porogen material may include a silicon based dielectric precursor and a silicon containing porogen. The porous film may have a substantially uniform dielectric constant value throughout. Methods of forming the porous film as well as semiconductor devices employing circuit features isolated by the porous film are also present.