公开(公告)号：US20130115555A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13667237

申请日：2012-11-02

申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.

发明人： Hiroaki Shimizu ,  Tsuyoshi Nakamura ,  Jiro Yokoya ,  Hideto Nito

IPC分类号： C08F226/06 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0046 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/36 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  Y10S430/126

摘要： There are provided a method of forming a resist pattern includes: a step (1) in which a resist composition containing a base component (A) that generates base upon exposure and exhibits increased solubility in an alkali developing solution by the action of acid is applied to a substrate to form a resist film; a step (2) in which the resist film 2 is subjected to exposure; a step (3) in which baking is conducted after the step (2); and a step (4) in which the resist film 2 is subjected to an alkali development, thereby forming a negative-tone resist pattern in which the unexposed portion 2b of the resist film 2 has been dissolved and removed, and the resist composition used in the step (1).

摘要翻译： 提供形成抗蚀剂图案的方法包括：步骤（1），其中涂覆含有在曝光时产生碱并在酸性显影液中显示增加的溶解度的基础组分（A）的抗蚀剂组合物 到基板以形成抗蚀剂膜; 其中抗蚀剂膜2被曝光的步骤（2）; 步骤（3），其中在步骤（2）之后进行烘烤; 和抗蚀剂膜2进行碱显影的步骤（4），从而形成抗蚀剂膜2的未曝光部分2b已被溶解并除去的负色调抗蚀剂图案，并且将抗蚀剂组合物用于 步骤（1）。

公开(公告)号：US20130105438A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13658029

申请日：2012-10-23

申请人： ZHEN-DONG ZHU ,  QUN-QING LI ,  LI-HUI ZHANG ,  MO CHEN

发明人： ZHEN-DONG ZHU ,  QUN-QING LI ,  LI-HUI ZHANG ,  MO CHEN

IPC分类号： B44C1/22 ,  H05H1/24

CPC分类号： G02B5/1857 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/18 ,  G02B5/1809 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/095 ,  G03F7/70691 ,  H01L33/508

摘要： The disclosure relates to a method for making a grating. The method includes the following steps. First, a substrate is provided. Second, a photoresist film is formed on a surface of the substrate. Third, a nano-pattern is formed on the photoresist film by nano-imprint lithography. Fourth, the photoresist film is etched to form a patterned photoresist layer. Fifth, a mask layer is covered on the patterned photoresist layer and the surface of the substrate exposed to the patterned photoresist layer. Sixth, the patterned photoresist layer and the mask layer thereon are removed to form a patterned mask layer. Seventh, the substrate is etched through the patterned mask layer by reactive ion etching, wherein etching gases includes carbon tetrafluoride (CF4), sulfur hexafluoride (SF6) and argon (Ar2). Finally, the patterned mask layer is removed.

摘要翻译： 本公开涉及一种制造光栅的方法。 该方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 其次，在基板的表面上形成光致抗蚀剂膜。 第三，通过纳米压印光刻在光致抗蚀剂膜上形成纳米图案。 第四，蚀刻光致抗蚀剂膜以形成图案化的光致抗蚀剂层。 第五，在图案化的光致抗蚀剂层和暴露于图案化光致抗蚀剂层的基板的表面上覆盖掩模层。 第六，图案化的光致抗蚀剂层和其上的掩模层被去除以形成图案化掩模层。 第七，通过反应离子蚀刻蚀刻通过图案化掩模层的衬底，其中蚀刻气体包括四氟化碳（CF 4），六氟化硫（SF 6）和氩（Ar 2）。 最后，去除图案化的掩模层。

公开(公告)号：US20130095435A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13805928

申请日：2011-06-30

申请人： Douglas S. Dunn ,  William Ward Merrill ,  Przemyslaw P. Markowicz

发明人： Douglas S. Dunn ,  William Ward Merrill ,  Przemyslaw P. Markowicz

IPC分类号： G03F7/095

CPC分类号： G03F7/095 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/24 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/40 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2307/30 ,  B32B2307/4026 ,  B32B2307/41 ,  B32B2307/416 ,  B32B2307/42 ,  B32B2425/00 ,  B32B2519/00 ,  B32B2554/00 ,  B41M5/34 ,  B41M5/42 ,  B41M5/46 ,  B41M5/465

摘要： Multi-layer articles are described that are capable of forming color images. The articles include at least six layers, four thermally activatable layers (layers 1-4) and two blocking layers (layer 5 and 6). The layers are arranged such that layer 5 is disposed between layers 1 and 2 and layer 6 is disposed between layers 3 and 4. Thermally activatable layers 1 and 2 are activatable upon exposure to light of a first write wavelength, and blocking layer 5 is adapted to at least partially block light of the first write wavelength. Thermally activatable layers 3 and 4 are activatable upon exposure to light of a second write wavelength, and blocking layer 6 is adapted to at least partially block light of the second write wavelength. At least one, and possibly all of the thermally activatable layers include a light to heat convertor composition and a color changing compound. Some of the thermally activatable layers may be a group of layers arranged to selectively reflect light by constructive or destructive interference to provide a first reflective characteristic, the group of layers also having a first absorption characteristic suitable to, upon exposure to light comprising a write wavelength, absorptively heat the first group of layers by an amount sufficient to change the first reflective characteristic to a second reflective characteristic while maintaining the structural integrity of the group of layers.

摘要翻译： 描述能够形成彩色图像的多层制品。 制品包括至少六层，四层热活化层（层1-4）和两层阻挡层（层5和层6）。 这些层被布置成使得层5设置在层1和2之间，层6设置在层3和4之间。可热激活层1和2可以在暴露于第一写入波长的光时被激活，并且阻挡层5被适配 以至少部分地阻挡第一写入波长的光。 可热激活层3和4在暴露于第二写入波长的光时可激活，并且阻挡层6适于至少部分地阻挡第二写入波长的光。 至少一个，并且可能全部的可热激活层包括光至热转化器组合物和变色化合物。 一些可热激活的层可以是一组层，其布置成通过结构性或相消干涉选择性地反射光以提供第一反射特性，所述一组层还具有适于在暴露于包含写入波长的光的第一吸收特性 吸收地将第一组层吸收足以将第一反射特性改变到第二反射特性的量，同时保持该组层的结构完整性。

公开(公告)号：US20130078389A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13591350

申请日：2012-08-22

申请人： Kei NARA ,  Masakazu Hori ,  Hirofumi Shiono ,  Takashi Sugizaki

发明人： Kei NARA ,  Masakazu Hori ,  Hirofumi Shiono ,  Takashi Sugizaki

IPC分类号： B05D5/00

CPC分类号： B05D5/00 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/095 ,  H05K3/12 ,  H05K3/389 ,  H05K2203/1173

摘要： The present invention aims to provide a pattern formation method capable of shortening processing time by accelerating a decomposition reaction of a silane coupling agent. The present invention comprises a step for arranging a silane coupling agent (2) on a substrate (1) and having a photocatalyst (3) present for the silane coupling agent (2), and a step for irradiating the silane coupling agent (2) and the photocatalyst (3) with light L containing light having absorption wavelengths of the silane coupling agent (2) and the photocatalyst (3).

摘要翻译： 本发明的目的在于提供能够通过加速硅烷偶联剂的分解反应而缩短加工时间的图案形成方法。 本发明包括在基板（1）上设置硅烷偶联剂（2）并具有用于硅烷偶联剂（2）的光催化剂（3）的步骤和用于照射硅烷偶联剂（2）的步骤， 和具有含有硅烷偶联剂（2）和光催化剂（3）的吸收波长的光的光L的光催化剂（3）。

公开(公告)号：US08334091B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12213820

申请日：2008-06-25

申请人： Koji Nozaki ,  Miwa Kozawa ,  Takahisa Namiki ,  Junichi Kon ,  Ei Yano

发明人： Koji Nozaki ,  Miwa Kozawa ,  Takahisa Namiki ,  Junichi Kon ,  Ei Yano

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： H01L27/11526 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/095 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31138 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543

摘要： To provide a method for easily forming microscopic patterns exceeding the limit of exposure in the patterning technique utilizing the photolithography method in the vacuum deep ultraviolet ray region, a resist pattern swelling material is comprised by mixing a water-soluble or alkali-soluble composition comprising a resin and a cross linking agent and any one of a non-ionic interfacial active agent and an organic solvent selected from a group of the alcohol based, chain or cyclic ester based, ketone based, chain or cyclic ether based organic solvents.

摘要翻译： 为了提供一种在真空深紫外线区域中利用光刻法在图案化技术中容易地形成超过曝光极限的微观图案的方法，通过混合水溶性或碱溶性组合物，包含 树脂和交联剂以及非离子界面活性剂和选自醇基，链或环酯，酮基，链或环醚基有机溶剂的有机溶剂中的任一种。

公开(公告)号：US20120214103A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13030533

申请日：2011-02-18

申请人： Ming Kang Wei ,  Pei Lin Huang ,  Yi Ming Wang ,  Ying Chung Tseng

发明人： Ming Kang Wei ,  Pei Lin Huang ,  Yi Ming Wang ,  Ying Chung Tseng

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/094 ,  G03F7/095 ,  H01L21/0274

摘要： A method for fabricating semiconductor devices with fine patterns includes the steps of providing a semiconductor substrate, forming a first photoresist layer on the semiconductor substrate, forming a second photoresist layer on the first photoresist layer, and performing an exposing process to change the state of at least one first portion of the first photoresist layer and the state of at least one second portion of the second photoresist layer. The conventional double patterning technique requires that the exposure processes be performed twice, which requires very precise alignment between the two exposure processes. In contrast, the embodiment of the present invention can perform the double patterning process with only one exposure process without requiring the precise alignment between the two exposure processes.

摘要翻译： 用于制造具有精细图案的半导体器件的方法包括以下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂层，在第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层，以及执行曝光过程以改变 第一光致抗蚀剂层的至少一个第一部分和第二光致抗蚀剂层的至少一个第二部分的状态。 传统的双重图案化技术要求曝光过程进行两次，这需要两次曝光过程之间非常精确的对准。 相反，本发明的实施例可以仅用一次曝光工艺进行双重图案化处理，而不需要两次曝光过程之间的精确对准。

公开(公告)号：US08236483B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12533685

申请日：2009-07-31

申请人： Tomoyuki Ando ,  Sho Abe ,  Ryoji Watanabe ,  Komei Hirahara

发明人： Tomoyuki Ando ,  Sho Abe ,  Ryoji Watanabe ,  Komei Hirahara

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/2022 ,  G03F7/095

摘要： A method of forming a resist pattern including: forming a resist film on a substrate using a chemically amplified negative resist composition; forming a latent image of a first line and space pattern by subjecting the resist film to first exposure through a photomask; forming a latent image of a second line and space pattern so as to intersect with the latent image of the first line and space pattern by subjecting the resist film to second exposure through a photomask; and subjecting the resist film to developing to form a hole pattern in the resist film.

摘要翻译： 一种形成抗蚀剂图案的方法，包括：使用化学放大的负性抗蚀剂组合物在基板上形成抗蚀剂膜; 通过使抗蚀剂膜首先通过光掩模曝光来形成第一线和空间图案的潜像; 通过使光刻胶膜通过光掩模进行第二曝光，形成与第一线和空间图案的潜像相交的第二线和空间图案的潜像; 并且使抗蚀剂膜显影以在抗蚀剂膜中形成孔图案。

公开(公告)号：US08158325B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US11542563

申请日：2006-10-03

申请人： Deyan Wang ,  Cheng-Bai Xu

发明人： Deyan Wang ,  Cheng-Bai Xu

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108

摘要： Overcoating layer compositions that are applied above a photoresist composition including for immersion lithography processing as well as non-immersion imaging.

摘要翻译： 涂覆在光致抗蚀剂组合物上方的包覆层组合物，包括浸没式光刻处理以及非浸没成像。

公开(公告)号：US20120077131A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13375749

申请日：2010-06-03

申请人： Yuichiro Enomoto ,  Shinji Tarutani ,  Akinori Shibuya ,  Shuhei Yamaguchi

发明人： Yuichiro Enomoto ,  Shinji Tarutani ,  Akinori Shibuya ,  Shuhei Yamaguchi

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： C08F20/28 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/095 ,  G03F7/325

摘要： According to one embodiment, a method of forming a pattern includes the step of applying an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition on a substrate so as to form a film, the step of selectively exposing the film through a mask and the step of developing the exposed film with the use of a developer containing an organic solvent, wherein the actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition contains a resin (A) whose polarity is increased by the action of an acid so that the solubility of the resin in the developer containing an organic solvent is decreased, a photoacid generator (B) that when exposed to actinic rays or radiation, generates an acid containing a fluorine atom and a solvent (C), and wherein the photoacid generator (B) is contained in the composition in a ratio of 8 to 20 mass % based on the total solids of the composition.

摘要翻译： 根据一个实施方案，形成图案的方法包括将光化学射线或辐射敏感性树脂组合物施加到基底上以便形成膜的步骤，通过掩模选择性地使膜暴露的步骤，并且步骤 通过使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光的薄膜，其中光化射线或辐射敏感性树脂组合物含有通过酸的作用极性增加的树脂（A），使得 包含有机溶剂的显影剂中的树脂减少，当暴露于光化射线或辐射时产生含有氟原子的酸和溶剂（C）的光致酸产生剂（B），并且其中含有光酸产生剂（B） 相对于组合物的总固体成分为8〜20质量％。

公开(公告)号：US20120052260A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13212520

申请日：2011-08-18

申请人： Shin Masuhara

发明人： Shin Masuhara

IPC分类号： B32B3/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/095 ,  B32B17/064 ,  B32B38/10 ,  B32B2309/105 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2457/08 ,  B33Y30/00 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/26 ,  G03F7/343 ,  Y10T428/24802

摘要： A structure manufacturing method includes laminating a first film on a base material, selectively irradiating the first film with an energy ray depending on a position of a surface of the first film on the base material, to form a latent image of a pattern on the first film, laminating a second film on the surface of the first film, and supplying a developer to the second film and removing a removal target portion of the first film to be selectively removed along with the second film, thereby developing the pattern.

摘要翻译： 一种结构制造方法，其特征在于，在基材上层叠第一膜，根据第一膜的表面在基材上的位置选择性地照射第一膜，在第一膜上形成图案的潜像 膜，在第一膜的表面上层压第二膜，并将显影剂供应到第二膜并除去第一膜的去除目标部分以与第二膜一起选择性地去除，从而显影图案。