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    Process for preparing tetrakis (trimethylsily) silane and tris (trimethysilyl) silane
    72.
    发明授权
    Process for preparing tetrakis (trimethylsily) silane and tris (trimethysilyl) silane 有权
    制备四（三甲基甲硅烷基）硅烷和三（三甲基甲硅烷基）硅烷的方法

    公开(公告)号：US06337415B1

    公开(公告)日：2002-01-08

    申请号：US09704557

    申请日：2000-11-03

    申请人： Ayumu Kiyomori ,  Tohru Kubota ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe

    发明人： Ayumu Kiyomori ,  Tohru Kubota ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Takeru Watanabe

    IPC分类号： C07F704

    CPC分类号： C07F7/0803

    摘要： Tetrakis(trimethylsilyl)silane is prepared by reacting tetrachlorosilane with chlorotrimethylsilane in the presence of lithium metal, adding a compound with active proton(s) to the reaction mixture for treating the residual lithium metal therewith while maintaining the mixture neutral or acidic, and separating tetrakis(trimethylsilyl)silane from the organic layer. The residual lithium metal is treated in a safe and simple manner. Reaction of the tetrakis(trimethylsilyl)silane with an alkyl lithium or alkali metal alkoxide, followed by acid hydrolysis, affords tris(trimethylsilyl)silane. The desired compounds are prepared in high yields and on an industrial scale.

    摘要翻译： 通过四氯硅烷与氯代三甲基硅烷在锂金属的存在下反应制备四（三甲基甲硅烷基）硅烷，在反应混合物中加入具有活性质子的化合物，用于处理残留的锂金属同时保持混合物中性或酸性，并分离四 （三甲基甲硅烷基）硅烷。 剩余的锂金属以安全和简单的方式进行处理。 四（三甲基甲硅烷基）硅烷与烷基锂或碱金属醇盐的反应，然后进行酸水解，得到三（三甲基甲硅烷基）硅烷。 所需化合物以高产率和工业规模制备。

    Positive resist compositions and patterning process
    78.
    发明授权
    Positive resist compositions and patterning process 有权
    正极抗蚀剂组成和图案化工艺

    公开(公告)号：US08541158B2

    公开(公告)日：2013-09-24

    申请号：US13013143

    申请日：2011-01-25

    申请人： Wataru Kusaki ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

    发明人： Wataru Kusaki ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

    IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/2041

    摘要： A positive resist composition is provided comprising an acid generator, a resin component which generates resin-solubilizing groups under the action of acid so that the resin component becomes soluble in an alkaline developer, at least some resin-solubilizing groups being carboxyl groups, and a compound for activating or condensing a carboxyl group. When processed by the lithography, the resist composition forms a resist pattern having a very high resolution and good mask fidelity.

    摘要翻译： 提供了一种正性抗蚀剂组合物，其包含酸产生剂，在酸的作用下产生树脂增溶基团的树脂组分，使得树脂组分变得可溶于碱性显影剂，至少一些树脂增溶基团为羧基， 用于活化或缩合羧基的化合物。 当通过光刻处理时，抗蚀剂组合物形成具有非常高的分辨率和良好的掩模保真度的抗蚀剂图案。

    Resist-modifying composition and pattern forming process
    79.
    发明授权
    Resist-modifying composition and pattern forming process 有权
    抗蚀剂改性组合物和图案形成工艺

    公开(公告)号：US08329384B2

    公开(公告)日：2012-12-11

    申请号：US12785930

    申请日：2010-05-24

    申请人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

    发明人： Takeru Watanabe ,  Kazuhiro Katayama ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40

    CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

    摘要： A patterning process includes (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) coating a resist-modifying composition onto the first resist pattern and heating to effect modifying treatment, and (3) coating a second positive resist composition, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The resist modifying composition comprises a base resin comprising recurring units having formula (1) wherein A1 is alkylene, R1 is H or methyl, R2 is alkyl or bond together to form a nitrogen-containing heterocycle, and an alcohol-based solvent.

    摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包括含有式（1）的重复单元的基础树脂，其中A1是亚烷基，R1是H或甲基，R2是烷基或键合在一起形成含氮杂环和醇类溶剂。