公开(公告)号：US08324686B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12355369

申请日：2009-01-16

申请人： Armin Willmeroth ,  Carolin Tolksdorf

发明人： Armin Willmeroth ,  Carolin Tolksdorf

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05691 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and method for manufacturing. One embodiment provides a semiconductor device including an active cell region and a gate pad region. A conductive gate layer is arranged in the active cell region and a conductive resistor layer is arranged in the gate pad region. The resistor layer includes a resistor region which includes a grid-like pattern of openings formed in the resistor layer. A gate pad metallization is arranged at least partially above the resistor layer and in electrical contact with the resistor layer. An electrical connection is formed between the gate layer and the gate pad metallization, wherein the electrical connection includes the resistor region.

摘要翻译： 一种半导体器件及其制造方法。 一个实施例提供了包括有源电池区域和栅极焊盘区域的半导体器件。 导电栅极层布置在有源单元区域中，并且导电电阻层布置在栅极焊盘区域中。 电阻层包括电阻器区域，其包括形成在电阻层中的格栅状的开口。 栅极焊盘金属化至少部分地布置在电阻器层的上方并与电阻层电接触。 在栅极层和栅极焊盘金属化之间形成电连接，其中电连接包括电阻器区域。

公开(公告)号：US08294206B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US13161130

申请日：2011-06-15

申请人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Michael Rueb

发明人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Michael Rueb

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7396

摘要： An integrated circuit device includes a semiconductor body fitted with a first electrode and a second electrode on opposite surfaces. A control electrode on an insulating layer controls channel regions of body zones for a current flow between the two electrodes. A drift section adjoining the channel regions comprises drift zones and charge compensation zones. A part of the charge compensation zones includes conductively connected charge compensation zones electrically connected to the first electrode. Another part includes nearly-floating charge compensation zones, so that an increased control electrode surface has a monolithically integrated additional capacitance CZGD in a cell region of the semiconductor device.

摘要翻译： 集成电路器件包括在相对表面上装配有第一电极和第二电极的半导体本体。 绝缘层上的控制电极控制两个电极之间电流的体区的通道区域。 与沟道区相邻的漂移区包括漂移区和电荷补偿区。 电荷补偿区域的一部分包括与第一电极电连接的导电连接的电荷补偿区。 另一部分包括几乎浮动的电荷补偿区，使得增加的控制电极表面在半导体器件的单元区域中具有单片集成的附加电容CZGD。

公开(公告)号：US08193584B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US12164630

申请日：2008-06-30

申请人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Armin Willmeroth

发明人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Armin Willmeroth

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor component including a drift zone and a drift control zone. One embodiment provides a transistor component having a drift zone, a body zone, a source zone and a drain zone. The drift zone is arranged between the body zone and the drain zone. The body zone is arranged between the source zone and the drift zone.

摘要翻译： 包括漂移区和漂移控制区的半导体组件。 一个实施例提供了具有漂移区，体区，源区和排水区的晶体管组件。 漂移区布置在身体区域和排水区之间。 身体区域布置在源区和漂移区之间。

公开(公告)号：US20110115007A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12962791

申请日：2010-12-08

申请人： Uwe Wahl ,  Armin Willmeroth

发明人： Uwe Wahl ,  Armin Willmeroth

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7823

摘要： A lateral power semiconductor component has a front side, a rear side and a lateral edge. The component further includes a drift zone of a first conductivity type, a source zone of the first conductivity type, a body zone of a second conductivity type opposite the first conductivity type, and a drain zone of the first conductivity type. A gate forms a MOS structure with the drift zone, the source zone and the body zone. A horizontally extending field plate above each semiconductor region of the power semiconductor component forms a plate capacitor structure with an edge plate lying under the field plate. The edge plate includes a highly doped semiconductor material and is electrically connected to one of a source potential and a drain potential of the power semiconductor component.

摘要翻译： 横向功率半导体部件具有前侧，后侧和侧边。 该部件还包括第一导电类型的漂移区，第一导电类型的源区，与第一导电类型相反的第二导电类型的体区和第一导电类型的漏区。 门形成具有漂移区，源区和体区的MOS结构。 在功率半导体部件的每个半导体区域上方的水平延伸的场板形成板状电容器结构，边缘板位于场板下。 边缘板包括高度掺杂的半导体材料，并且电连接到功率半导体部件的源极电位和漏极电位之一。

公开(公告)号：US20090321804A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12164630

申请日：2008-06-30

申请人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Armin Willmeroth

发明人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Armin Willmeroth

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor component including a drift zone and a drift control zone. One embodiment provides a transistor component having a drift zone, a body zone, a source zone and a drain zone. The drift zone is arranged between the body zone and the drain zone. The body zone is arranged between the source zone and the drift zone.

摘要翻译： 包括漂移区和漂移控制区的半导体组件。 一个实施例提供了具有漂移区，体区，源区和排水区的晶体管组件。 漂移区布置在身体区域和排水区之间。 身体区域布置在源区和漂移区之间。

公开(公告)号：US07554137B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US11552804

申请日：2006-10-25

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth ,  Frank Pfirsch

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/2255 ,  H01L23/291 ,  H01L23/298 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component (1) with charge compensation structure (3) has a semiconductor body (4) having a drift path (5) between two electrodes (6, 7). The drift path (5) has drift zones of a first conduction type, which provide a current path between the electrodes (6, 7) in the drift path, while charge compensation zones (11) of a complementary conduction type constrict the current path of the drift path (5). For this purpose, the drift path (5) has two alternately arranged, epitaxially grown diffusion zone types (9, 10), the first drift zone type (9) having monocrystalline semiconductor material on a monocrystalline substrate (12), and a second drift zone type (10) having monocrystalline semiconductor material in a trench structure (13), with complementarily doped walls (14, 15), the complementarily doped walls (14, 15) forming the charge compensation zones (11).

摘要翻译： 具有电荷补偿结构（3）的半导体部件（1）具有在两个电极（6,7）之间具有漂移路径（5）的半导体本体（4）。 漂移路径（5）具有第一导电类型的漂移区，其在漂移路径中的电极（6,7）之间提供电流路径，而互补导电类型的电荷补偿区域（11） 漂移路径（5）。 为此，漂移路径（5）具有两个交替布置的外延生长的扩散区类型（9,10），在单晶衬底（12）上具有单晶半导体材料的第一漂移区类型（9）和第二漂移 在沟槽结构（13）中具有单晶半导体材料的具有互补掺杂壁（14,15）的区域型（10），形成电荷补偿区（11）的互补掺杂壁（14,15）。

公开(公告)号：US20080246055A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US11867411

申请日：2007-10-04

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/16 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

摘要： A semiconductor component comprising a monocrystalline semiconductor body, and to a method for producing the same is disclosed. In one embodiment, the semiconductor body has a semiconductor component structure with regions of a porous-mono crystalline semiconductor.

摘要翻译： 公开了一种包括单晶半导体本体的半导体元件及其制造方法。 在一个实施例中，半导体本体具有具有多孔 - 单晶半导体区域的半导体部件结构。

公开(公告)号：US20080237701A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11866662

申请日：2007-10-03

申请人： Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Carolin Tolksdorf ,  Markus Schmitt

发明人： Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Carolin Tolksdorf ,  Markus Schmitt

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402

摘要： A semiconductor component includes a semiconductor body having an edge with an edge zone of a first conductivity type. Charge compensation regions of a second conductivity type are embedded into the edge zone, with the charge compensation regions extending from a top side of the semiconductor component vertically into the semiconductor body. For the number Ns of charge carriers present in a volume Vs between two charge compensation regions that are adjacent in a direction perpendicular to the edge, and for the number Np of charge carriers present in a volume Vp between two charge compensation regions that are adjacent in a direction parallel to the edge, Np>Ns holds true.

摘要翻译： 半导体部件包括具有边缘的第一导电类型的边缘区域的半导体本体。 第二导电类型的电荷补偿区域被嵌入到边缘区域中，电荷补偿区域从半导体组件的顶侧垂直延伸到半导体本体中。 对于在垂直于边缘的方向上相邻的两个电荷补偿区域之间存在的体积V S s中存在的电荷载体的数量N SUB，以及数字N < 在与边缘平行的方向上相邻的两个电荷补偿区域之间存在于体积V p p中的电荷载体的SUB> p N N _成立。

公开(公告)号：US20080203470A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11712340

申请日：2007-02-28

申请人： Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Giulliano Rocco Aloise

发明人： Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Giulliano Rocco Aloise

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66659

摘要： A transistor is provided which includes a lateral compensation component. The lateral compensation component includes a plurality of n (or n−) layer/p (or p−) layer pairs, wherein adjacent ones of said pairs are separated by one of an insulator region and/or an intrinsic silicon region.

摘要翻译： 提供了包括横向补偿部件的晶体管。 横向补偿分量包括多个n（或n）层/ p（或p-）层对，其中所述对中的相邻对由绝缘体区域和/或本征硅区域之一分隔开。

公开(公告)号：US20070108512A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11552804

申请日：2006-10-25

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth ,  Frank Pfirsch

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/2255 ,  H01L23/291 ,  H01L23/298 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a power semiconductor component (1) with charge compensation structure (3) and a method for the fabrication thereof. For this purpose, the power semiconductor component (1) has a semiconductor body (4) having a drift path (5) between two electrodes (6, 7). The drift path (5) has drift zones of a first conduction type, which provide a current path between the electrodes (6, 7) in the drift path, while charge compensation zones (11) of a complementary conduction type constrict the current path of the drift path (5). For this purpose, the drift path (5) has two alternately arranged, epitaxially grown diffusion zone types (9, 10), the first drift zone type (9) having monocrystalline semiconductor material on a monocrystalline substrate (12), and a second drift zone type (10) having monocrystalline semiconductor material in a trench structure (13), with complementarily doped walls (14, 15), the complementarily doped walls (14, 15) forming the charge compensation zones (11).

摘要翻译： 本发明涉及具有电荷补偿结构（3）的功率半导体元件（1）及其制造方法。 为此，功率半导体部件（1）具有在两个电极（6,7）之间具有漂移路径（5）的半导体本体（4）。 漂移路径（5）具有第一导电类型的漂移区，其在漂移路径中的电极（6,7）之间提供电流路径，而互补导电类型的电荷补偿区域（11） 漂移路径（5）。 为此，漂移路径（5）具有两个交替布置的外延生长的扩散区类型（9,10），在单晶衬底（12）上具有单晶半导体材料的第一漂移区类型（9）和第二漂移 在沟槽结构（13）中具有单晶半导体材料的具有互补掺杂壁（14,15）的区域型（10），形成电荷补偿区（11）的互补掺杂壁（14,15）。