公开(公告)号：US20090162550A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12303250

申请日：2006-12-29

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07F1/08 ,  C09D5/00

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07C275/70

摘要： Copper (I) amidinate and copper (I) guanidinate precursors for forming copper thin films in the manufacture of microelectronic device articles, e.g., using chemical vapor deposition, atomic layer deposition, and rapid vapor deposition processes, as well as mixed ligand copper complexes suitable for such processes. Also described are solvent/additive compositions for copper precursors for CVD/ALD of copper metal films, which are highly advantageous for liquid delivery of such copper amidinates and copper guanidinates, as well as for other organocopper precursor compounds and complexes, e.g., copper isoureate complexes.

摘要翻译： 在微电子器件制品的制造中，例如使用化学气相沉积，原子层沉积和快速气相沉积工艺以及混合配体铜络合物合适的铜（I）脒和铜（I）胍形成铜薄膜的前体， 对于这样的过程。 还描述了用于铜金属膜的CVD / ALD的铜前体的溶剂/添加剂组合物，其对于这种铜脒酸盐和胍盐酸胍以及其它有机铜前体化合物和络合物的液体递送是非常有利的，例如铜异氰酸酯络合物 。

公开(公告)号：US07531679B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US10294431

申请日：2002-11-14

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan Hendrix ,  Jeffrey Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan Hendrix ,  Jeffrey Roeder

IPC分类号： C07F7/10 ,  C23C14/10

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,

摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。

公开(公告)号：US07531031B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US12119362

申请日：2008-05-12

申请人： Chongying Xu ,  Alexander S. Borovik ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Alexander S. Borovik ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07F1/08

CPC分类号： C07C257/14 ,  C07F1/005 ,  C23C16/18

摘要： Copper (I) amidinate precursors for forming copper thin films in the manufacture of semiconductor devices, and a method of depositing the copper (I) amidinate precursors on substrates using chemical vapor deposition or atomic layer deposition processes.

摘要翻译： 用于在制造半导体器件中形成铜薄膜的铜（I）脒前体，以及使用化学气相沉积或原子层沉积工艺在基片上沉积铜（I）脒前体的方法。

公开(公告)号：US07475588B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US11057734

申请日：2005-02-14

申请人： Frank Dimeo, Jr. ,  Philip S. H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawacz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Frank Dimeo, Jr. ,  Philip S. H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawacz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： G01N9/00

CPC分类号： G01N27/128 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32981 ,  Y10T29/49007 ,  Y10T436/17 ,  Y10T436/19

摘要： A gas detector and process for detecting a fluorine-containing species in a gas containing same, e.g., an effluent of a semiconductor processing tool undergoing etch cleaning with HF, NF3, etc. The detector in a preferred structural arrangement employs a microelectromechanical system (MEMS)-based device structure and/or a free-standing metal element that functions as a sensing component and optionally as a heat source when elevated temperature sensing is required. The free-standing metal element can be fabricated directly onto a standard chip carrier/device package so that the package becomes a platform of the detector.

摘要翻译： 用于检测含有其的气体中的含氟物质的气体检测器和方法，例如用HF，NF 3等进行蚀刻清洁的半导体加工工具的流出物。优选的结构布置中的检测器采用微机电系统（MEMS） ）的器件结构和/或独立的金属元件，其在需要升高的温度感测时用作感测部件并且可选地作为热源。 独立的金属元件可以直接制造在标准芯片载体/器件封装上，使得封装成为检测器的平台。

公开(公告)号：US07456488B2

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：US10301109

申请日：2002-11-21

申请人： Chongying Xu ,  Alexander S. Borovik ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Alexander S. Borovik ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L31/0256

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2985 ,  Y10T428/2998

摘要： A porogen material for forming a dielectric porous film. The porogen material may include a silicon based dielectric precursor and a silicon containing porogen. The porous film may have a substantially uniform dielectric constant value throughout. Methods of forming the porous film as well as semiconductor devices employing circuit features isolated by the porous film are also present.

公开(公告)号：US07446217B2

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US10699079

申请日：2003-10-31

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C07F7/02 ,  C23C16/34

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： This invention relates to silicon precursor compositions for forming silicon-containing films by low temperature (e.g.,

摘要翻译： 本发明涉及通过用于制造ULSI器件和器件结构的低温（例如，<300℃）的化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物。 这种硅前体组合物包含至少一个完全被烷基氨基和/或二烷基氨基官能团取代的二烷基硅烷衍生物化合物。

公开(公告)号：US07437060B2

公开(公告)日：2008-10-14

申请号：US11157733

申请日：2005-06-21

申请人： Luping Wang ,  Thomas H. Baum ,  Chongying Xu

发明人： Luping Wang ,  Thomas H. Baum ,  Chongying Xu

IPC分类号： B01D7/00

CPC分类号： C23C16/4481 ,  B01D1/0082

摘要： A delivery system for vaporizing and delivering vaporized solid and liquid precursor materials at a controlled rate having particular utility for semiconductor manufacturing applications. The system includes a vaporization vessel, a processing tool and a connecting vapor line therebetween, where the system further includes an input flow controller and/or an output flow controller to provide a controlled delivery of a vaporizable source material to the vaporization vessel and a controlled flow rate of vaporized source material to the processing tool.

摘要翻译： 一种用于以对于半导体制造应用具有特殊用途的受控速率蒸发并递送蒸发的固体和液体前体材料的输送系统。 该系统包括蒸发容器，处理工具和它们之间的连接蒸汽管线，其中系统还包括输入流量控制器和/或输出流量控制器，以向蒸发容器提供可蒸发的源材料的受控输送， 蒸发的原料流向加工工具的流量。

公开(公告)号：US20080242880A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US12058751

申请日：2008-03-30

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Juan E. Dominguez ,  Adrien R. Lavoie ,  Harsono S. Simka

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Juan E. Dominguez ,  Adrien R. Lavoie ,  Harsono S. Simka

IPC分类号： C07F1/08 ,  C09D5/00 ,  C23C16/54

CPC分类号： C07F17/00 ,  C23C16/45553

摘要： Copper precursors useful for depositing copper or copper-containing films on substrates, e.g., microelectronic device substrates or other surfaces. The precursors includes copper compounds of various classes, including copper borohydrides, copper compounds with cyclopentadienyl-type ligands, copper compounds with cyclopentadienyl-type and isocyanide ligands, and stabilized copper hydrides. The precursors can be utilized in solid or liquid forms that are volatilized to form precursor vapor for contacting with the substrate, to form deposited copper by techniques such as chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD) or rapid vapor deposition (digital CVD).

摘要翻译： 用于在基底上沉积铜或含铜膜的铜前体，例如微电子器件衬底或其它表面。 前体包括各种类型的铜化合物，包括硼氢化铜，具有环戊二烯基型配体的铜化合物，具有环戊二烯基型的铜化合物和异氰化物配体，以及稳定的氢化铜。 这些前体可以固体或液体形式使用，以便形成用于与基底接触的前体蒸气，通过诸如化学气相沉积（CVD），原子层沉积（ALD）或快速蒸镀（数字式）技术形成沉积的铜 CVD）。

公开(公告)号：US07423166B2

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：US10650282

申请日：2003-08-28

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Ravi K. Laxman ,  Alexander S. Borovik

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Ravi K. Laxman ,  Alexander S. Borovik

IPC分类号： C07F7/08

CPC分类号： C07F7/089 ,  B01D3/36 ,  C07F7/20 ,  C07F7/21 ,  C08G77/045 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/34 ,  C08L83/04 ,  C09D4/00 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4402 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3122 ,  C08L2666/28 ,  C08G77/04

摘要： A siloxane dielectric precursor for use in a chemical vapor deposition (CVD) process, which has been dosed with a stabilizing agent(s) selected from free-radical inhibitors, end-capping agents and mixtures thereof. The stabilized siloxane dielectric precursor reduces the occurrence of premature deposition reactions occurring in the heated environment of the CVD delivery lines and process hardware.

摘要翻译： 一种用于化学气相沉积（CVD）工艺的硅氧烷介电前体，其已经配备有选自自由基抑制剂，封端剂及其混合物的稳定剂。 稳定的硅氧烷电介质前体减少了在CVD输送线和加工硬件的加热环境中发生的过早沉积反应的发生。

公开(公告)号：US07371880B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11626363

申请日：2007-01-23

申请人： Chongying Xu ,  Alexander Borovik ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Alexander Borovik ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C07F1/08 ,  C23C16/00

CPC分类号： C07C257/14 ,  C07F1/005 ,  C23C16/18

摘要： Copper (I) amidinate precursors for forming copper thin films in the manufacture of semiconductor devices, and a method of depositing the copper (I) amidinate precursors on substrates using chemical vapor deposition or atomic layer deposition processes.

摘要翻译： 用于在制造半导体器件中形成铜薄膜的铜（I）脒前体，以及使用化学气相沉积或原子层沉积工艺在基片上沉积铜（I）脒前体的方法。