公开(公告)号：US08866538B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13824993

申请日：2012-01-12

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Bongjun Kim ,  Sun Shin Kwag ,  Jun Sik Kim

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Bongjun Kim ,  Sun Shin Kwag ,  Jun Sik Kim

IPC分类号： G05F1/10 ,  G05F3/02

CPC分类号： G05F3/02 ,  G05F3/16 ,  H02M2001/327

摘要： The present inventive concept is a hyuntak transistor that can prevent a thermal runaway phenomenon and a low heat high efficiency constant current circuit using an auxiliary transistor capable of a high amplification and a constant current. The circuit may be applied to drive a LED and a motor.

摘要翻译： 本发明构思是可以使用能够实现高放大和恒定电流的辅助晶体管来防止热失控现象的hyuntak晶体管和低热高效率恒流电路。 该电路可用于驱动LED和电动机。

公开(公告)号：US08536554B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US12599248

申请日：2008-05-07

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Bong-Jun Kim ,  Sung-Youl Choi ,  Sun-Jin Yun

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Bong-Jun Kim ,  Sung-Youl Choi ,  Sun-Jin Yun

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided are a 3-terminal MIT switch which can easily control a discontinuous MIT jump and does not need a conventional gate insulating layer, a switching system including the 3-terminal MIT switch, and a method of controlling an MIT of the 3-terminal MIT switch. The 3-terminal MIT switch includes a 2-terminal MIT device, which generates discontinuous MIT in a transition voltage, an inlet electrode and an outlet electrode, which are respectively connected to each terminal of the 2-terminal MIT device, and a control electrode, which is connected to the inlet electrode and includes an external terminal separated from an external terminal of the inlet electrode, wherein an MIT of the 2-terminal MIT device is controlled according to a voltage or a current applied to the control electrode. The switching system includes the 3-terminal MIT switch, a voltage source connected to the inlet electrode, and a control source connected to the control electrode.

摘要翻译： 提供了一种三端MIT开关，其可以容易地控制不连续的MIT跳转，并且不需要传统的栅极绝缘层，包括3端子MIT开关的开关系统以及控制三端MIT的MIT的方法 开关。 3端MIT开关包括2端MIT装置，其分别连接到2端MIT装置的每个端子，产生过渡电压的不连续MIT，入口电极和出口电极以及控制电极 ，其连接到入口电极并且包括与入口电极的外部端子分离的外部端子，其中根据施加到控制电极的电压或电流来控制2端子MIT装置的MIT。 开关系统包括三端MIT开关，连接到入口电极的电压源和连接到控制电极的控制源。

公开(公告)号：US08247806B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12649321

申请日：2009-12-29

申请人： Byung-Gyu Chae ,  Hyun Tak Kim

发明人： Byung-Gyu Chae ,  Hyun Tak Kim

IPC分类号： H01L51/30

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0541

摘要： Provided is a field effect transistor including a graphene channel layer, and capable of increasing an on/off ratio of an operating current by using the graphene of the graphene channel layer. The field effect transistor includes: a substrate; the graphene channel layer which is disposed on a portion of the substrate and includes graphene; a first electrode disposed on a first region of the graphene channel layer and a portion of the substrate; an interlayer disposed on a second region of the graphene channel layer, which is apart from the first region, and a portion of the substrate; a second electrode disposed on the interlayer; a gate insulation layer disposed on a portion of the graphene channel layer, the first electrode, and the second electrode; and a gate electrode disposed on a portion of the gate insulation layer.

摘要翻译： 提供了包括石墨烯通道层的场效应晶体管，并且能够通过使用石墨烯沟道层的石墨烯来提高工作电流的导通/截止比。 场效应晶体管包括：衬底; 所述石墨烯通道层设置在所述基板的一部分上并且包括石墨烯; 设置在所述石墨烯通道层的第一区域上的第一电极和所述基板的一部分; 设置在离开第一区域的石墨烯通道层的第二区域上的中间层和基板的一部分; 设置在所述中间层上的第二电极; 设置在石墨烯通道层，第一电极和第二电极的一部分上的栅极绝缘层; 以及设置在栅极绝缘层的一部分上的栅电极。

公开(公告)号：US20110043141A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12919195

申请日：2009-02-23

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Sun-Jin Yun ,  Dae-Yong Kim

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Sun-Jin Yun ,  Dae-Yong Kim

IPC分类号： H05B37/02 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8234 ,  H03K3/011

CPC分类号： H01L27/067 ,  H01L49/003

摘要： Provided are a MIT device self-heating preventive-circuit that can solve a self-heating problem of a MIT device and a method of manufacturing a MIT device self-heating preventive-circuit integrated device. The MIT device self-heating preventive-circuit includes a MIT device that generates an abrupt MIT at a temperature equal to or greater than a critical temperature and is connected to a current driving device to control the flow of current in the current driving device, a transistor that is connected to the MIT device to control the self-heating of the MIT device after generating the MIT in the MIT device, and a resistor connected to the MIT device and the transistor.

摘要翻译： 提供了能够解决MIT装置的自发热问题的MIT装置自发热防止电路以及制造MIT装置自发热防止电路集成装置的方法。 MIT装置自发热防止电路包括MIT装置，其在等于或大于临界温度的温度下产生突然的MIT，并连接到电流驱动装置以控制当前驱动装置中的电流流动， 晶体管，其连接到MIT装置，以在MIT装置中产生MIT之后控制MIT装置的自发热，以及连接到MIT装置和晶体管的电阻器。

公开(公告)号：US20100182034A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12376668

申请日：2007-07-05

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun ,  Sang-Kuk Choi

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun ,  Sang-Kuk Choi

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2641

摘要： Provided are a circuit for continuously measuring a discontinuous metal-insulator transition (MIT) of an MIT element and an MIT sensor using the circuit. The circuit comprises a to-be-measured object unit including the MIT element having a discontinuous MIT occurring at the transition voltage thereof, a power supply unit applying a predetermined pulse current or voltage signal to the to-be-measured object unit, a measurement unit measuring the discontinuous MIT of the MIT element, and a microprocessor controlling the power supply unit and the measurement unit. The discontinuous MIT measurement circuit continuously measures the discontinuous MIT of the MIT element, and thus it can be used as a sensor for sensing a variation in an external factor.

摘要翻译： 提供了一种用于连续测量使用该电路的MIT元件和MIT传感器的不连续金属 - 绝缘体转变（MIT）的电路。 该电路包括被测量对象单元，其包括具有在其转变电压下出现的不连续MIT的MIT元件，向待测量对象单元施加预定脉冲电流或电压信号的电源单元， 测量MIT元件的不连续MIT的单元，以及控制电源单元和测量单元的微处理器。 不连续的MIT测量电路连续测量MIT元件的不连续MIT，因此它可以用作感测外部因素变化的传感器。

公开(公告)号：US07728327B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11011878

申请日：2004-12-13

申请人： Hyun Tak Kim ,  Doo Hyeb Youn ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Yong Sik Lim ,  Gyungock Kim ,  Sunglyul Maeng ,  Seong Hyun Kim

发明人： Hyun Tak Kim ,  Doo Hyeb Youn ,  Byung Gyu Chae ,  Kwang Yong Kang ,  Yong Sik Lim ,  Gyungock Kim ,  Sunglyul Maeng ,  Seong Hyun Kim

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： Provided is a 2-terminal semiconductor device that uses an abrupt MIT semiconductor material layer. The 2-terminal semiconductor device includes a first electrode layer, an abrupt MIT semiconductor organic or inorganic material layer having an energy gap less than 2eV and holes in a hole level disposed on the first electrode layer, and a second electrode layer disposed on the abrupt MIT semiconductor organic or inorganic material layer. An abrupt MIT is generated in the abrupt MIT semiconductor material layer by a field applied between the first electrode layer and the second electrode layer.

摘要翻译： 提供了使用突变MIT半导体材料层的2端子半导体器件。 2端子半导体器件包括第一电极层，具有小于2eV的能隙的突变MIT半导体有机或无机材料层和设置在第一电极层上的空穴层中的孔，以及设置在突发上的第二电极层 MIT半导体有机或无机材料层。 通过施加在第一电极层和第二电极层之间的场，在突变MIT半导体材料层中产生突变MIT。

公开(公告)号：US20100071751A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12564839

申请日：2009-09-22

申请人： Hyun Tak KIM ,  Bongjun KIM ,  Sun Jin YUN ,  Byung Gyu CHAE ,  Jung Wook LIM

发明人： Hyun Tak KIM ,  Bongjun KIM ,  Sun Jin YUN ,  Byung Gyu CHAE ,  Jung Wook LIM

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/0328 ,  Y02E10/50

摘要： Provided are a photo-induced metal-insulator-transition (MIT) material complex for a solar cell which can be used to manufacture highly efficient solar cells with more carriers than an impurity solar cell, and a solar cell including the MIT material complex, and a solar cell module. The solar cell includes: a substrate; a lower electrode formed on the substrate; a photo-induced MIT material complex formed on the lower electrode, wherein electrons and holes are formed when light is incident on n-type and p-type metal conductors that are bonded to each other, and the electrons and holes in an intrinsic energy level or gap become carriers, and a potential difference is generated; an anti-reflection layer formed on the MIT material complex; and an upper electrode that is formed to pass through the anti-reflection layer and to contact the MIT material complex. The n-type and p-type metal conductors are MIT materials which are insulators (or semiconductors) that have a metallic electronic structure at room temperature and also intrinsic energy levels, and an odd number of electrons or holes are in their outermost electron shell of the metallic electronic structure of the MIT materials. When an intrinsic energy level of the solar cell is broken, a greater number of carriers are induced than the number of carriers induced from an impurity level of a semiconductor. Accordingly, the solar cell has more carriers than carriers induced from an impurity level of a semiconductor solar cell.

摘要翻译： 提供了一种用于太阳能电池的光致金属 - 绝缘体转变（MIT）材料复合体，其可用于制造具有比杂质太阳能电池更多载体的高效太阳能电池，以及包括MIT材料复合物的太阳能电池，以及 一个太阳能电池组件。 太阳能电池包括：基板; 形成在所述基板上的下电极; 形成在下电极上的光致MIT材料复合体，其中当光入射到彼此结合的n型和p型金属导体上时形成电子和空穴，并且具有固有能级的电子和空穴 或间隙成为载流子，产生电位差; 形成在MIT材料复合体上的抗反射层; 以及形成为穿过抗反射层并与MIT材料复合体接触的上电极。 n型和p型金属导体是MIT材料，它们是在室温下具有金属电子结构并且还具有固有能级的绝缘体（或半导体），并且奇数数量的电子或空穴在其最外面的电子壳中 MIT材料的金属电子结构。 当太阳能电池的固有能级被破坏时，与从半导体的杂质水平引起的载流子数相比，引起更多的载流子。 因此，太阳能电池具有比由半导体太阳能电池的杂质水平诱发的载流子更多的载流子。

公开(公告)号：US20100066411A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12447922

申请日：2007-08-07

申请人： JungWook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Hyun-Tak Kim

发明人： JungWook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Hyun-Tak Kim

IPC分类号： H03K19/08 ,  H03K19/20

CPC分类号： H03K19/20

摘要： Provided is a logic circuit comprising a metal-insulator transition (MIT) device, including: an MIT device unit including an MIT thin film, an electrode thin film contacting the MIT thin film, and at least one MIT device undergoing a discontinuous MIT at a transition voltage VT; a power source unit including at least one power source applying power to the MIT device; and at least one resistor connected to the MIT device, wherein a logic operation is performed on a signal through the power source to output the result of the logic operation as an output signal.

摘要翻译： 提供了一种包括金属 - 绝缘体转变（MIT）器件的逻辑电路，包括：包括MIT薄膜的MIT器件单元，与MIT薄膜接触的电极薄膜以及经历不连续MIT的至少一个MIT器件， 转换电压VT; 电源单元，包括向MIT设备施加电力的至少一个电源; 以及连接到MIT装置的至少一个电阻器，其中对通过电源的信号执行逻辑运算，以将逻辑运算的结果输出为输出信号。

公开(公告)号：US20080297358A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US12090084

申请日：2006-06-27

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Yong Wook Lee ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim ,  Sang Kuk Choi ,  Sun Jin Yun

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Yong Wook Lee ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim ,  Sang Kuk Choi ,  Sun Jin Yun

IPC分类号： G08B17/06 ,  G01K7/16

CPC分类号： G01K3/005 ,  G01K7/22

摘要： Provided are a temperature sensor using a metal-insulator transition (MIT) device subject to abrupt MIT at a specific temperature and an alarm including the temperature sensor. The abrupt MIT device includes an abrupt MIT thin film and at least two electrode thin films that contacts the abrupt MIT thin film. The abrupt MIT device generates abrupt metal-insulator transition at a specific transition temperature. The alarm includes a temperature sensor comprising an abrupt MIT device, and an alarm signaling device serially connected to the temperature sensor. Accordingly, the alarm can be manufactured to have a simple circuit and be of a small size by including the temperature sensor using an abrupt MIT device.

摘要翻译： 提供了使用在特定温度下经受突然MIT的金属 - 绝缘体转变（MIT）装置的温度传感器和包括温度传感器的警报。 突变的MIT装置包括突变的MIT薄膜和至少两个接触突变的MIT薄膜的电极薄膜。 突变MIT器件在特定转变温度下产生突然的金属 - 绝缘体转变。 报警装置包括一个温度传感器，它包括一个突然的MIT装置，和一个串联连接到温度传感器的报警信号装置。 因此，通过使用突然的MIT装置包括温度传感器，可以将报警器制造成具有简单的电路并且尺寸小。

公开(公告)号：US20080142900A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US12021764

申请日：2008-01-29

申请人： Hyun Tak KIM ,  Kwang Yong KANG ,  Bong Jun KIM ,  Yong Wook LEE ,  Sun Jin YUN ,  Byung Gyu CHAE ,  Gyung Ock KIM

发明人： Hyun Tak KIM ,  Kwang Yong KANG ,  Bong Jun KIM ,  Yong Wook LEE ,  Sun Jin YUN ,  Byung Gyu CHAE ,  Gyung Ock KIM

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided are an abrupt metal-insulator transition (MIT) device for bypassing super-high voltage noise to protect an electric and/or electronic system, such as, a high-voltage switch, from a super-high voltage, a high-voltage noise removing circuit for bypassing the super-high voltage noise using the abrupt MIT device, and an electric and/or electronic system including the high-voltage noise removing circuit. The abrupt MIT device includes a substrate, a first abrupt MIT structure, and a second abrupt MIT structure. The first and second abrupt MIT structures are formed on an upper surface and a lower surface, respectively, of the substrate. The high-voltage noise removing circuit includes an abrupt MIT device chain connected in parallel to the electric and/or electronic system to be protected. The abrupt MIT device chain includes at least two abrupt MIT devices serially connected to each other.

摘要翻译： 提供了用于绕过超高压噪声以保护诸如高压开关的电和/或电子系统的突发金属 - 绝缘体转变（MIT）装置，从超高电压，高压噪声 使用突发MIT装置绕过超高压噪声的除电路，以及包括高压噪声去除电路的电气和/或电子系统。 突变MIT装置包括基板，第一突发MIT结构和第二突发MIT结构。 第一和第二突变MIT结构分别形成在基板的上表面和下表面上。 高电压噪声去除电路包括与要保护的电和/或电子系统并联连接的突变MIT装置链。 突发MIT设备链包括彼此串行连接的至少两个突发MIT设备。