公开(公告)号：US06955983B2

公开(公告)日：2005-10-18

申请号：US10373368

申请日：2003-02-24

申请人： Ju-young Yun ,  Gil-heyun Choi ,  Byung-hee Kim ,  Jong-myeong Lee ,  Seung-gil Yang ,  Jung-hun Seo

发明人： Ju-young Yun ,  Gil-heyun Choi ,  Byung-hee Kim ,  Jong-myeong Lee ,  Seung-gil Yang ,  Jung-hun Seo

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

摘要： A metal interconnection of a semiconductor device is fabricated by forming a dielectric pattern including a hole therein on a substrate, and forming a barrier metal layer in the hole and on the dielectric layer pattern outside the hole. At least some of the barrier metal layer is oxidized. An anti-nucleation layer is selectively formed on the oxidized barrier metal layer outside the hole that exposes the oxidized barrier metal layer in the hole. A metal layer then is selectively formed on the exposed oxidized barrier layer in the hole.

摘要翻译： 半导体器件的金属互连通过在衬底上形成包括孔的电介质图案，并在孔的外部和电介质层图案上形成阻挡金属层来制造。 至少一些阻挡金属层被氧化。 在孔的氧化阻挡金属层上选择性地形成抗成核层，该氧化的阻挡金属层露出孔中的氧化的阻挡金属层。 然后在孔中的暴露的氧化阻挡层上选择性地形成金属层。

公开(公告)号：US07384866B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US11095006

申请日：2005-03-31

申请人： Ju-young Yun ,  Gil-heyun Choi ,  Byung-hee Kim ,  Jong-myeong Lee ,  Seung-gil Yang ,  Jung-hun Seo

发明人： Ju-young Yun ,  Gil-heyun Choi ,  Byung-hee Kim ,  Jong-myeong Lee ,  Seung-gil Yang ,  Jung-hun Seo

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

摘要： A metal interconnection of a semiconductor device is fabricated by forming a dielectric pattern including a hole therein on a substrate, and forming a barrier metal layer in the hole and on the dielectric layer pattern outside the hole. At least some of the barrier metal layer is oxidized. An anti-nucleation layer is selectively formed on the oxidized barrier metal layer outside the hole that exposes the oxidized barrier metal layer in the hole. A metal layer then is selectively formed on the exposed oxidized barrier layer in the hole.

摘要翻译： 半导体器件的金属互连通过在衬底上形成包括孔的电介质图案，并在孔的外部和电介质层图案上形成阻挡金属层来制造。 至少一些阻挡金属层被氧化。 在孔的氧化阻挡金属层上选择性地形成抗成核层，该氧化的阻挡金属层露出孔中的氧化的阻挡金属层。 然后在孔中的暴露的氧化阻挡层上选择性地形成金属层。

公开(公告)号：US20080003711A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11686205

申请日：2007-03-14

申请人： Seong-Hwee CHEONG ,  Sang-Woo LEE ,  Jin-Ho PARK ,  Seung-Gil YANG ,  Brad H. LEE

发明人： Seong-Hwee CHEONG ,  Sang-Woo LEE ,  Jin-Ho PARK ,  Seung-Gil YANG ,  Brad H. LEE

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/28282 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/4234

摘要： In one embodiment, a nonvolatile memory device can be fabricated by forming first metallic dots on a charge storage film using first source gas, forming substitution dots on the charge storage film on which the first metallic dots are formed and forming second metallic dots using a second source gas.

摘要翻译： 在一个实施例中，可以通过使用第一源气体在电荷存储膜上形成第一金属点来形成非易失性存储器件，在形成有第一金属点的电荷存储膜上形成取代点，并使用第二金属点形成第二金属点 源气。

公开(公告)号：US07759248B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11585087

申请日：2006-10-24

申请人： Seong-Hwee Cheong ,  Sang-Woo Lee ,  Jong-Won Hong ,  Seung-Gil Yang ,  Kyung-In Choi ,  Hyun-Bae Lee

发明人： Seong-Hwee Cheong ,  Sang-Woo Lee ,  Jong-Won Hong ,  Seung-Gil Yang ,  Kyung-In Choi ,  Hyun-Bae Lee

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

摘要： A semiconductor memory device and a method of fabricating the same are disclosed. The semiconductor memory device may include a conductive layer doped with impurities, a non-conductive layer on the conductive layer and undoped with impurities, an interlayer insulating film on the non-conductive layer and having a contact hole for exposing an upper surface of the non-conductive layer, an ohmic tungsten film on the contact hole, a lower portion of the ohmic tungsten film permeating the non-conductive layer to come in contact with the conductive layer, a tungsten nitride film on the contact hole on the ohmic tungsten film, and a tungsten film on the tungsten nitride film to fill the contact hole.

摘要翻译： 公开了一种半导体存储器件及其制造方法。 半导体存储器件可以包括掺杂有杂质的导电层，在导电层上不掺杂的非导电层，在非导电层上的层间绝缘膜，并且具有用于暴露非导电层的上表面的接触孔 导电层，接触孔上的欧姆钨膜，渗透非导电层的欧姆钨膜的下部与导电层接触，在欧姆钨膜上的接触孔上形成氮化钨膜， 并在氮化钨膜上形成钨膜以填充接触孔。

公开(公告)号：US07410892B2

公开(公告)日：2008-08-12

申请号：US11375914

申请日：2006-03-15

申请人： Hee-Sook Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Kwang-Jin Moon ,  Hyun-Su Kim ,  Seung-Gil Yang

发明人： Hee-Sook Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Kwang-Jin Moon ,  Hyun-Su Kim ,  Seung-Gil Yang

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L27/10885 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L24/02 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit device, e.g., a memory device, includes a substrate, a first insulation layer on the substrate, and a contact pad disposed in the first insulation layer in direct contact with the substrate. A second insulation layer is disposed on the first insulation layer. A conductive pattern, e.g., a damascene bit line, is disposed in the second insulation layer. A conductive plug extends through the second insulation layer to contact the contact pad and is self-aligned to the conductive pattern. An insulation film may separate the conductive pattern and the conductive plug. A glue layer may be disposed between the conductive pattern and the second insulation layer. The device may further include a third insulation layer on the second insulation layer and the conductive pattern, and the conductive plug may extend through the second and third insulation layers.

摘要翻译： 集成电路器件，例如存储器件，包括衬底，衬底上的第一绝缘层，以及设置在与衬底直接接触的第一绝缘层中的接触焊盘。 第二绝缘层设置在第一绝缘层上。 导电图案，例如镶嵌位线，设置在第二绝缘层中。 导电插塞延伸穿过第二绝缘层以接触接触焊盘并且与导电图案自对准。 绝缘膜可以分离导电图案和导电插头。 胶层可以设置在导电图案和第二绝缘层之间。 该器件还可以包括在第二绝缘层和导电图案上的第三绝缘层，并且导电插塞可延伸穿过第二和第三绝缘层。

公开(公告)号：US07045842B2

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：US10779440

申请日：2004-02-13

申请人： Hee-Sook Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Kwang-Jin Moon ,  Hyun-Su Kim ,  Seung-Gil Yang

发明人： Hee-Sook Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Kwang-Jin Moon ,  Hyun-Su Kim ,  Seung-Gil Yang

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/10885 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L24/02 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit device, e.g., a memory device, includes a substrate, a first insulation layer on the substrate, and a contact pad disposed in the first insulation layer in direct contact with the substrate. A second insulation layer is disposed on the first insulation layer. A conductive pattern, e.g., a damascene bit line, is disposed in the second insulation layer. A conductive plug extends through the second insulation layer to contact the contact pad and is self-aligned to the conductive pattern. An insulation film may separate the conductive pattern and the conductive plug. A glue layer may be disposed between the conductive pattern and the second insulation layer. The device may further include a third insulation layer on the second insulation layer and the conductive pattern, and the conductive plug may extend through the second and third insulation layers.

摘要翻译： 集成电路器件，例如存储器件，包括衬底，衬底上的第一绝缘层，以及设置在与衬底直接接触的第一绝缘层中的接触焊盘。 第二绝缘层设置在第一绝缘层上。 导电图案，例如镶嵌位线，设置在第二绝缘层中。 导电插塞延伸穿过第二绝缘层以接触接触焊盘并且与导电图案自对准。 绝缘膜可以分离导电图案和导电插头。 胶层可以设置在导电图案和第二绝缘层之间。 该器件还可以包括在第二绝缘层和导电图案上的第三绝缘层，并且导电插塞可延伸穿过第二和第三绝缘层。

公开(公告)号：US20070134914A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：US11585087

申请日：2006-10-24

申请人： Seong-Hwee Cheong ,  Sang-Woo Lee ,  Jong-Won Hong ,  Seung-Gil Yang ,  Kyung-In Choi ,  Hyun-Bae Lee

发明人： Seong-Hwee Cheong ,  Sang-Woo Lee ,  Jong-Won Hong ,  Seung-Gil Yang ,  Kyung-In Choi ,  Hyun-Bae Lee

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

摘要： A semiconductor memory device and a method of fabricating the same are disclosed. The semiconductor memory device may include a conductive layer doped with impurities, a non-conductive layer on the conductive layer and undoped with impurities, an interlayer insulating film on the non-conductive layer and having a contact hole for exposing an upper surface of the non-conductive layer, an ohmic tungsten film on the contact hole, a lower portion of the ohmic tungsten film permeating the non-conductive layer to come in contact with the conductive layer, a tungsten nitride film on the contact hole on the ohmic tungsten film, and a tungsten film on the tungsten nitride film to fill the contact hole.

摘要翻译： 公开了一种半导体存储器件及其制造方法。 半导体存储器件可以包括掺杂有杂质的导电层，在导电层上不掺杂的非导电层，在非导电层上的层间绝缘膜，并且具有用于暴露非导电层的上表面的接触孔 导电层，接触孔上的欧姆钨膜，渗透非导电层的欧姆钨膜的下部与导电层接触，在欧姆钨膜上的接触孔上形成氮化钨膜， 并在氮化钨膜上形成钨膜以填充接触孔。

公开(公告)号：US20060194432A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US11375914

申请日：2006-03-15

申请人： Hee-Sook Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Kwang-Jin Moon ,  Hyun-Su Kim ,  Seung-Gil Yang

发明人： Hee-Sook Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Kwang-Jin Moon ,  Hyun-Su Kim ,  Seung-Gil Yang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L27/10885 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L24/02 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit device, e.g., a memory device, includes a substrate, a first insulation layer on the substrate, and a contact pad disposed in the first insulation layer in direct contact with the substrate. A second insulation layer is disposed on the first insulation layer. A conductive pattern, e.g., a damascene bit line, is disposed in the second insulation layer. A conductive plug extends through the second insulation layer to contact the contact pad and is self-aligned to the conductive pattern. An insulation film may separate the conductive pattern and the conductive plug. A glue layer may be disposed between the conductive pattern and the second insulation layer. The device may further include a third insulation layer on the second insulation layer and the conductive pattern, and the conductive plug may extend through the second and third insulation layers.

摘要翻译： 集成电路器件，例如存储器件，包括衬底，衬底上的第一绝缘层，以及设置在与衬底直接接触的第一绝缘层中的接触焊盘。 第二绝缘层设置在第一绝缘层上。 导电图案，例如镶嵌位线，设置在第二绝缘层中。 导电插塞延伸穿过第二绝缘层以接触接触焊盘并且与导电图案自对准。 绝缘膜可以分离导电图案和导电插头。 胶层可以设置在导电图案和第二绝缘层之间。 该器件还可以包括在第二绝缘层和导电图案上的第三绝缘层，并且导电插塞可延伸穿过第二和第三绝缘层。

公开(公告)号：US07507627B2

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：US11686205

申请日：2007-03-14

申请人： Seong-Hwee Cheong ,  Sang-Woo Lee ,  Jin-Ho Park ,  Seung-Gil Yang ,  Brad H. Lee

发明人： Seong-Hwee Cheong ,  Sang-Woo Lee ,  Jin-Ho Park ,  Seung-Gil Yang ,  Brad H. Lee

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28282 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/4234

摘要： In one embodiment, a nonvolatile memory device can be fabricated by forming first metallic dots on a charge storage film using first source gas, forming substitution dots on the charge storage film on which the first metallic dots are formed and forming second metallic dots using a second source gas.

摘要翻译： 在一个实施例中，可以通过使用第一源气体在电荷存储膜上形成第一金属点来形成非易失性存储器件，在形成有第一金属点的电荷存储膜上形成取代点，并使用第二金属点形成第二金属点 源气。

公开(公告)号：US07285493B2

公开(公告)日：2007-10-23

申请号：US10818718

申请日：2004-04-06

申请人： Sang-Bom Kang ,  Gil-Heyun Choi ,  Kwang-Jin Moon ,  Hyun-Su Kim ,  Seung-Gil Yang

发明人： Sang-Bom Kang ,  Gil-Heyun Choi ,  Kwang-Jin Moon ,  Hyun-Su Kim ,  Seung-Gil Yang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76855

摘要： Methods for depositing a metal layer on an integrated circuit device comprising providing a transition metal precursor, carrier gas and hydrogen gas to a deposition chamber such that the partial pressure of the precursor and carrier gas exceeds about 0.25 Torr and the partial pressure of hydrogen gas exceeds about 2.5 Torr are disclosed. Methods of forming a cobalt layer on an integrated circuit device are also disclosed.

摘要翻译： 一种用于在集成电路器件上沉积金属层的方法，其包括向沉积室提供过渡金属前体，载气和氢气，使得前体和载气的分压超过约0.25Torr，氢气的分压超过 公开了大约2.5托。 还公开了在集成电路器件上形成钴层的方法。