公开(公告)号：US20180069020A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：US15808116

申请日：2017-11-09

申请人： Jin PARK ,  Hyun-woo KIM ,  Jin-Kyu HAN ,  Cha-Won KOH

发明人： Jin PARK ,  Hyun-woo KIM ,  Jin-Kyu HAN ,  Cha-Won KOH

IPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/311 ,  G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/0758 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

摘要： A photoresist polymer includes a first repeating unit and a second repeating unit. The first repeating unit includes a fluorine leaving group that is configured to be removed by a photo-chemical reaction. The second repeating unit includes a silicon-containing leaving group that is configured to be removed by the fluorine leaving group when the fluorine leaving group is removed from the first repeating unit.

公开(公告)号：US09164788B2

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：US13598007

申请日：2012-08-29

申请人： Kwang-Won Koh ,  Kang-Ho Kim ,  Soo-Cheol Oh ,  Chang-Won Ahn

发明人： Kwang-Won Koh ,  Kang-Ho Kim ,  Soo-Cheol Oh ,  Chang-Won Ahn

IPC分类号： G06F9/455

CPC分类号： G06F9/4555 ,  G06F9/45533

摘要： An automatic para-virtualization apparatus of an OS kernel is provided. The automatic para-virtualization apparatus includes a kernel profiler that detects profile information from a native OS kernel, and a virtualization unit that automatically generates a para-virtualized OS kernel that operates on a para-virtualization virtual machine monitor by combining the native OS kernel and the profile information.

摘要翻译： 提供了一个OS内核的自动对虚拟化设备。 自动对位虚拟化设备包括一个内核分析器，用于从本地操作系统内核检测配置文件信息，以及一个虚拟化单元，通过组合本机操作系统内核和自动生成虚拟化内核， 个人资料信息。

公开(公告)号：US20140327894A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：US14177278

申请日：2014-02-11

申请人： Cha-Won KOH ,  Jeon-Il LEE ,  Su-Min KIM ,  Hyun-Woo KIM ,  Jin PARK

发明人： Cha-Won KOH ,  Jeon-Il LEE ,  Su-Min KIM ,  Hyun-Woo KIM ,  Jin PARK

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/2022 ,  G03F7/0002

摘要： A lithography apparatus and a method of using the same, the apparatus including a stage for accommodating a substrate that has a photoresist film thereon; a main unit on the stage, the main unit being configured to irradiate a projection beam to the photoresist film; and an electric field unit adjacent to the stage, the electric field unit being configured to apply an electric field to the photoresist film, wherein the electric field unit is configured to be turned on at a same time as or before irradiation of the projection beam, and is configured to be turned off at a same time as or after termination of the projection beam.

摘要翻译： 一种光刻设备及其使用方法，该设备包括：用于容纳其上具有光致抗蚀剂膜的基板的台; 主体单元，被配置为向光致抗蚀剂膜照射投影光束; 以及与所述载物台相邻的电场单元，所述电场单元被配置为向所述光致抗蚀剂膜施加电场，其中所述电场单元被配置为在所述投影束的照射之前或之前被接通， 并且被配置为在投影光束的终止之后的同时或者在其终止之后被关闭。

公开(公告)号：US08032780B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12517067

申请日：2007-11-26

申请人： Kwang-Won Koh ,  Seungjo Bae ,  Jin Mee Kim ,  Young-Woo Jung ,  Young Choon Woo ,  Myung-Joon Kim

发明人： Kwang-Won Koh ,  Seungjo Bae ,  Jin Mee Kim ,  Young-Woo Jung ,  Young Choon Woo ,  Myung-Joon Kim

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： H04L45/58 ,  H04L41/06

摘要： Provided are a virtualization based high availability cluster system and a method for managing failures in a virtualization based high availability cluster system. The high availability cluster system includes a plurality of virtual nodes, and a plurality of physical nodes each including a message generator for generating a message denoting that the virtual nodes are in a normal state and transmitting the generated message to virtual nodes in a same physical node. One of the virtual nodes not included in a first physical node among the plurality of the physical nodes takes over resources related to a service if a failure is generated in one of virtual nodes included in the first physical node.

摘要翻译： 提供了基于虚拟化的高可用性集群系统和用于管理基于虚拟化的高可用性集群系统中的故障的方法。 高可用性集群系统包括多个虚拟节点和多个物理节点，每个物理节点包括用于生成表示虚拟节点处于正常状态的消息的消息生成器，并且将生成的消息发送到同一物理节点中的虚拟节点 。 如果在包括在第一物理节点中的虚拟节点之一中生成故障，则不包括在多个物理节点中的第一物理节点中的虚拟节点之一接管与服务相关的资源。

公开(公告)号：US20110219373A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13037708

申请日：2011-03-01

申请人： Ki-Hyuk Nam ,  Kang Ho Kim ,  SooCheol Oh ,  Kwang-Won Koh

发明人： Ki-Hyuk Nam ,  Kang Ho Kim ,  SooCheol Oh ,  Kwang-Won Koh

IPC分类号： G06F9/455

CPC分类号： G06F9/455

摘要： A virtual machine management apparatus includes a first Operating System (OS) kernel for supporting a first OS that runs on a virtualization-supporting terminal platform; and a second OS kernel for supporting a second OS that runs on the terminal platform. Further, the virtual machine management apparatus includes a virtual machine configuration manager for, when an exception task is requested based on the first OS or the second OS of the terminal platform, controlling processing of the exception task in compliance with a preset policy.

摘要翻译： 虚拟机管理装置包括用于支持在虚拟化支持终端平台上运行的第一OS的第一操作系统（OS）内核; 以及用于支持在终端平台上运行的第二OS的第二OS内核。 此外，虚拟机管理装置包括虚拟机配置管理器，用于当基于终端平台的第一OS或第二OS请求异常任务时，根据预设策略来控制异常任务的处理。

公开(公告)号：US07998874B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US11978719

申请日：2007-10-30

申请人： Hak-sun Lee ,  Myeong-cheol Kim ,  Kyung-yub Jeon ,  Cha-won Koh ,  Ji-young Lee

发明人： Hak-sun Lee ,  Myeong-cheol Kim ,  Kyung-yub Jeon ,  Cha-won Koh ,  Ji-young Lee

IPC分类号： H01L21/461 ,  C03C15/00

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088

摘要： A method for forming hard mask patterns includes, sequentially forming first, second, and third hard mask layers formed of materials having different etching selectivities on a substrate, forming first sacrificial patterns having a first pitch therebetween on the third hard mask layer, forming fourth hard mask patterns with a second pitch between the first sacrificial patterns, the second pitch being substantially equal to about ½ of the first pitch, patterning the third hard mask layer to form third hard mask patterns using the fourth hard mask patterns as an etch mask, patterning the second hard mask layer to form second hard mask patterns using the third and fourth hard mask patterns as an etch mask, and patterning the first hard mask layer to form first hard mask patterns with the second pitch therebetween using the second and third hard mask patterns as an etch mask.

摘要翻译： 一种形成硬掩模图案的方法包括：在基板上顺序地形成由具有不同蚀刻选择性的材料形成的第一，第二和第三硬掩模层，在第三硬掩模层上形成具有第一间距的第一牺牲图案，形成第四硬 在第一牺牲图案之间具有第二间距的掩模图案，第二间距基本上等于第一间距的大约1/2，使用第四硬掩模图案作为蚀刻掩模，图案化第三硬掩模层以形成第三硬掩模图案，图案化 第二硬掩模层，以使用第三和第四硬掩模图案作为蚀刻掩模形成第二硬掩模图案，以及使用第二和第三硬掩模图案使第一硬掩模层形成第一硬掩模图案，其间具有第二间距， 作为蚀刻掩模。

公开(公告)号：US07842451B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US12511538

申请日：2009-07-29

申请人： Cha-Won Koh ,  Sang-Gyun Woo ,  Gi-Sung Yeo ,  Myoung-Ho Jung

发明人： Cha-Won Koh ,  Sang-Gyun Woo ,  Gi-Sung Yeo ,  Myoung-Ho Jung

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： Disclosed is a method of forming a pattern. A first organic polymer layer is formed on a substrate on which an underlying layer, and then a second organic polymer layer, which has an opening partially exposing the first organic polymer layer, is formed on the first organic polymer layer. Next, a silicon-containing polymer layer is formed on the second organic polymer layer to cover the opening. The silicon-containing polymer layer is oxidized and simultaneously the second organic polymer layer and the first organic polymer layer are ashed by oxygen plasma to form a pattern having an anisotropy-shape. The underlying layer is etched using the silicon-containing polymer layer and the first organic polymer layer as an etching mask to form a pattern.

摘要翻译： 公开了形成图案的方法。 在第一有机聚合物层上形成第一有机聚合物层，在其上具有下层，然后形成具有部分暴露第一有机聚合物层的开口的第二有机聚合物层。 接下来，在第二有机聚合物层上形成含硅聚合物层以覆盖开口。 含硅聚合物层被氧化，同时第二有机聚合物层和第一有机聚合物层被氧等离子体灰化，形成具有各向异性形状的图案。 使用含硅聚合物层和第一有机聚合物层作为蚀刻掩模蚀刻下层，以形成图案。

公开(公告)号：US07687369B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11896512

申请日：2007-09-04

申请人： Cha-won Koh ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Sang-jin Kim ,  Sung-gon Jung

发明人： Cha-won Koh ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Sang-jin Kim ,  Sung-gon Jung

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134

摘要： A method of forming fine metal interconnect patterns includes forming an insulating film on a substrate, forming a plurality of mold patterns with first spaces therebetween on the insulating film, such that the mold patterns have a first layout, forming metal hardmask patterns in the first spaces by a damascene process, removing the mold patterns, etching the insulating film through the metal hardmask patterns to form insulating film patterns with second spaces therebetween, the second spaces having the first layout, and forming metal interconnect patterns having the first layout in the second spaces by the damascene process.

摘要翻译： 一种形成精细金属互连图案的方法包括在基板上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成多个模具图案，其间具有第一间隔，使得模具图案具有第一布局，在第一空间中形成金属硬掩模图案 通过镶嵌工艺去除模具图案，通过金属硬掩模图案蚀刻绝缘膜以形成具有第二间隔的绝缘膜图案，第二空间具有第一布局，并且在第二空间中形成具有第一布局的金属互连图案 通过大马士革的过程。

公开(公告)号：US20100077250A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12517067

申请日：2007-11-26

申请人： Kwang-Won Koh ,  Seungjo Bae ,  Jin Mee Kim ,  Young-Woo Jung ,  Young Choon Woo ,  Myung-Joon Kim

发明人： Kwang-Won Koh ,  Seungjo Bae ,  Jin Mee Kim ,  Young-Woo Jung ,  Young Choon Woo ,  Myung-Joon Kim

IPC分类号： G06F11/07

CPC分类号： H04L45/58 ,  H04L41/06

摘要： Provided are a virtualization based high availability cluster system and a method for managing failures in a virtualization based high availability cluster system. The high availability cluster system includes a plurality of virtual nodes, and a plurality of physical nodes each including a message generator for generating a message denoting that the virtual nodes are in a normal state and transmitting the generated message to virtual nodes in a same physical node. One of the virtual nodes not included in a first physical node among the plurality of the physical nodes takes over resources related to a service if a failure is generated in one of virtual nodes included in the first physical node

摘要翻译： 提供了基于虚拟化的高可用性集群系统和用于管理基于虚拟化的高可用性集群系统中的故障的方法。 高可用性集群系统包括多个虚拟节点和多个物理节点，每个物理节点包括用于生成表示虚拟节点处于正常状态的消息的消息生成器，并且将生成的消息发送到同一物理节点中的虚拟节点 。 如果在包括在第一物理节点中的虚拟节点之一中生成故障，则在多个物理节点之中未包括在第一物理节点中的虚拟节点之一接管与服务相关的资源

公开(公告)号：US07452825B2

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：US11589372

申请日：2006-10-30

申请人： Doo-Youl Lee ,  Han-Ku Cho ,  Suk-Joo Lee ,  Gi-Sung Yeo ,  Cha-Won Koh ,  Sung-Gon Jung

发明人： Doo-Youl Lee ,  Han-Ku Cho ,  Suk-Joo Lee ,  Gi-Sung Yeo ,  Cha-Won Koh ,  Sung-Gon Jung

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/0337

摘要： In the method of forming a mask structure, a first mask is formed on a substrate where the first mask includes a first mask pattern having a plurality of mask pattern portions having openings therebetween and a second mask pattern having a corner portion of which an inner side wall that is curved. A sacrificial layer is formed on the first mask. A hard mask layer is formed on the sacrificial layer. After the hard mask layer is partially removed until the sacrificial layer adjacent to the corner portion is exposed, a second mask is formed from the hard mask layer remaining in the space after removing the sacrificial layer. A minute pattern having a fine structure may be easily formed on the substrate.

摘要翻译： 在形成掩模结构的方法中，第一掩模形成在基板上，其中第一掩模包括具有多个具有开口的掩模图案部分的第一掩模图案和第二掩模图案，第二掩模图案具有内侧 弯曲的墙壁 牺牲层形成在第一掩模上。 在牺牲层上形成硬掩模层。 在硬掩模层被部分地去除直到与拐角部分相邻的牺牲层被暴露之后，在去除牺牲层之后从残留在空间中的硬掩模层形成第二掩模。 可以容易地在基板上形成具有精细结构的微小图案。