公开(公告)号：US08791465B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US13549655

申请日：2012-07-16

申请人： Naoya Okamoto ,  Kozo Makiyama ,  Toshihiro Ohki ,  Yuichi Minoura ,  Shirou Ozaki ,  Toyoo Miyajima

发明人： Naoya Okamoto ,  Kozo Makiyama ,  Toshihiro Ohki ,  Yuichi Minoura ,  Shirou Ozaki ,  Toyoo Miyajima

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/285 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/43 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A compound semiconductor device includes a compound semiconductor laminated structure, a passivation film formed on the compound semiconductor laminated structure and having a through-hole, and a gate electrode formed on the passivation film so as to plug the through-hole. A grain boundary between different crystalline orientations is formed in the gate electrode, and a starting point of the grain boundary is located apart from the through-hole on a flat surface of the passivation film.

摘要翻译： 化合物半导体器件包括化合物半导体层叠结构，在化合物半导体层叠结构上形成并具有通孔的钝化膜以及形成在钝化膜上以便堵塞通孔的栅电极。 在栅电极中形成不同结晶取向之间的晶界，并且晶界的起始点与钝化膜的平坦表面上的通孔分开。

公开(公告)号：US20130082307A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13549655

申请日：2012-07-16

申请人： Naoya OKAMOTO ,  Kozo Makiyama ,  Toshihiro Ohki ,  Yuichi Minoura ,  Shirou Ozaki ,  Toyoo Miyajima

发明人： Naoya OKAMOTO ,  Kozo Makiyama ,  Toshihiro Ohki ,  Yuichi Minoura ,  Shirou Ozaki ,  Toyoo Miyajima

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A compound semiconductor device includes a compound semiconductor laminated structure, a passivation film formed on the compound semiconductor laminated structure and having a through-hole, and a gate electrode formed on the passivation film so as to plug the through-hole. A grain boundary between different crystalline orientations is formed in the gate electrode, and a starting point of the grain boundary is located apart from the through-hole on a flat surface of the passivation film.

摘要翻译： 化合物半导体器件包括化合物半导体层叠结构，在化合物半导体层叠结构上形成并具有通孔的钝化膜以及形成在钝化膜上以便堵塞通孔的栅电极。 在栅电极中形成不同结晶取向之间的晶界，并且晶界的起始点与钝化膜的平坦表面上的通孔分开。

公开(公告)号：US20110223766A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13112579

申请日：2011-05-20

申请人： Yasushi Kobayashi ,  Yoshihiro Nakata ,  Yuichi Minoura

发明人： Yasushi Kobayashi ,  Yoshihiro Nakata ,  Yuichi Minoura

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306 ,  C23C16/50

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes: exposing an insulating film including a siloxane bond to an energy beam or plasma; and exposing the insulating film to a gas (excluding N2 and H2O gases) including at least one element selected from the group consisting of hydrogen, carbon, nitrogen and silicon, as an constituent element, wherein, in the exposing to the gas, after a relative permittivity of the insulating film descends by the exposing the insulating film to the gas, the exposing is completed before a time point when the relative permittivity of the insulating film first ascends.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：将包含硅氧烷键的绝缘膜暴露于能量束或等离子体; 并且将绝缘膜暴露于包括选自氢，碳，氮和硅的至少一种元素作为构成元素的气体（不包括N 2和H 2 O气体），其中在暴露于气体之后，在 绝缘膜的相对介电常数通过将绝缘膜暴露于气体而下降，在绝缘膜的相对介电常数首先上升的时间点之前完成曝光。

公开(公告)号：US20110024799A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12845292

申请日：2010-07-28

申请人： Yuichi Minoura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Yuichi Minoura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/30617 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/0331 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/34333

摘要： A method for manufacturing a compound semiconductor device includes forming a first compound semiconductor layer over a first substrate, the first compound semiconductor layer containing AlxGa1-xN (0≦x

摘要翻译： 一种化合物半导体器件的制造方法，包括在第一衬底上形成第一化合物半导体层，所述第一化合物半导体层含有具有第一带隙的Al x Ga 1-x N（0＆lt; n 1; x 1） 在所述第一化合物半导体层上形成第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层包含具有大于所述第一带隙的第二带隙的Al y In z Ga 1-y-z N（0

公开(公告)号：US09496380B2

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US13328244

申请日：2011-12-16

申请人： Yuichi Minoura ,  Toshihide Kikkawa ,  Toshihiro Ohki

发明人： Yuichi Minoura ,  Toshihide Kikkawa ,  Toshihiro Ohki

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

摘要： At least one kind of impurity selected from, for example, Fe, C, B, Ti, Cr is introduced into at least a buffer layer of a compound semiconductor layered structure from a rear surface of the compound semiconductor layered structure to make a resistance value of the buffer layer high.

摘要翻译： 从化合物半导体层叠结构的背面，至少从化合物半导体层叠结构体的缓冲层中导入至少一种选自例如Fe，C，B，Ti，Cr的杂质，形成电阻值 的缓冲层高。

公开(公告)号：US08586433B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13493293

申请日：2012-06-11

申请人： Yuichi Minoura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Yuichi Minoura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66712

摘要： A compound semiconductor device is provided with a first nitride semiconductor layer of a first conductivity type, a second nitride semiconductor layer of the first conductivity type which is formed over the first nitride semiconctor layer and being in contact with the first nitride semiconductor layer, a third nitride semiconductor layer of a second conductivity type being in contact with the second nitride semiconductor layer, a fourth nitride semiconductor layer of the first conductivity type being in contact with the third nitride semiconductor layer, and an insulating film insulating the first nitride semiconductor layer and the fourth nitride, semiconductor layer from each other. A source electrode is positioned inside an Outer edge of the insulating film in planar view.

摘要翻译： 化合物半导体器件设置有第一导电类型的第一氮化物半导体层，第一导电类型的第二氮化物半导体层，其形成在第一氮化物半导体层上并与第一氮化物半导体层接触，第三导电类型的第三氮化物半导体层， 与第二氮化物半导体层接触的第二导电类型的氮化物半导体层，与第三氮化物半导体层接触的第一导电类型的第四氮化物半导体层和将第一氮化物半导体层和 第四氮化物，半导体层。 在平面图中，源电极位于绝缘膜的外边缘的内侧。

公开(公告)号：US08461041B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US12955525

申请日：2010-11-29

申请人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Yasushi Kobayashi ,  Yuichi Minoura

发明人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Yasushi Kobayashi ,  Yuichi Minoura

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The method of manufacturing a semiconductor device includes forming an insulating film of a silicon compound-group insulation film; forming an opening in the insulation film, applying an active energy beam in an atmosphere containing hydrocarbon gas to form a barrier layer of a crystalline SiC, and forming an interconnection structure of copper in the opening with the barrier layer formed in.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括：形成硅化合物基绝缘膜的绝缘膜; 在所述绝缘膜上形成开口，在含有烃气体的气氛中施加活性能量束，形成结晶SiC的阻挡层，并且在所述开口中形成所述阻挡层中的铜的互连结构。

公开(公告)号：US20110068471A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12955525

申请日：2010-11-29

申请人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Yasushi Kobayashi ,  Yuichi Minoura

发明人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Yasushi Kobayashi ,  Yuichi Minoura

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The method of manufacturing a semiconductor device includes forming an insulating film of a silicon compound-group insulation film; forming an opening in the insulation film, applying an active energy beam in an atmosphere containing hydrocarbon gas to form a barrier layer of a crystalline SiC, and forming an interconnection structure of copper in the opening with the barrier layer formed in.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括：形成硅化合物基绝缘膜的绝缘膜; 在绝缘膜上形成开口，在含有烃气体的气氛中施加活性能量束，形成结晶SiC的阻挡层，并在形成有阻挡层的开口中形成铜的互连结构。

公开(公告)号：US09034722B2

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：US12845292

申请日：2010-07-28

申请人： Yuichi Minoura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Yuichi Minoura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L21/30617 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/0331 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/34333

摘要： A method for manufacturing a compound semiconductor device so as to separate a first substrate from a compound semiconductor laminated structure which includes forming a first compound semiconductor layer over a first substrate containing AlxGa1-xN (0≦x

摘要翻译： 一种制造化合物半导体器件的方法，用于将第一衬底与化合物半导体层叠结构分离，所述化合物半导体层叠结构包括在包含Al x Ga 1-x N（0＆amp; n 1; x 1）的第一衬底上形成第一化合物半导体层并具有第一带隙 ; 在包含AlyInzGa1-y-zN（0

公开(公告)号：US20130083568A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13555420

申请日：2012-07-23

申请人： Kozo MAKIYAMA ,  Naoya Okamoto ,  Toshihiro Ohki ,  Yuichi Minoura ,  Shirou Ozaki ,  Toyoo Miyajima

发明人： Kozo MAKIYAMA ,  Naoya Okamoto ,  Toshihiro Ohki ,  Yuichi Minoura ,  Shirou Ozaki ,  Toyoo Miyajima

IPC分类号： H01L29/78 ,  H02M5/458 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

摘要： An HEMT includes, on an SiC substrate, a compound semiconductor layer, a silicon nitride (SiN) protective film having an opening and covering the compound semiconductor layer, and a gate electrode formed on the compound semiconductor layer so as to plug the opening. In the protective film, a projecting portion projecting from a side surface of the opening is formed at a lower layer portion 6a.

摘要翻译： HEMT在SiC衬底上包括化合物半导体层，具有开口并覆盖化合物半导体层的氮化硅（SiN）保护膜和形成在化合物半导体层上的栅电极以堵塞开口。 在保护膜中，从开口侧面突出的突出部形成在下层部6a。