公开(公告)号：US20090090900A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US11989512

申请日：2006-07-28

申请人： Adrian Avramescu ,  Volker Harle ,  Lutz Hoppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss

发明人： Adrian Avramescu ,  Volker Harle ,  Lutz Hoppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3407 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor chip comprises the following sequence of regions in a growth direction (c) of the semiconductor chip (20): a p-doped barrier layer (1) for an active region (2), the active region (2), which is suitable for generating electromagnetic radiation, the active region being based on a hexagonal compound semiconductor, and an n-doped barrier layer (3) for the active region (2). Also disclosed are a component comprising such a semiconductor chip, and a method for producing such a semiconductor chip.

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括在半导体芯片（20）的生长方向（c）上的以下区域序列：用于有源区域（2）的p掺杂阻挡层（1），有源区域（2），其中 适用于产生电磁辐射，有源区基于六方晶系化合物半导体，以及用于有源区（2）的n掺杂势垒层（3）。 还公开了包括这种半导体芯片的部件，以及这种半导体芯片的制造方法。

公开(公告)号：US20080203407A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US12011458

申请日：2008-01-25

申请人： Magnus Ahlstedt ,  Lutz Hoppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss ,  Martin Strassburg

发明人： Magnus Ahlstedt ,  Lutz Hoppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16

摘要： A method for producing an optoelectronic semiconductor chip based on a nitride semiconductor system is specified. The method comprises the steps of: forming a semiconductor section with at least one p-doped region; and forming a covering layer disposed downstream of the semiconductor section in a growth direction of the semiconductor chip, said covering layer having at least one n-doped semiconductor layer. An activation step suitable for electrically activating the p-doped region is effected before or during the formation of the covering layer. An optoelectronic semiconductor chip which can be produced by the method is additionally specified.

摘要翻译： 规定了基于氮化物半导体系统的光电子半导体芯片的制造方法。 该方法包括以下步骤：形成具有至少一个p掺杂区域的半导体部分; 以及在所述半导体芯片的生长方向上形成设置在所述半导体部分的下游的覆盖层，所述覆盖层具有至少一个n掺杂半导体层。 在形成覆盖层之前或期间，实现适合于电激活p掺杂区域的活化步骤。 另外规定了可以通过该方法制造的光电子半导体芯片。

公开(公告)号：US20080073655A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11901666

申请日：2007-09-17

申请人： Tony Albrecht ,  Georg Bruderl ,  Volker Harle ,  Lutz Hoppel ,  Martin Strassburg

发明人： Tony Albrecht ,  Georg Bruderl ,  Volker Harle ,  Lutz Hoppel ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/02363 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/1231 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor chip comprises a growth substrate with a structured growth area (2) having a multiplicity of elevations (4) and depressions (3), and an active layer sequence (5) applied to the growth area (2).

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括具有多个高度（4）和凹陷（3）的结构化生长区域（2）的生长衬底和应用于生长区域（2）的活性层序列（5）。

公开(公告)号：US20110241031A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13127328

申请日：2009-11-27

申请人： Norwin von Malm ,  Klaus Streubel ,  Patrick Rode ,  Karl Engl ,  Lutz Hoppel ,  Jurgen Moosburger

发明人： Norwin von Malm ,  Klaus Streubel ,  Patrick Rode ,  Karl Engl ,  Lutz Hoppel ,  Jurgen Moosburger

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L27/156 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic projection device which generates a predefined image during operation, including a semiconductor body having an active layer that generates electromagnetic radiation and a radiation exit side and is an imaging element of the projection device, wherein, to electrically contact the semiconductor body, a first contact layer and a second contact layer are arranged at a rear side of the semiconductor body, the rear side lying opposite the radiation exit side, and are electrically insulated from one another by a separating layer.

摘要翻译： 一种光电投影装置，其在工作期间产生预定图像，包括具有产生电磁辐射的有源层和辐射出射侧的半导体本体，并且是投影装置的成像元件，其中，与半导体本体电接触， 接触层和第二接触层设置在半导体本体的后侧，后侧与辐射出口侧相对，并且通过分离层彼此电绝缘。

公开(公告)号：US20110101390A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12920317

申请日：2009-02-25

申请人： Karl Engl ,  Frank Singer ,  Patrick Rode ,  Lutz Hoppel ,  Martin Strassburg

发明人： Karl Engl ,  Frank Singer ,  Patrick Rode ,  Lutz Hoppel ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor body comprises a semiconductor layer sequence which is subdivided into at least two electrically isolated subsegments. The semiconductor layer sequence has an active layer in each subarea. Furthermore, at least three electrical contact pads are provided. A first line level makes contact with a first of the at least two subsegments and with the first contact pad. A second line level makes contact with the second of the at least two subsegments and with a second contact pad. A third line level connects the two subsegments to one another and makes contact with the third contact pad. Furthermore, the line levels are each arranged opposite a first main face, wherein the first main face is intended to emit electromagnetic radiation that is produced.

摘要翻译： 光电半导体主体包括半导体层序列，其被细分为至少两个电隔离的子区段。 半导体层序列在每个子区域中具有活性层。 此外，提供至少三个电接触垫。 第一线路级别与至少两个子片段中的第一个以及与第一接触焊盘接触。 第二线路级别与至少两个子段中的第二线路接触并且与第二接触焊盘接触。 第三线路电平将两个子段彼此连接并与第三接触焊盘接触。 此外，线路电平各自布置成与第一主面对置，其中第一主面面用于发射产生的电磁辐射。