公开(公告)号：US06837983B2

公开(公告)日：2005-01-04

申请号：US10056316

申请日：2002-01-22

申请人： Alain Duboust ,  Yan Wang ,  Siew Neo ,  Liang-Yuh Chen

发明人： Alain Duboust ,  Yan Wang ,  Siew Neo ,  Liang-Yuh Chen

IPC分类号： B23H5/08 ,  B24B37/013 ,  B24B49/04 ,  B24B49/10 ,  C25F7/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3063 ,  C25F3/00 ,  C22D17/00

CPC分类号： B24B37/013 ,  B23H5/08 ,  B24B49/04 ,  B24B49/10

摘要： Systems and methods for detecting the endpoint of a polishing step. In general, an electropolishing system is provided with a power supply configured to deliver a current through an electrolytic solution. Signal characteristics of the signal provided by the power supply are monitored to determine a polishing endpoint. Illustratively, the monitored signal characteristics include current and voltage.

公开(公告)号：US06776693B2

公开(公告)日：2004-08-17

申请号：US10163796

申请日：2002-06-04

申请人： Alain Duboust ,  Shou-Sung Chang ,  Liang-Yuh Chen ,  Yan Wang ,  Siew Neo ,  Lizhong Sun ,  Feng Q. Liu

发明人： Alain Duboust ,  Shou-Sung Chang ,  Liang-Yuh Chen ,  Yan Wang ,  Siew Neo ,  Lizhong Sun ,  Feng Q. Liu

IPC分类号： B24B100

CPC分类号： B24B37/046 ,  B23H5/08 ,  B24B37/042

摘要： A method and apparatus are provided for polishing a substrate surface. In one aspect, an apparatus for polishing a substrate includes a basin and a polishing head. A carrier is disposed in the basin and has a substrate supporting surface. A retaining ring is disposed on the carrier and at least partially circumscribes the substrate supporting surface. The polishing head is supported above the basin and includes a conductive polishing pad. Embodiments may further include a vent to allow gas to escape through the polishing head. Embodiments may further include an electrolyte supply that flows electrolyte into the polishing head and out through a permeable electrode and the conductive pad to the substrate. Embodiments may also be configured with a polishing head diameter smaller than the substrate supported by the carrier.

摘要翻译： 提供了一种用于抛光衬底表面的方法和装置。 一方面，用于抛光衬底的装置包括盆和抛光头。 载体布置在盆中并具有基底支撑表面。 保持环设置在载体上并且至少部分地限定基板支撑表面。 抛光头支撑在盆面上方，并包括导电抛光垫。 实施例还可包括通气孔，以允许气体通过抛光头逸出。 实施例还可以包括将电解质流入抛光头并通过可渗透电极流出并将导电垫流到基底的电解质供应。 实施例还可以被配置为具有小于由载体支撑的基板的抛光头直径。

公开(公告)号：US20080051009A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11930495

申请日：2007-10-31

申请人： Yan Wang ,  Antoine Manens ,  Siew Neo ,  Alain Duboust ,  Liang-Yuh Chen

发明人： Yan Wang ,  Antoine Manens ,  Siew Neo ,  Alain Duboust ,  Liang-Yuh Chen

IPC分类号： B24B49/00

CPC分类号： H01L21/32134 ,  B23H5/06 ,  B23H5/08 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  B24B37/046 ,  B24B49/04 ,  B24B49/10 ,  B24B49/16 ,  G01N1/32 ,  H01L21/32125 ,  H04N1/00

摘要： Method for process control of electro-processes is provided. In one embodiment, the method includes processing a conductive layer formed on a wafer using a target endpoint, detecting breakthrough of the conductive layer to expose portions of an underlying layer, and adjusting the target endpoint in response to the detected breakthrough. In another embodiment, the target endpoint is adjusted relative to an amount of underlying layer exposed through the conductive layer.

摘要翻译： 提供了电工艺过程控制方法。 在一个实施例中，该方法包括使用目标端点处理在晶片上形成的导电层，检测导电层的穿透以暴露下层的部分，以及响应于检测到的突破来调整目标端点。 在另一个实施例中，相对于通过导电层暴露的下层的量来调整目标端点。

公开(公告)号：US20070295611A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11764726

申请日：2007-06-18

申请人： FENG LIU ,  Stan Tsai ,  Yongqi Hu ,  Siew Neo ,  Yan Wang ,  Alain Duboust ,  Liang-Yuh Chen

发明人： FENG LIU ,  Stan Tsai ,  Yongqi Hu ,  Siew Neo ,  Yan Wang ,  Alain Duboust ,  Liang-Yuh Chen

IPC分类号： B23H9/00 ,  B23H7/00

CPC分类号： B23H7/08 ,  B23H1/022 ,  B23H1/06

摘要： Polishing compositions and methods for removing conductive materials from a substrate surface are provided. In one aspect, a composition includes an acid based electrolyte system, one or more chelating agents, one or more corrosion inhibitors, one or more inorganic or organic acid salts, one or more pH adjusting agents to provide a pH between about 2 and about 10, a polishing enhancing material selected from the group of abrasive particles, one or more oxidizers, and combinations thereof, and a solvent. The composition may be used in an conductive material removal process including disposing a substrate having a conductive material layer formed thereon in a process apparatus comprising an electrode, providing the composition between the electrode and substrate, applying a bias between the electrode and the substrate, and removing conductive material from the conductive material layer. The ECMP polishing compositions and methods described herein improve the effective removal rate of materials from the substrate surface, such as copper, with a reduction in planarization type defects and yielding a desirable surface finish.

摘要翻译： 提供了抛光组合物和从衬底表面去除导电材料的方法。 一方面，组合物包括酸性电解质体系，一种或多种螯合剂，一种或多种腐蚀抑制剂，一种或多种无机或有机酸盐，一种或多种pH调节剂，以提供约2至约10 ，选自磨料颗粒，一种或多种氧化剂及其组合的研磨增强材料和溶剂。 该组合物可用于导电材料去除工艺中，包括在包括电极的处理设备中设置其上形成有导电材料层的衬底，在电极和衬底之间提供组合物，在电极和衬底之间施加偏压，以及 从导电材料层去除导电材料。 本文所述的ECMP抛光组合物和方法提高了材料从衬底表面（例如铜）的有效去除速率，同时平坦化型缺陷减少并产生理想的表面光洁度。

公开(公告)号：US20050133363A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US11031545

申请日：2005-01-08

申请人： Yongqi Hu ,  Yan Wang ,  Alain Duboust ,  Feng Liu ,  Antoine Manens ,  Siew Neo ,  Stan Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Paul Butterfield ,  Yuan Tian ,  Sen-Hou Ko

发明人： Yongqi Hu ,  Yan Wang ,  Alain Duboust ,  Feng Liu ,  Antoine Manens ,  Siew Neo ,  Stan Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Paul Butterfield ,  Yuan Tian ,  Sen-Hou Ko

IPC分类号： B23H5/08 ,  B23H5/10 ,  B24B37/04 ,  B24B53/007 ,  B24D13/14 ,  H01L21/321 ,  C25D17/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B23H5/08 ,  B23H5/10 ,  B24B37/046 ,  B24B37/14 ,  B24B37/16 ,  B24B37/205 ,  B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B53/017 ,  H01L21/32125 ,  Y10T428/249924

摘要： Embodiments of a polishing article for processing a substrate are provided. In one embodiment, a polishing article for processing a substrate comprises a fabric layer having a conductive layer disposed thereover. The conductive layer has an exposed surface adapted to polish a substrate. The fabric layer may be woven or non-woven. The conductive layer may be comprised of a soft metal and, in one embodiment, the exposed surface may be planar.

摘要翻译： 提供了用于处理基板的抛光制品的实施例。 在一个实施例中，用于处理衬底的抛光制品包括其上设置有导电层的织物层。 导电层具有适于抛光衬底的暴露表面。 织物层可以是编织的或非织造的。 导电层可以由软金属构成，并且在一个实施例中，暴露的表面可以是平面的。

公开(公告)号：US20050000801A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US10880752

申请日：2004-06-30

申请人： Yan Wang ,  Siew Neo ,  Feng Liu ,  Stan Tsai ,  Yongqi Hu ,  Alain Duboust ,  Antoine Manens ,  Ralph Wadensweiler ,  Rashid Mavliev ,  Liang-Yuh Chen ,  Donald Olgado ,  Paul Butterfield ,  Ming-Kuei Tseng ,  Shou-Sung Chang ,  Lizhong Sun

发明人： Yan Wang ,  Siew Neo ,  Feng Liu ,  Stan Tsai ,  Yongqi Hu ,  Alain Duboust ,  Antoine Manens ,  Ralph Wadensweiler ,  Rashid Mavliev ,  Liang-Yuh Chen ,  Donald Olgado ,  Paul Butterfield ,  Ming-Kuei Tseng ,  Shou-Sung Chang ,  Lizhong Sun

IPC分类号： B23H5/06 ,  B23H5/08 ,  B23H5/10 ,  B24B37/04 ,  B24B49/16 ,  B24B53/007 ,  B24D13/14 ,  H01L21/321 ,  C25D17/00

CPC分类号： B23H5/06 ,  B23H5/08 ,  B23H5/10 ,  B24B37/046 ,  B24B37/16 ,  B24B49/16 ,  B24B53/017 ,  H01L21/32125

摘要： Embodiments of the invention generally provide a method and apparatus for processing a substrate in an electrochemical mechanical planarizing system. In one embodiment, a cell for polishing a substrate includes a processing pad disposed on a top surface of a platen assembly. A plurality of conductive elements are arranged in a spaced-apart relation across the upper planarizing surface and adapted to bias the substrate relative to an electrode disposed between the pad and the platen assembly. A plurality of passages are formed through the platen assembly between the top surface and a plenum defined within the platen assembly. In another embodiment, a system is provided having a bulk processing cell and a residual processing cell. The residual processing cell includes a biased conductive planarizing surface. In further embodiments, the conductive element is protected from attack by process chemistries.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供用于在电化学机械平面化系统中处理基底的方法和装置。 在一个实施例中，用于抛光衬底的单元包括设置在压板组件的顶表面上的处理衬垫。 多个导电元件跨过上平坦化表面以间隔的关系布置，并且适于相对于设置在垫和压板组件之间的电极偏压衬底。 多个通道通过压板组件形成在顶表面和限定在压板组件内的气室之间。 在另一个实施例中，提供了具有批处理单元和残余处理单元的系统。 残余处理单元包括偏置的导电平面化表面。 在另外的实施方案中，保护导电元件免受过程化学物质的侵蚀。

公开(公告)号：US20050061674A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10949160

申请日：2004-09-24

申请人： Yan Wang ,  Antoine Manens ,  Siew Neo ,  Alain Duboust ,  Liang-Yuh Chen

发明人： Yan Wang ,  Antoine Manens ,  Siew Neo ,  Alain Duboust ,  Liang-Yuh Chen

IPC分类号： B23H5/06 ,  B23H5/08 ,  B24B37/04 ,  B24B49/04 ,  B24B49/16 ,  H04N1/00 ,  B23H9/00

CPC分类号： H01L21/32134 ,  B23H5/06 ,  B23H5/08 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  B24B37/046 ,  B24B49/04 ,  B24B49/10 ,  B24B49/16 ,  G01N1/32 ,  H01L21/32125 ,  H04N1/00

摘要： Method for process control of electro-processes is provided. In one embodiment, the method includes processing a conductive layer formed on a wafer using a target endpoint, detecting breakthrough of the conductive layer to expose portions of an underlying layer, and adjusting the target endpoint in response to the detected breakthrough. In another embodiment, the target endpoint is adjusted relative to an amount of underlying layer exposed through the conductive layer.

摘要翻译： 提供了电工艺过程控制方法。 在一个实施例中，该方法包括使用目标端点处理在晶片上形成的导电层，检测导电层的穿透以暴露下层的部分，以及响应于检测到的突破来调整目标端点。 在另一个实施例中，相对于通过导电层暴露的下层的量来调整目标端点。

公开(公告)号：US07678245B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US10880752

申请日：2004-06-30

申请人： Yan Wang ,  Siew Neo ,  Feng Liu ,  Stan D. Tsai ,  Yongqi Hu ,  Alain Duboust ,  Antoine Manens ,  Ralph M. Wadensweiler ,  Rashid Mavliev ,  Liang-Yuh Chen ,  Donald J. K. Olgado ,  Paul D. Butterfield ,  Ming-Kuei Tseng ,  Shou-Sung Chang ,  Lizhong Sun

发明人： Yan Wang ,  Siew Neo ,  Feng Liu ,  Stan D. Tsai ,  Yongqi Hu ,  Alain Duboust ,  Antoine Manens ,  Ralph M. Wadensweiler ,  Rashid Mavliev ,  Liang-Yuh Chen ,  Donald J. K. Olgado ,  Paul D. Butterfield ,  Ming-Kuei Tseng ,  Shou-Sung Chang ,  Lizhong Sun

IPC分类号： C25B9/00

CPC分类号： B23H5/06 ,  B23H5/08 ,  B23H5/10 ,  B24B37/046 ,  B24B37/16 ,  B24B49/16 ,  B24B53/017 ,  H01L21/32125

摘要： Embodiments of the invention generally provide a method and apparatus for processing a substrate in an electrochemical mechanical planarizing system. In one embodiment, a cell for polishing a substrate includes a processing pad disposed on a top surface of a platen assembly. A plurality of conductive elements are arranged in a spaced-apart relation across the upper planarizing surface and adapted to bias the substrate relative to an electrode disposed between the pad and the platen assembly. A plurality of passages are formed through the platen assembly between the top surface and a plenum defined within the platen assembly. In another embodiment, a system is provided having a bulk processing cell and a residual processing cell. The residual processing cell includes a biased conductive planarizing surface. In further embodiments, the conductive element is protected from attack by process chemistries.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供用于在电化学机械平面化系统中处理基底的方法和装置。 在一个实施例中，用于抛光衬底的单元包括设置在压板组件的顶表面上的处理衬垫。 多个导电元件跨过上平坦化表面以间隔的关系布置，并且适于相对于设置在垫和压板组件之间的电极偏压衬底。 多个通道通过压板组件形成在顶表面和限定在压板组件内的气室之间。 在另一个实施例中，提供了具有批处理单元和残余处理单元的系统。 残余处理单元包括偏置的导电平面化表面。 在另外的实施方案中，保护导电元件免受过程化学物质的侵蚀。

公开(公告)号：US06899804B2

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：US10032275

申请日：2001-12-21

申请人： Alain Duboust ,  Lizhong Sun ,  Feng Q. Liu ,  Yuchun Wang ,  Yan Wang ,  Siew Neo ,  Liang-Yuh Chen

发明人： Alain Duboust ,  Lizhong Sun ,  Feng Q. Liu ,  Yuchun Wang ,  Yan Wang ,  Siew Neo ,  Liang-Yuh Chen

IPC分类号： B23H3/08 ,  B23H5/08 ,  B24B37/04 ,  C09G1/04 ,  C25F3/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  C25F3/00

CPC分类号： B23H3/08 ,  B23H5/08 ,  B24B37/0056 ,  B24B37/044 ,  B24B37/046 ,  C09G1/04 ,  C25F3/02 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/32134

摘要： An electrolyte composition and method for planarizing a surface of a wafer using the electrolyte composition is provided. In one aspect, the electrolyte composition includes ammonium dihydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, or a mixture thereof. The composition has a pH between about 3 and about 10 which is environmentally friendly and does not present hazardous operation concerns. The composition may further comprise one or more additives selected from a group consisting of benzotriazole, ammonium citrate, ethlylenediamine, tetraethylenepentamine, triethylenetetramine, diethylenetriamine, amino acids, ammonium oxalate, ammonia, ammonium succinate, and citric acid.

摘要翻译： 提供了一种电解质组合物和使用电解质组合物对晶片的表面进行平面化的方法。 一方面，电解质组合物包括磷酸二氢铵，磷酸氢二铵或其混合物。 该组合物的pH为约3至约10，这是环境友好的并且不存在危险的操作问题。 组合物还可以包含一种或多种选自苯并三唑，柠檬酸铵，乙二胺，四亚乙基五胺，三亚乙基四胺，二亚乙基三胺，氨基酸，草酸铵，氨，琥珀酸铵和柠檬酸的添加剂。

公开(公告)号：US20100267318A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12823872

申请日：2010-06-25

申请人： Alain Duboust ,  Shou-Sung Chang ,  Wei Lu ,  Siew Neo ,  Yan Wang ,  Antoine P. Manens ,  Yongsik Moon

发明人： Alain Duboust ,  Shou-Sung Chang ,  Wei Lu ,  Siew Neo ,  Yan Wang ,  Antoine P. Manens ,  Yongsik Moon

IPC分类号： B24D11/02

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B37/046 ,  B24B37/205 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26 ,  B24D11/02

摘要： A polishing pad include a polishing layer having a polishing surface and a backing layer on a side of the polishing layer opposite the polishing surface. An outer edge of the polishing layer overhangs an outer edge of the backing layer.

摘要翻译： 抛光垫包括在抛光层的与研磨表面相对的一侧上具有抛光表面和背衬层的抛光层。 抛光层的外边缘突出在背衬层的外边缘上。