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    High density plasma chemical vapor deposition apparatus
    1.
    发明申请
    High density plasma chemical vapor deposition apparatus 审中-公开
    高密度等离子体化学气相沉积装置

    公开(公告)号：US20060196420A1

    公开(公告)日：2006-09-07

    申请号：US11246252

    申请日：2005-10-11

    申请人： Andrey Ushakov ,  Jin Choi ,  Jong Park

    发明人： Andrey Ushakov ,  Jin Choi ,  Jong Park

    IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/509 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244

    摘要： A high density plasma chemical vapor deposition apparatus includes an upper gas supply nozzle which includes a nozzle body, a gas supply passage formed vertically in the nozzle body, a nozzle cover attached to a lower surface of the horizontal portion of the nozzle body, and a plurality of gas inlets formed through the nozzle cover to uniformly supply the processing gas towards a semiconductor wafer within the processing chamber.

    摘要翻译： 高密度等离子体化学气相沉积装置包括：上部气体供给喷嘴，其包括喷嘴体，在喷嘴体中垂直形成的气体供给通道，附接到喷嘴体的水平部分的下表面的喷嘴盖;以及 多个气体入口通过喷嘴盖形成，以将处理气体均匀地供给处理室内的半导体晶片。

    Plasma processing apparatus and method thereof
    2.
    发明申请
    Plasma processing apparatus and method thereof 审中-公开
    等离子体处理装置及其方法

    公开(公告)号：US20100048003A1

    公开(公告)日：2010-02-25

    申请号：US12382326

    申请日：2009-03-13

    申请人： Doug Yong Sung ,  Vladimir Volynets ,  Andrey Ushakov ,  Min Joon Park ,  Han Soo Shin

    发明人： Doug Yong Sung ,  Vladimir Volynets ,  Andrey Ushakov ,  Min Joon Park ,  Han Soo Shin

    IPC分类号： H01L21/30 ,  C23C16/54 ,  C23F1/08 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/32091

    摘要： A plasma processing apparatus using a capacitive coupled plasma (CCP) source requiring a low pressure range of about 25 mT or less and a method thereof are disclosed. Plasma source power may be applied in a pulse mode to either one of upper and lower electrodes in a chamber, which generates plasma and processes a semiconductor substrate, and plasma maintaining power may be continuously applied to the other of the upper and lower electrodes, such that a stable pulse plasma process may be performed in a low pressure range of about 25 mT or less.

    摘要翻译： 公开了一种使用需要约25mT以下的低压范围的电容耦合等离子体（CCP）源的等离子体处理装置及其方法。 等离子体源功率可以以脉冲模式施加到室中的上电极和下电极中的任一个，其产生等离子体并处理半导体衬底，并且等离子体维持功率可以连续地施加到上电极和下电极中的另一个，例如 可以在约25mT或更低的低压范围内进行稳定的脉冲等离子体处理。

    Apparatus and method to generate plasma
    3.
    发明授权
    Apparatus and method to generate plasma 有权
    用于产生等离子体的装置和方法

    公开(公告)号：US07804250B2

    公开(公告)日：2010-09-28

    申请号：US11684199

    申请日：2007-03-09

    申请人： Andrey Ushakov ,  Yuri Tolmachev ,  Vladimir Volynets ,  Won Ceak Pak ,  Vasily Pashkovskiy ,  Sung Chang Park ,  Yung Hee Lee

    发明人： Andrey Ushakov ,  Yuri Tolmachev ,  Vladimir Volynets ,  Won Ceak Pak ,  Vasily Pashkovskiy ,  Sung Chang Park ,  Yung Hee Lee

    IPC分类号： H05B6/00

    CPC分类号： H01J37/321 ,  H01J37/32091

    摘要： An apparatus and method to generate plasma which can be applied to semiconductor processing. The apparatus includes a chamber having a plasma generating space defined therein, a lower electrode positioned within the chamber, an upper electrode facing the lower electrode and disposed within the chamber to constitute a first plasma generating source, a second plasma generating source positioned at a higher location than that of a lower surface of the upper electrode and disposed at an outer circumference of the upper electrode, and a power supply to supply power to the first and second plasma generating sources.

    摘要翻译： 一种可应用于半导体处理的等离子体生成装置和方法。 该装置包括具有限定在其中的等离子体产生空间的腔室，位于腔室内的下部电极，面对下部电极的上部电极，并设置在腔室内以构成第一等离子体发生源，第二等离子体发生源位于较高 位于上电极的下表面，并且设置在上电极的外周;以及电源，用于向第一和第二等离子体发生源供电。

    Plasma based ion implantation system
    6.
    发明申请
    Plasma based ion implantation system 审中-公开
    等离子体离子注入系统

    公开(公告)号：US20080289576A1

    公开(公告)日：2008-11-27

    申请号：US12153703

    申请日：2008-05-22

    申请人： Young dong Lee ,  Yuri Tolmachev ,  Vladimir Volynets ,  Vasily Pashkovskiy ,  Andrey Ushakov ,  Gyeong Su Keum ,  Jae Hyun Han ,  Dong Cheol Kim ,  Hyung Chul Cho

    发明人： Young dong Lee ,  Yuri Tolmachev ,  Vladimir Volynets ,  Vasily Pashkovskiy ,  Andrey Ushakov ,  Gyeong Su Keum ,  Jae Hyun Han ,  Dong Cheol Kim ,  Hyung Chul Cho

    IPC分类号： C23C16/44

    CPC分类号： H01J37/32449 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/2236

    摘要： A plasma based ion implantation system capable of generating a capacitively coupled plasma having beneficial characteristics for an ion implantation, including the generation of necessary ions and radicals only for an ion implantation process instead of generating an inductively coupled plasma, which generates unnecessary ions and excessively dissociates radicals. The plasma based ion implantation system easily controls plasma ions implanted by cleaning a vacuum chamber, minimizes problems of unnecessary deposition and occurrence of contaminants and increases the number of components used only for the plasma ion implantion by reducing the deposition of polymer layer on a workpiece. The plasma based ion implantation system easily control uniformity of the plasma by using a flat type electrode, thereby easily ensuring uniformity of plasma ions implanted into the workpiece.

    摘要翻译： 一种等离子体离子注入系统，其能够产生具有用于离子注入的有利特性的电容耦合等离子体，包括仅为离子注入工艺产生必需的离子和自由基，而不是产生电感耦合等离子体，其产生不必要的离子并过度离解 激进分子 基于等离子体的离子注入系统容易地通过清洁真空室来控制植入的等离子体离子，从而最小化不必要的沉积和污染物的出现的问题，并且通过减少聚合物层在工件上的沉积而增加仅用于等离子体离子注入的组分的数量。 基于等离子体的离子注入系统通过使用平面型电极容易地控制等离子体的均匀性，从而容易地确保注入到工件中的等离子体离子的均匀性。

    APPARATUS AND METHOD TO GENERATE PLASMA
    7.
    发明申请
    APPARATUS AND METHOD TO GENERATE PLASMA 有权
    装置和方法生成等离子体

    公开(公告)号：US20080061702A1

    公开(公告)日：2008-03-13

    申请号：US11684199

    申请日：2007-03-09

    申请人： Andrey Ushakov ,  Yuri Tolmachev ,  Vladimir Volynets ,  Won Ceak Pak ,  Vasily Pashkovskiy ,  Sung Chang Park ,  Yung Hee Lee

    发明人： Andrey Ushakov ,  Yuri Tolmachev ,  Vladimir Volynets ,  Won Ceak Pak ,  Vasily Pashkovskiy ,  Sung Chang Park ,  Yung Hee Lee

    IPC分类号： H05H1/00

    CPC分类号： H01J37/321 ,  H01J37/32091

    摘要： An apparatus and method to generate plasma which can be applied to semiconductor processing. The apparatus includes a chamber having a plasma generating space defined therein, a lower electrode positioned within the chamber, an upper electrode facing the lower electrode and disposed within the chamber to constitute a first plasma generating source, a second plasma generating source positioned at a higher location than that of a lower surface of the upper electrode and disposed at an outer circumference of the upper electrode, and a power supply to supply power to the first and second plasma generating sources.

    摘要翻译： 一种可应用于半导体处理的等离子体生成装置和方法。 该装置包括具有限定在其中的等离子体产生空间的腔室，位于腔室内的下部电极，面对下部电极的上部电极，并设置在腔室内以构成第一等离子体发生源，第二等离子体发生源位于较高 位于上电极的下表面，并且设置在上电极的外周;以及电源，用于向第一和第二等离子体发生源供电。