公开(公告)号：US20050253257A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US11030754

申请日：2005-01-06

申请人： Anthony Chiu ,  Yinon Degani ,  Charley Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

发明人： Anthony Chiu ,  Yinon Degani ,  Charley Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/34 ,  H01L27/01

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L27/016 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： The specification describes a multi-chip module (MCM) that contains an integrated passive device (IPD) as the carrier substrate (IPD MCM). Parasitic electrical interactions are controlled at one or both interfaces of the IPD either by eliminating metal from the interfaces, or by selective use of metal in parts of the MCM that are remote from the sensitive device components. The sensitive device components are primarily analog circuit components, especially RF inductor elements. In the IPD layout, the sensitive components are segregated from other components. This allows implementation of the selective metal approach. It also allows parasitic interactions on top of the IPD substrate to be reduced by selective placement of IC semiconductor chips and IC chip ground planes. In preferred embodiments of the IPD MCM of the invention, the IPD substrate is polysilicon, to further minimize RF interactions. The various methods of assembling the module may be adapted to keep the overall thickness within 1.0 mm.

摘要翻译： 该规范描述了一种包含集成无源器件（IPD）作为载体衬底（IPD MCM）的多芯片模块（MCM）。 通过从接口中消除金属，或通过选择性地使用远离敏感器件部件的MCM部分中的金属，在IPD的一个或两个接口处控制寄生电学相互作用。 敏感器件组件主要是模拟电路组件，特别是RF电感元件。 在IPD布局中，敏感组件与其他组件隔离。 这允许实施选择性金属方法。 它还允许通过IC半导体芯片和IC芯片接地层的选择性放置来减少IPD衬底顶部的寄生相互作用。 在本发明的IPD MCM的优选实施方案中，IPD衬底是多晶硅，以进一步最小化RF相互作用。 组装模块的各种方法可以适于将总体厚度保持在1.0mm内。

公开(公告)号：US07382056B2

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：US11030754

申请日：2005-01-06

申请人： Anthony M. Chiu ,  Yinon Degani ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

发明人： Anthony M. Chiu ,  Yinon Degani ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L27/016 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： The specification describes a multi-chip module (MCM) that contains an integrated passive device (IPD) as the carrier substrate (IPD MCM). Parasitic electrical interactions are controlled at one or both interfaces of the IPD either by eliminating metal from the interfaces, or by selective use of metal in parts of the MCM that are remote from the sensitive device components. The sensitive device components are primarily analog circuit components, especially RF inductor elements. In the IPD layout, the sensitive components are segregated from other components. This allows implementation of the selective metal approach. It also allows parasitic interactions on top of the IPD substrate to be reduced by selective placement of IC semiconductor chips and IC chip ground planes. In preferred embodiments of the IPD MCM of the invention, the IPD substrate is polysilicon, to further minimize RF interactions. The various methods of assembling the module may be adapted to keep the overall thickness within 1.0 mm.

摘要翻译： 该规范描述了一种包含集成无源器件（IPD）作为载体衬底（IPD MCM）的多芯片模块（MCM）。 通过从接口中消除金属，或通过选择性地使用远离敏感器件部件的MCM部分中的金属，在IPD的一个或两个接口处控制寄生电学相互作用。 敏感器件组件主要是模拟电路组件，特别是RF电感元件。 在IPD布局中，敏感组件与其他组件隔离。 这允许实施选择性金属方法。 它还允许通过IC半导体芯片和IC芯片接地层的选择性放置来减少IPD衬底顶部的寄生相互作用。 在本发明的IPD MCM的优选实施方案中，IPD衬底是多晶硅，以进一步最小化RF相互作用。 组装模块的各种方法可以适于将总体厚度保持在1.0mm内。

公开(公告)号：US20080061420A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11520254

申请日：2006-09-13

申请人： Yinon Degani ,  Yinchao Chen ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yinchao Chen ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01F17/0006 ,  H01F2017/002 ,  H01F2017/0086 ,  H01L27/0641 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The specification describes flip bonded dual substrate inductors wherein a portion of the inductor is constructed on a base IPD substrate, a mating portion of the inductor is constructed on a cover (second) substrate. The cover substrate is then flip bonded to the base substrate, thus mating the two portions of the inductor. Using this approach, a two level inductor can be constructed without using a multilevel substrate. Using two two-level substrates yields a four-level flip bonded dual substrate inductor.

摘要翻译： 该说明书描述了翻转接合双衬底电感器，其中电感器的一部分构造在基底IPD衬底上，电感器的配合部分构造在覆盖（第二）衬底上。 然后将覆盖基板翻转接合到基底基板，从而将电感器的两部分配合。 使用这种方法，可以在不使用多层衬底的情况下构建双电平电感器。 使用两个两级基板产生四电平翻转接合双基板电感。

公开(公告)号：US20090184416A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12009805

申请日：2008-01-22

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104

摘要： An RF/IPD package with improved thermal management is described. The IPD substrate is attached to a system substrate with a thin RF chip mounted in the standoff between the IPD substrate and the system substrate. RF interconnections are made between the top of the RF chip and the bottom of the IPD substrate. Heat sinking is provided by bonding a heat sink layer on the RF chip to a heat sink layer on the system substrate. The heat sink may also serve as a ground plane connection. Combinations of other types of integrated devices may be fabricated using this approach.

摘要翻译： 描述了具有改进的热管理的RF / IPD封装。 IPD基板通过安装在IPD基板和系统基板之间的支架中的薄RF芯片连接到系统基板。 在RF芯片的顶部和IPD基板的底部之间形成RF互连。 通过将RF芯片上的散热层结合到系统基板上的散热层来提供散热。 散热器也可以用作接地平面连接。 可以使用这种方法来组合其他类型的集成装置。

公开(公告)号：US07355264B2

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：US11520254

申请日：2006-09-13

申请人： Yinon Degani ,  Yinchao Chen ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yinchao Chen ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01F17/0006 ,  H01F2017/002 ,  H01F2017/0086 ,  H01L27/0641 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The specification describes flip bonded dual substrate inductors wherein a portion of the inductor is constructed on a base IPD substrate, a mating portion of the inductor is constructed on a cover (second) substrate. The cover substrate is then flip bonded to the base substrate, thus mating the two portions of the inductor. Using this approach, a two level inductor can be constructed without using a multilevel substrate. Using two two-level substrates yields a four-level flip bonded dual substrate inductor.

摘要翻译： 该说明书描述了翻转接合双衬底电感器，其中电感器的一部分构造在基底IPD衬底上，电感器的配合部分构造在覆盖（第二）衬底上。 然后将覆盖基板翻转接合到基底基板，从而将电感器的两部分配合。 使用这种方法，可以在不使用多层衬底的情况下构建双电平电感器。 使用两个两级基板产生四电平翻转接合双基板电感。

公开(公告)号：US20070215976A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11378106

申请日：2006-03-17

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Maureen Lau ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Maureen Lau ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/016 ,  H01L21/84 ,  H01L23/66 ,  H01L27/13 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： The specification describes an integrated passive device (IPD) that is formed on a silicon substrate covered with an oxide layer. Unwanted accumulated charge at the silicon/oxide interface are rendered immobile by creating trapping centers in the silicon surface. The trapping centers are produced by a polysilicon layer interposed between the silicon substrate and the oxide layer.

摘要翻译： 该说明书描述了形成在被氧化物层覆盖的硅衬底上的集成无源器件（IPD）。 在硅/氧化物界面处的不需要的积累电荷通过在硅表面中产生捕获中心而被固定。 捕获中心由介于硅衬底和氧化物层之间的多晶硅层制成。

公开(公告)号：US20060217102A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11085977

申请日：2005-03-22

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun ,  King Tai

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun ,  King Tai

IPC分类号： H04B1/28

CPC分类号： H01L27/016

摘要： The specification describes an integrated passive device (IPD) designed to allow implementation of cellular RF and Wi-Fi RF in a single hand held device. To address the problem of RF interference a thin film RF high rejection bandpass filter is formed in an IPD implementation. The IPD implementation preferably uses silicon as the substrate material. This allows the thin film RF high rejection bandpass filter to be made using silicon processing technology, and thus produce low cost filters that still meet stringent performance requirements demanded due to the co-existing RF units. In preferred embodiments of the invention, wafer level processing using silicon substrates adds to the cost effective manufacture of the highly functional IPDs.

摘要翻译： 该规范描述了一种集成无源设备（IPD），设计用于在单个手持设备中实现蜂窝RF和Wi-Fi RF。 为了解决RF干扰的问题，在IPD实现中形成了薄膜RF高阻抗带通滤波器。 IPD实施优选使用硅作为基底材料。 这允许使用硅处理技术制造薄膜RF高阻抗带通滤波器，并因此产生仍然满足由于共存的RF单元要求的严格性能要求的低成本滤波器。 在本发明的优选实施例中，使用硅衬底的晶片级处理增加了高性能IPD的成本有效的制造。

公开(公告)号：US07692511B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US12077811

申请日：2008-03-21

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun ,  Jian Cheng

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun ,  Jian Cheng

IPC分类号： H03H7/42 ,  H01P3/08

CPC分类号： H01F17/0013 ,  H01F27/2804 ,  H01F2017/0046 ,  H03H7/42

摘要： Balun transformers are described wherein multiple transformer loops are implemented in a stacked design with the primary and secondary loops overlying one another. By aligning the loops in a vertical direction, instead of offsetting the loops, the area of the device is reduced. Multiple transformer loops are nested on each level, and the transformer loops on a given level are connected together using a crossover located on a different level.

摘要翻译： 描述了平衡 - 不平衡变压器，其中多个变压器回路以堆叠设计实现，其中主回路和次级回路彼此重叠。 通过在垂直方向上对准环路，而不是抵消环路，设备的面积减小。 多个变压器回路嵌套在每个级别上，并且给定级别上的变压器环路使用位于不同级别的交叉连接在一起。

公开(公告)号：US07936043B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US11378106

申请日：2006-03-17

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Maureen Lau ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Maureen Lau ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L27/016 ,  H01L21/84 ,  H01L23/66 ,  H01L27/13 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： The specification describes an integrated passive device (IPD) that is formed on a silicon substrate covered with an oxide layer. Unwanted accumulated charge at the silicon/oxide interface are rendered immobile by creating trapping centers in the silicon surface. The trapping centers are produced by a polysilicon layer interposed between the silicon substrate and the oxide layer.

摘要翻译： 该说明书描述了形成在被氧化物层覆盖的硅衬底上的集成无源器件（IPD）。 在硅/氧化物界面处的不需要的积累电荷通过在硅表面中产生捕获中心而被固定。 捕获中心由介于硅衬底和氧化物层之间的多晶硅层制成。

公开(公告)号：US07170754B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10839901

申请日：2004-05-06

申请人： Moses Asom ,  Yinon Degani ,  Joe Ryan ,  Kunquan Sun ,  Yanbing Yu ,  Meng Zhao

发明人： Moses Asom ,  Yinon Degani ,  Joe Ryan ,  Kunquan Sun ,  Yanbing Yu ,  Meng Zhao

IPC分类号： H05K1/14

CPC分类号： H05K1/181 ,  H05K1/117 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/09027 ,  H05K2201/09972 ,  H05K2201/10689 ,  H05K2203/1572 ,  Y02P70/611

摘要： The specification describes SDIO devices and SDIO cards wherein the SDIO devices are provided with enhanced functionality, and the SDIO cards are provided with enhanced IC capacity. A variety of multi-chip-module (MCM) approaches are used to increase the IC capacity of the SDIO card.

摘要翻译： 该规范描述了SDIO设备和SDIO卡，其中SDIO设备具有增强的功能，并且SDIO卡具有增强的IC容量。 使用各种多芯片模块（MCM）方法来增加SDIO卡的IC容量。