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    Method of forming semiconductor device
    1.
    发明授权
    Method of forming semiconductor device 有权
    半导体器件形成方法

    公开(公告)号：US08546256B2

    公开(公告)日：2013-10-01

    申请号：US13167225

    申请日：2011-06-23

    申请人： Deok-young Jung ,  Gil-heyun Choi ,  Suk-chul Bang ,  Byung-lyul Park ,  Kwang-jin Moon ,  Dong-chan Lim

    发明人： Deok-young Jung ,  Gil-heyun Choi ,  Suk-chul Bang ,  Byung-lyul Park ,  Kwang-jin Moon ,  Dong-chan Lim

    IPC分类号： H01L21/283

    CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/76898

    摘要： The methods include forming a semiconductor substrate pattern by etching a semiconductor substrate. The semiconductor pattern has a first via hole that exposes side walls of the semiconductor substrate pattern, and the side walls of the semiconductor substrate pattern exposed by the first via hole have an impurity layer pattern. The methods further include treating upper surfaces of the semiconductor substrate pattern, the treated upper surfaces of the semiconductor substrate pattern being hydrophobic; removing the impurity layer pattern from the side walls of the semiconductor substrate pattern exposed by the first via hole; forming a first insulating layer pattern on the side walls of the semiconductor substrate pattern exposed by the first via hole; and filling a first conductive layer pattern into the first via hole and over the first insulating layer pattern.

    摘要翻译： 所述方法包括通过蚀刻半导体衬底形成半导体衬底图案。 半导体图案具有暴露半导体衬底图案的侧壁的第一通孔，并且由第一通孔露出的半导体衬底图案的侧壁具有杂质层图案。 所述方法还包括处理半导体衬底图案的上表面，所处理的半导体衬底图案的上表面是疏水的; 从由第一通孔露出的半导体衬底图案的侧壁去除杂质层图案; 在由第一通孔露出的半导体衬底图案的侧壁上形成第一绝缘层图案; 以及将第一导电层图案填充到第一通孔中并在第一绝缘层图案之上。

    Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same
    2.
    发明申请
    Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130187287A1

    公开(公告)日：2013-07-25

    申请号：US13627790

    申请日：2012-09-26

    申请人： Byung-lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

    发明人： Byung-lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

    IPC分类号： H01L23/498

    CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76801 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565

    摘要： A semiconductor device includes a circuit pattern over a first surface of a substrate, an insulating interlayer covering the circuit pattern, a TSV structure filling a via hole through the insulating interlayer and the substrate, an insulation layer structure on an inner wall of the via hole and on a top surface of the insulating interlayer, a buffer layer on the TSV structure and the insulation layer structure, a conductive structure through the insulation layer structure and a portion of the insulating interlayer to be electrically connected to the circuit pattern, a contact pad onto a bottom of the TSV structure, and a protective layer structure on a second surface the substrate to surround the contact pad.

    摘要翻译： 半导体器件包括在衬底的第一表面上的电路图案，覆盖电路图案的绝缘夹层，填充通过绝缘夹层和衬底的通孔的TSV结构，在通孔的内壁上的绝缘层结构 并且在绝缘中间层的上表面上，具有TSV结构和绝缘层结构的缓冲层，通过绝缘层结构的导电结构和电连接到电路图案的绝缘夹层的一部分，接触垫 到TSV结构的底部，以及在第二表面上的保护层结构，以包围接触垫。

    METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE
    4.
    发明申请
    METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    形成半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20110318922A1

    公开(公告)日：2011-12-29

    申请号：US13167225

    申请日：2011-06-23

    申请人： Deok-young Jung ,  Gil-heyun Choi ,  Suk-chul Bang ,  Byung-lyul Park ,  Kwang-jin Moon ,  Dong-chan Lim

    发明人： Deok-young Jung ,  Gil-heyun Choi ,  Suk-chul Bang ,  Byung-lyul Park ,  Kwang-jin Moon ,  Dong-chan Lim

    IPC分类号： H01L21/283

    CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/76898

    摘要： The methods include forming a semiconductor substrate pattern by etching a semiconductor substrate. The semiconductor pattern has a first via hole that exposes side walls of the semiconductor substrate pattern, and the side walls of the semiconductor substrate pattern exposed by the first via hole have an impurity layer pattern. The methods further include treating upper surfaces of the semiconductor substrate pattern, the treated upper surfaces of the semiconductor substrate pattern being hydrophobic; removing the impurity layer pattern from the side walls of the semiconductor substrate pattern exposed by the first via hole; forming a first insulating layer pattern on the side walls of the semiconductor substrate pattern exposed by the first via hole; and filling a first conductive layer pattern into the first via hole and over the first insulating layer pattern.

    摘要翻译： 所述方法包括通过蚀刻半导体衬底形成半导体衬底图案。 半导体图案具有暴露半导体衬底图案的侧壁的第一通孔，并且由第一通孔露出的半导体衬底图案的侧壁具有杂质层图案。 所述方法还包括处理半导体衬底图案的上表面，所处理的半导体衬底图案的上表面是疏水的; 从由第一通孔露出的半导体衬底图案的侧壁去除杂质层图案; 在由第一通孔露出的半导体衬底图案的侧壁上形成第一绝缘层图案; 以及将第一导电层图案填充到第一通孔中并在第一绝缘层图案之上。

    Semiconductor device including fuse
    10.
    发明授权
    Semiconductor device including fuse 有权
    半导体装置包括保险丝

    公开(公告)号：US08044490B2

    公开(公告)日：2011-10-25

    申请号：US12502490

    申请日：2009-07-14

    申请人： Seung-woo Shin ,  Byung-lyul Park ,  Jong-myeong Lee ,  Gil-heyun Choi ,  Jong-ho Yun

    发明人： Seung-woo Shin ,  Byung-lyul Park ,  Jong-myeong Lee ,  Gil-heyun Choi ,  Jong-ho Yun

    IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L27/10

    CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Provided is a semiconductor device including a fuse, in which a insulating layer surrounding the fuse or metal wiring is prevented from being damaged due to the cut of a fuse, which can occur when a repair process is performed. The semiconductor device includes a conductive line formed on a semiconductor layer, a protective layer formed on the conductive line, one or more fuses that are electrically connected to the conductive line, and a fuse protective layer formed on the one or more fuses, and spaced apart from the protective layer.

    摘要翻译： 提供了一种包括保险丝的半导体器件，其中防止在保险丝或金属布线周围的绝缘层由于保险丝的切断而被损坏，这在维修过程中可能发生。 半导体器件包括形成在半导体层上的导电线，形成在导电线上的保护层，与导电线电连接的一个或多个保险丝，以及形成在一个或多个保险丝上的保险丝保护层， 除了保护层。