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    LITHIUM PRECURSORS FOR LixMyOz MATERIALS FOR BATTERIES
    8.
    发明申请
    LITHIUM PRECURSORS FOR LixMyOz MATERIALS FOR BATTERIES 审中-公开
    锂离子电池用锂电池

    公开(公告)号：US20120145953A1

    公开(公告)日：2012-06-14

    申请号：US13378093

    申请日：2010-06-30

    申请人： Venkateswara R. Pallem ,  Christian Dussarrat

    发明人： Venkateswara R. Pallem ,  Christian Dussarrat

    IPC分类号： H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  C01D15/02

    CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531

    摘要： Disclosed are lithium-containing compounds and methods of utilizing the same. The disclosed compounds may be used to deposit alkali metal-containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition. In certain embodiments, the lithium-containing compounds include a ligand and at least one aliphatic group as substituents selected to have greater degrees of freedom than the usual substituent.

    摘要翻译： 公开了含锂化合物及其利用方法。 所公开的化合物可以使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积含碱金属的层。 在某些实施方案中，含锂化合物包括配体和至少一个脂族基团，其被选择为具有比常规取代基更大的自由度。

    DEPOSITION OF TA- OR NB-DOPED HIGH-K FILMS
    9.
    发明申请
    DEPOSITION OF TA- OR NB-DOPED HIGH-K FILMS 有权
    TA-或NB-DOPED高K膜的沉积

    公开(公告)号：US20120065420A1

    公开(公告)日：2012-03-15

    申请号：US13297443

    申请日：2011-11-16

    申请人： Christian Dussarrat

    发明人： Christian Dussarrat

    IPC分类号： C07F9/00

    CPC分类号： H01L21/3141 ,  C07F9/005 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/318

    摘要： Methods and compositions for depositing high-k films are disclosed herein. In general, the disclosed methods utilize precursor compounds comprising Ta or Nb. More specifically, the disclosed precursor compounds utilize certain ligands coupled to Ta and/or Nb such as 1-methoxy-2-methyl-2-propanolate (mmp) to increase volatility. Furthermore, methods of depositing Ta or Nb compounds are disclosed in conjunction with use of Hf and/or Zr precursors to deposit Ta-doped or Nb-doped Hf and/or Zr films, The methods and compositions may be used in CVD, ALD, or pulsed CVD deposition processes.

    摘要翻译： 本文公开了用于沉积高k膜的方法和组合物。 通常，所公开的方法使用包含Ta或Nb的前体化合物。 更具体地，所公开的前体化合物利用与Ta和/或Nb偶联的某些配体，例如1-甲氧基-2-甲基-2-丙醇酸（mmp）以增加挥发性。 此外，结合使用Hf和/或Zr前体沉积Ta掺杂或掺铪的Hf和/或Zr膜来公开沉积Ta或Nb化合物的方法。该方法和组合物可用于CVD，ALD， 或脉冲CVD沉积工艺。

    Deposition of Ta- or Nb-doped high-k films
    10.
    发明授权
    Deposition of Ta- or Nb-doped high-k films 有权
    沉积Ta或Nb掺杂的高k膜

    公开(公告)号：US08071163B2

    公开(公告)日：2011-12-06

    申请号：US12099027

    申请日：2008-04-07

    申请人： Christian Dussarrat

    发明人： Christian Dussarrat

    IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/40

    CPC分类号： H01L21/3141 ,  C07F9/005 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/318

    摘要： Methods and compositions for depositing high-k films are disclosed herein. In general, the disclosed methods utilize precursor compounds comprising Ta or Nb. More specifically, the disclosed precursor compounds utilize certain ligands coupled to Ta and/or Nb such as 1-methoxy-2-methyl-2-propanolate (mmp) to increase volatility. Furthermore, methods of depositing Ta or Nb compounds are disclosed in conjunction with use of Hf and/or Zr precursors to deposit Ta-doped or Nb-doped Hf and/or Zr films. The methods and compositions may be used in CVD, ALD, or pulsed CVD deposition processes.

    摘要翻译： 本文公开了用于沉积高k膜的方法和组合物。 通常，所公开的方法使用包含Ta或Nb的前体化合物。 更具体地，所公开的前体化合物利用与Ta和/或Nb偶联的某些配体，例如1-甲氧基-2-甲基-2-丙醇酸（mmp）以增加挥发性。 此外，结合使用Hf和/或Zr前体来沉积Ta掺杂的或Nb掺杂的Hf和/或Zr膜来公开沉积Ta或Nb化合物的方法。 方法和组合物可用于CVD，ALD或脉冲CVD沉积工艺。