公开(公告)号：US20080143981A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11854621

申请日：2007-09-13

申请人： Dirk Heinrich EHM ,  Annemieke van de Runstraat ,  Bastiaan Theodoor Wolschrijn ,  Arnoldus Jan Storm ,  Thomas Stein ,  Marco G. H. Meijerink ,  A. G. Ton M. Bastein ,  Esther L. J. van Soest-Vercammen ,  Norbertus Benedictus Koster ,  Frits G. H. M. Gubbels ,  Peter J. Oprel ,  Michiel Nienoord ,  Michel Riepen ,  Johannes Hubertus Josephina Moors

发明人： Dirk Heinrich EHM ,  Annemieke van de Runstraat ,  Bastiaan Theodoor Wolschrijn ,  Arnoldus Jan Storm ,  Thomas Stein ,  Marco G. H. Meijerink ,  A. G. Ton M. Bastein ,  Esther L. J. van Soest-Vercammen ,  Norbertus Benedictus Koster ,  Frits G. H. M. Gubbels ,  Peter J. Oprel ,  Michiel Nienoord ,  Michel Riepen ,  Johannes Hubertus Josephina Moors

IPC分类号： G03B27/52 ,  G21K5/00

CPC分类号： G03F7/70958 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70925 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/067

摘要： An optical arrangement, in particular a projection system, illumination system or beam shaping system for EUV lithography, including at least one optical element that is arranged in a beam path of the optical arrangement and that reflects radiation in the soft X-ray- or EUV wavelength range, wherein at least during operation of the optical arrangement at least one of, preferably each of, the reflective optical elements in the beam path, at least at the optical surface, has an operating temperature of approximately 30° C. or more, preferably of approximately 100° C. or more, particularly preferably of approximately 150° C. or more, and even more preferably of approximately 250° C. or more, and wherein the optical design of the at least one reflective optical element is selected such that its optical characteristics are optimised for operation at the operating temperature. Also presented is a method for providing a reflective optical element with such an optical design.

摘要翻译： 一种用于EUV光刻的光学装置，特别是投影系统，照明系统或光束整形系统，包括布置在光学装置的光束路径中并且反射软X射线或EUV中的辐射的至少一个光学元件 波长范围，其中至少在所述光学装置的操作期间，所述光束路径中至少在所述光学表面处的所述反射光学元件中的至少一个优选地各自具有大约30℃或更高的工作温度， 优选为约100℃以上，特别优选为约150℃以上，甚至更优选为约250℃以上，并且其中选择所述至少一个反射型光学元件的光学设计 其光学特性被优化以在操作温度下操作。 还提出了一种用于提供具有这种光学设计的反射光学元件的方法。

公开(公告)号：US20090231707A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12403233

申请日：2009-03-12

申请人： Dirk Heinrich EHM ,  Stephan MUELLENDER ,  Thomas STEIN ,  Johannes Hubertus Josephina MOORS ,  Bastiaan Theodoor WOLSCHRIJN ,  Dieter KRAUS ,  Richard VERSLUIS ,  Marcus Gerhardus Hendrikus MEIJERINK

发明人： Dirk Heinrich EHM ,  Stephan MUELLENDER ,  Thomas STEIN ,  Johannes Hubertus Josephina MOORS ,  Bastiaan Theodoor WOLSCHRIJN ,  Dieter KRAUS ,  Richard VERSLUIS ,  Marcus Gerhardus Hendrikus MEIJERINK

IPC分类号： B60R1/06

CPC分类号： G03B27/16 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70883 ,  G03F7/70916 ,  G21K2201/061

摘要： An optical arrangement, in particular a projection exposure apparatus (1) for EUV lithography, includes: a housing (2) that encloses an interior space (15); at least one, in particular reflective, optical element (4 to 10, 12, 14.1 to 14.6) that is arranged in the housing (2); at least one vacuum generating unit (3) for generating a vacuum in the interior space (15) of the housing (2); and at least one vacuum housing (18, 18.1 to 18.10) that is arranged in the interior space (15) of the housing (2) and that encloses at least the optical surface (17, 17.1, 17.2) of the optical element (4 to 10, 12, 14.1 to 14.5), wherein a contamination reduction unit is associated with the vacuum housing (18.1 to 18.10), which contamination reduction unit reduces the partial pressure of contaminating substances, in particular of water and/or hydrocarbons, at least in close proximity to the optical surface (17, 17.1, 17.2) in relation to the partial pressure of the contaminating substances in the interior space (15).

摘要翻译： 光学装置，特别是用于EUV光刻的投影曝光装置（1）包括：封闭内部空间（15）的壳体（2）; 布置在壳体（2）中的至少一个特别是反射的光学元件（4至10,12,14.1至14.6）; 至少一个用于在所述壳体（2）的内部空间（15）中产生真空的真空发生单元（3）; 以及布置在所述壳体（2）的内部空间（15）中并且至少包围所述光学元件（4）的光学表面（17,17.1,17.2）的至少一个真空壳体（18,18.1至18.10） 至10,12,14.1至14.5），其中污染减少单元与真空壳体（18.1至18.10）相关联，该污染减少单元至少降低污染物质，特别是水和/或烃的分压 相对于内部空间（15）中的污染物质的分压紧邻光学表面（17,17.1,17.2）。

公开(公告)号：US20090314931A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12469546

申请日：2009-05-20

申请人： Dirk Heinrich EHM ,  Johannes Hubertus Josephina MOORS ,  Bastiaan Theodoor WOLSCHRIJN ,  Vadim BANINE ,  Valdimir Vitalevitsch IVANOV

发明人： Dirk Heinrich EHM ,  Johannes Hubertus Josephina MOORS ,  Bastiaan Theodoor WOLSCHRIJN ,  Vadim BANINE ,  Valdimir Vitalevitsch IVANOV

IPC分类号： H05H3/06 ,  H01J27/02

CPC分类号： G03F7/70916 ,  G03F7/70925

摘要： A method and an optical arrangement for removing contamination on optical surfaces (26), which are arranged in a vacuum environment in an optical arrangement, preferably in a projection exposure apparatus (1) for EUV lithography. The method includes generating a residual gas atmosphere containing molecular hydrogen (18) and at least one inert gas (17) in the vacuum environment, generating inert gas ions (21) by ionization of the inert gas (17), preferably with EUV radiation (20), and generating atomic hydrogen (27) by acceleration of the inert gas ions (21) in the residual gas atmosphere, to remove the contamination.

摘要翻译： 一种用于去除在光学装置的真空环境中布置的光学表面（26）上的污染的方法和光学装置，优选在用于EUV光刻的投影曝光装置（1）中。 该方法包括在真空环境中产生含有分子氢（18）和至少一种惰性气体（17）的残余气体气氛，通过惰性气体（17）的电离产生惰性气体离子（21），优选用EUV辐射 20），并且通过加热惰性气体离子（21）在残留气体气氛中产生原子氢（27），以除去污染物。

公开(公告)号：US20110188011A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US12973844

申请日：2010-12-20

申请人： Dirk Heinrich EHM ,  Arnoldus Jan Storm ,  Johannes Hubertus Josephina Moors ,  Almut Czap ,  Mona Nagel ,  Jacques Cor Johan van der Donck ,  Jetske Karina Stortelder ,  Marijn Sandtke ,  Maria Isabel Catalina Caballero ,  Luigi Scaccabarozzi

发明人： Dirk Heinrich EHM ,  Arnoldus Jan Storm ,  Johannes Hubertus Josephina Moors ,  Almut Czap ,  Mona Nagel ,  Jacques Cor Johan van der Donck ,  Jetske Karina Stortelder ,  Marijn Sandtke ,  Maria Isabel Catalina Caballero ,  Luigi Scaccabarozzi

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03B27/52 ,  B08B5/04

CPC分类号： G03F7/70925 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70975 ,  G03F7/70983 ,  G21K1/062

摘要： An optical assembly is mounted in a projection exposure apparatus (101) for EUV microlithography and includes at least one vacuum chamber (70, 71, 68a), at least one optical element (6, 7; 65, 66; 63) arranged in the vacuum chamber (70, 71, 68a), the optical element (6, 7; 65, 66; 63) having an optical surface (18) arranged to be impinged upon by a useful beam bundle (3) of the projection exposure apparatus (101), and a cleaning device (72) configured to clean the optical surface (18). The cleaning device (72) is configured to perform particle cleaning of the optical surface (18) at a gas pressure within the vacuum chamber (70,71, 68a) which is higher than a vacuum pressure (po) for performing an exposure operation with the projection exposure apparatus (101). As a result, optical elements having respective optical surfaces arranged to be impinged upon by a useful beam bundle can be cleaned reliably of foreign particles.

摘要翻译： 光学组件安装在用于EUV微光刻的投影曝光设备（101）中，并且包括至少一个真空室（70,71,68a），至少一个光学元件（6,7; 65,66,63） 所述光学元件（6,7; 65,66,63）具有光学表面（18），所述光学表面被布置成被所述投影曝光设备的有用束束（3）撞击 101）和被构造成清洁光学表面（18）的清洁装置（72）。 清洁装置（72）构造成在真空室（70,71,68a）内的气体压力下进行光学表面（18）的粒子清洁，该气体压力高于用于进行曝光操作的真空压力（po） 投影曝光装置（101）。 结果，可以可靠地清洁具有布置成被有用的束束撞击的各个光学表面的光学元件的外来颗粒。

公开(公告)号：US20080315134A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11855849

申请日：2007-09-14

申请人： Dirk Heinrich EHM ,  Hermann Bieg ,  Hans-Juergen Mann ,  Stephan Muellender ,  Johannes Hubertus Josephina Moors ,  Bastian Theodor Wolschrijn

发明人： Dirk Heinrich EHM ,  Hermann Bieg ,  Hans-Juergen Mann ,  Stephan Muellender ,  Johannes Hubertus Josephina Moors ,  Bastian Theodor Wolschrijn

IPC分类号： A61N5/06 ,  G03B27/54

CPC分类号： G03F7/70916 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70941

摘要： An optical system for radiation in the EUV wavelength range, in particular a projection exposure apparatus, having at least one vacuum vessel, including: at least one EUV-reflective optical element arranged in an optical path, and a holder which includes at least one sample element, the sample element having an optical surface which is exposed to incident EUV-radiation outside of the optical path, the sample element being sensitive to chemical alterations under influence of the incident EUV-radiation which also affect the optical element. The optical system further includes at least one detection unit for online detection of the contamination status of the sample element during exposure of the sample element to the incident EUV-radiation.

摘要翻译： 一种用于EUV波长范围的辐射的光学系统，特别是具有至少一个真空容器的投影曝光装置，包括：至少一个设置在光路中的EUV反射光学元件，以及一个保持器，该保持器包括至少一个样品 元件，样品元件具有暴露于光路外部的入射EUV辐射的光学表面，样品元件在影响光学元件的入射EUV辐射的影响下对化学变化敏感。 光学系统还包括至少一个检测单元，用于在将样品元件暴露于入射的EUV辐射期间在线检测样品元件的污染状态。

公开(公告)号：US20110211179A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US13035056

申请日：2011-02-25

申请人： Dieter KRAUS ,  Dirk Heinrich EHM ,  Stefan-Wolfgang SCHMIDT

发明人： Dieter KRAUS ,  Dirk Heinrich EHM ,  Stefan-Wolfgang SCHMIDT

IPC分类号： G03B27/52

CPC分类号： G03F7/70916 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70983

摘要： An EUV (extreme ultraviolet) lithography apparatus (1) including: a housing (1a) enclosing an interior (15), at least one reflective optical element (5, 6, 8, 9, 10, 14.1 to 14.6) arranged in the interior (15), a vacuum generating unit (1b) generating a residual gas atmosphere in the interior (15), and a residual gas analyzer (18a, 18b) detecting at least one contaminating substance (17a) in the residual gas atmosphere. The residual gas analyzer (18a) has a storage device (21) having an ion trap for storing the contaminating substance (17a). Additionally, a method for detecting at least one contaminating substance by residual gas analysis of a residual gas atmosphere of an EUV lithography apparatus (1) having a housing (1a) having an interior (15), in which at least one reflective optical element (5, 6, 8, 9, 10, 14.1 to 14.6), is arranged, wherein the contaminating substance (17a) is stored in a storage device (21) in order to carry out the residual gas analysis.

摘要翻译： 一种EUV（极紫外）光刻设备（1），包括：包围内部的壳体（1a），布置在内部的至少一个反射光学元件（5,6,8,9,10,11.1至14.6） （15），在内部（15）中产生残留气体气氛的真空发生单元（1b）和在残留气体气氛中检测至少一种污染物质（17a）的残留气体分析器（18a，18b）。 残留气体分析器（18a）具有具有用于存储污染物质（17a）的离子阱的存储装置（21）。 另外，通过对具有内部（15）的壳体（1a）的EUV光刻设备（1）的残留气体气体的残留气体分析来检测至少一种污染物质的方法，其中至少一个反射光学元件 5，6，8，9，10，14.1至14.6），其中污染物质（17a）储存在存储装置（21）中以便进行残留气体分析。

公开(公告)号：US20120224153A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13414367

申请日：2012-03-07

申请人： Dirk Heinrich EHM ,  Stefan-Wolfgang SCHMIDT ,  Guenther DENGEL

发明人： Dirk Heinrich EHM ,  Stefan-Wolfgang SCHMIDT ,  Guenther DENGEL

IPC分类号： G03B27/54

CPC分类号： G03F7/70933 ,  G03F7/70808 ,  G03F7/70825 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70983

摘要： An optical arrangement, in particular in a projection exposure apparatus for EUV lithography. In an aspect an optical arrangement has a housing (100, 200, 550, 780) in which at least one optical element is arranged, and at least one subhousing (140, 240, 560, 790, 811, 823, 824, 831, 841) which is arranged within the housing and which surrounds at least one beam incident on the optical element in operation of the optical system, wherein the internal space of the subhousing is in communication with the external space of the subhousing by way of at least one opening, wherein provided in the region of the opening is at least one flow guide portion which deflects a flushing gas flow passing through the opening from the internal space to the external space of the subhousing, at least once in its direction.

摘要翻译： 一种光学装置，特别是在用于EUV光刻的投影曝光装置中。 在一个方面中，光学装置具有其中布置有至少一个光学元件的壳体（100,200,550,780），以及至少一个子壳体（140,240,560,790,811,823,824,831,823,823,824,831） 841），其布置在壳体内并且围绕在光学系统的操作中入射到光学元件上的至少一个光束，其中，所述子壳体的内部空间通过至少一个与所述子壳体的外部空间连通 开口，其中设置在所述开口的区域中的至少一个流动引导部分使得从所述内部空间通过所述开口的冲洗气体流将所述冲击气流从所述内部空间偏转至所述方向上至少一次。

公开(公告)号：US20120300184A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13475173

申请日：2012-05-18

申请人： Dirk Heinrich EHM ,  Franz-Josef STICKEL ,  Juergen Mueller

发明人： Dirk Heinrich EHM ,  Franz-Josef STICKEL ,  Juergen Mueller

IPC分类号： G03B27/70 ,  B05D5/06 ,  C23C14/48 ,  G02B7/185

CPC分类号： C23C14/48 ,  G02B17/0657 ,  G02B26/0825 ,  G03B7/20 ,  G03F7/70266 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/7095 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

摘要： A mirror (1) for a microlithography projection exposure apparatus including a substrate (3) and a reflective coating (5). A functional coating (11) between the substrate (3) and the reflective coating (5) has a local form variation (19) for correcting the surface form of the mirror (1), wherein the local form variation (19) is brought about by a local variation in the chemical composition of the functional coating (11) and wherein a thickness of the reflective coating (5) is not changed by the local variation in the chemical composition of the functional coating (11). The local variation in the chemical composition of the functional coating (11) can be brought about by bombardment with particles (15), for example with hydrogen ions.

摘要翻译： 一种用于包括基板（3）和反射涂层（5）的微光刻投影曝光装置的反射镜（1）。 在基板（3）和反射涂层（5）之间的功能性涂层（11）具有用于校正反射镜（1）的表面形状的局部形状变化（19），其中局部形状变化（19）带来 通过功能性涂层（11）的化学组成的局部变化，并且其中反射涂层（5）的厚度不会由于功能涂层（11）的化学组成的局部变化而改变。 功能性涂层（11）的化学组成的局部变化可以通过用颗粒（15）例如用氢离子轰击来实现。

公开(公告)号：US20120086925A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US13267663

申请日：2011-10-06

申请人： Dieter KRAUS ,  Dirk Heinrich EHM ,  Stefan-Wolfgang SCHMIDT ,  Stefan WIESNER ,  Almut CZAP ,  Stefan KOEHLER ,  Hin Yiu Anthony CHUNG

发明人： Dieter KRAUS ,  Dirk Heinrich EHM ,  Stefan-Wolfgang SCHMIDT ,  Stefan WIESNER ,  Almut CZAP ,  Stefan KOEHLER ,  Hin Yiu Anthony CHUNG

IPC分类号： G03B27/52

CPC分类号： G03F7/70933 ,  G03F7/70041 ,  G03F7/70916

摘要： A method for preventing contaminating gaseous substances (18) from passing through an opening (17b) in a housing (4a) of an EUV lithography apparatus (1), wherein at least one optical element for guiding EUV radiation (6) is arranged in the housing (4a). The method involves: generating at least one gas flow (21a, 21b) which deflects the contaminating substances (18, 18′), and in particular is directed counter to the flow direction (Z) thereof, in the region of the opening (17b). The gas flow (21a, 21b) and the EUV radiation (6) are generated in pulsed fashion and the pulse rate of the gas flow (21a, 21b) is defined in a manner dependent on the pulse rate of the contaminating substances (18, 18′) released under the action of the pulsed EUV radiation (6), wherein both pulse rates are preferably equal in magnitude, and wherein, in the region of the opening (17b), the gas pulses temporally overlap the pulses of the contaminating substances (18, 18′). An associated EUV lithography apparatus at which the method can be carried out is also disclosed.

摘要翻译： 一种用于防止污染气体物质（18）穿过EUV光刻设备（1）的壳体（4a）中的开口（17b）的方法，其中至少一个用于引导EUV辐射（6）的光学元件布置在 住房（4a）。 该方法包括：产生使污染物质（18,18'）偏转的至少一个气流（21a，21b），特别是在开口（17b）的区域中相对于其流动方向（Z）反向 ）。 以脉冲方式产生气流（21a，21b）和EUV辐射（6），气流（21a，21b）的脉率以取决于污染物质（18， 18'）在脉冲EUV辐射（6）的作用下释放，其中两个脉冲速率优选地相等，并且其中在开口区域（17b）中，气体脉冲在时间上与污染物质的脉冲重叠 （18,18'）。 还公开了可以执行该方法的相关EUV光刻设备。

公开(公告)号：US20110216298A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13041989

申请日：2011-03-07

申请人： Dirk Heinrich EHM ,  Timo LAUFER ,  Ben BANNEY ,  Jens KUGLER ,  Ulrich NIEKEN ,  Franz KELLER

发明人： Dirk Heinrich EHM ,  Timo LAUFER ,  Ben BANNEY ,  Jens KUGLER ,  Ulrich NIEKEN ,  Franz KELLER

IPC分类号： G03B27/54

CPC分类号： G03F7/70933 ,  G03F7/70883 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70983

摘要： In EUV lithography apparatuses (10), it is proposed, in order to lengthen the lifetime of contamination-sensitive components, to arrange them in a protection module. The protection module comprises a housing (23-29) having at least one opening (37-47), in which at least one component (13a, 13b, 15, 16, 18, 19) is arranged and at which one or more gas feeds (30-36) are provided in order to introduce a gas flow into the housing (23-29), which emerges through the at least one opening (37-47). In order to effectively prevent contaminating substances from penetrating into the protection module, a light source (48-56) is arranged at the at least one opening (37-47), which light source illuminates the opening (37-47) with one or more wavelengths by which the contaminating substances can be dissociated before they penetrate through the opening (37-47).

摘要翻译： 在EUV光刻设备（10）中，为了延长污染敏感元件的寿命，提出将它们安置在保护模块中。 保护模块包括具有至少一个开口（37-47）的壳体（23-29），其中布置有至少一个部件（13a，13b，15,16,18,19），并且一个或多个气体 提供进料（30-36）以便将气流引入通过至少一个开口（37-47）出现的壳体（23-29）中。 为了有效地防止污染物质渗透到保护模块中，光源（48-56）布置在至少一个开口（37-47）处，该光源照射开口（37-47），其中一个或 污染物质在穿透开口（37-47）之前可以分解的更多波长。