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    Silicon dot forming method and silicon dot forming apparatus
    1.
    发明授权
    Silicon dot forming method and silicon dot forming apparatus 失效
    硅点形成方法和硅点形成装置

    公开(公告)号：US07988835B2

    公开(公告)日：2011-08-02

    申请号：US11519154

    申请日：2006-09-12

    申请人： Eiji Takahashi ,  Takashi Mikami ,  Shigeaki Kishida ,  Kenji Kato ,  Atsushi Tomyo ,  Tsukasa Hayashi ,  Kiyoshi Ogata ,  Yuichi Setsuhara

    发明人： Eiji Takahashi ,  Takashi Mikami ,  Shigeaki Kishida ,  Kenji Kato ,  Atsushi Tomyo ,  Tsukasa Hayashi ,  Kiyoshi Ogata ,  Yuichi Setsuhara

    IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/32 ,  C23C16/00 ,  C23C16/50

    CPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

    摘要： There are provided a method and an apparatus which form silicon dots having substantially uniform particle diameters and exhibiting a substantially uniform density distribution directly on a substrate at a low temperature. A hydrogen gas (or a hydrogen gas and a silane-containing gas) is supplied into a vacuum chamber (1) provided with a silicon sputter target (e.g., target 30), or the hydrogen gas and the silane-containing gas are supplied into the chamber (1) without arranging the silicon sputter target therein, a high-frequency power is applied to the gas(es) so that plasma is generated such that a ratio (Si(288 nm)/Hβ) between an emission intensity Si(288 nm) of silicon atoms at a wavelength of 288 nm and an emission intensity Hβ of hydrogen atoms at a wavelength of 484 nm in plasma emission is 10.0 or lower, and preferably 3.0 or lower, or 0.5 or lower, and silicon dots (SiD) having particle diameters of 20 nm or lower, or 10 nm or lower are formed directly on the substrate (S) at a low temperature of 500 deg. C. or lower in the plasma (and with chemical sputtering if a silicon sputter target is present).

    摘要翻译： 提供了形成具有基本上均匀的粒径并且在低温下直接在基底上表现出基本均匀的密度分布的硅点的方法和装置。 将氢气（或氢气和含硅烷气体）供给到设置有硅溅射靶（例如，靶30）的真空室（1）中，或者将氢气和含硅烷的气体供应到 在不将硅溅射靶设置在其中的腔室（1）中，向气体施加高频功率，从而产生等离子体，使得发射强度Si（288nm）的比率（Si（288nm）/ H＆bgr）） （288nm）的波长288nm的硅原子和发光强度H＆bgr; 的等离子体发射波长为484nm的氢原子为10.0以下，优选为3.0以下，或0.5以下，形成粒径为20nm以下或10nm以下的硅点（SiD） 在500度的低温下直接在基板（S）上。 在等离子体中（如果存在硅溅射靶，则具有化学溅射）。

    Silicon object forming method and apparatus
    2.
    发明申请
    Silicon object forming method and apparatus 失效
    硅体形成方法和装置

    公开(公告)号：US20080035471A1

    公开(公告)日：2008-02-14

    申请号：US11524207

    申请日：2006-09-21

    申请人： Takashi Mikami ,  Atsushi Tomyo ,  Kenji Kato ,  Eiji Takahashi ,  Tsukasa Hayashi

    发明人： Takashi Mikami ,  Atsushi Tomyo ,  Kenji Kato ,  Eiji Takahashi ,  Tsukasa Hayashi

    IPC分类号： C23C14/00

    CPC分类号： C23C14/3457 ,  C23C14/228 ,  C23C14/3464 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/34

    摘要： A silicon object formation target substrate is arranged in a first chamber, a silicon sputter target is arranged in a second chamber communicated with the first chamber, plasma for chemical sputtering is formed from a hydrogen gas in the second chamber, chemical sputtering is effected on the silicon sputter target with the plasma thus formed, producing particles contributing to formation of silicon object, whereby a silicon object is formed, on the substrate, from the particles moved from the second chamber to the first chamber.

    摘要翻译： 硅物体形成目标衬底被布置在第一腔室中，硅溅射靶设置在与第一腔室连通的第二室中，用于化学溅射的等离子体由第二腔室中的氢气形成，化学溅射 由此形成等离子体的硅溅射靶，产生有助于硅物体形成的颗粒，由此在从第二室移动到第一室的颗粒的基底上形成硅物体。

    Silicon object forming method and apparatus
    3.
    发明授权
    Silicon object forming method and apparatus 失效
    硅体形成方法和装置

    公开(公告)号：US07887677B2

    公开(公告)日：2011-02-15

    申请号：US11524207

    申请日：2006-09-21

    申请人： Takashi Mikami ,  Atsushi Tomyo ,  Kenji Kato ,  Eiji Takahashi ,  Tsukasa Hayashi

    发明人： Takashi Mikami ,  Atsushi Tomyo ,  Kenji Kato ,  Eiji Takahashi ,  Tsukasa Hayashi

    IPC分类号： C23C14/34

    CPC分类号： C23C14/3457 ,  C23C14/228 ,  C23C14/3464 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/34

    摘要： A silicon object formation target substrate is arranged in a first chamber, a silicon sputter target is arranged in a second chamber communicated with the first chamber, plasma for chemical sputtering is formed from a hydrogen gas in the second chamber, chemical sputtering is effected on the silicon sputter target with the plasma thus formed, producing particles contributing to formation of silicon object, whereby a silicon object is formed, on the substrate, from the particles moved from the second chamber to the first chamber.

    摘要翻译： 硅物体形成目标衬底被布置在第一腔室中，硅溅射靶设置在与第一腔室连通的第二室中，用于化学溅射的等离子体由第二腔室中的氢气形成，化学溅射 由此形成等离子体的硅溅射靶，产生有助于硅物体形成的颗粒，由此在从第二室移动到第一室的颗粒的基底上形成硅物体。

    Silicon dot forming method and silicon dot forming apparatus
    6.
    发明申请
    Silicon dot forming method and silicon dot forming apparatus 失效
    硅点形成方法和硅点形成装置

    公开(公告)号：US20070007123A1

    公开(公告)日：2007-01-11

    申请号：US11519154

    申请日：2006-09-12

    申请人： Eiji Takahashi ,  Takashi Mikami ,  Shigeaki Kishida ,  Kenji Kato ,  Atsushi Tomyo ,  Tsukasa Hayashi ,  Kiyoshi Ogata

    发明人： Eiji Takahashi ,  Takashi Mikami ,  Shigeaki Kishida ,  Kenji Kato ,  Atsushi Tomyo ,  Tsukasa Hayashi ,  Kiyoshi Ogata

    IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/00

    CPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

    摘要： There are provided a method and an apparatus which form silicon dots having substantially uniform particle diameters and exhibiting a substantially uniform density distribution directly on a substrate at a low temperature. A hydrogen gas (or a hydrogen gas and a silane-containing gas) is supplied into a vacuum chamber (1) provided with a silicon sputter target (e.g., target 30), or the hydrogen gas and the silane-containing gas are supplied into the chamber (1) without arranging the silicon sputter target therein, a high-frequency power is applied to the gas(es) so that plasma is generated such that a ratio (Si(288 nm)/Hβ) between an emission intensity Si(288 nm) of silicon atoms at a wavelength of 288 nm and an emission intensity Hβ of hydrogen atoms at a wavelength of 484 nm in plasma emission is 10.0 or lower, and preferably 3.0 or lower, or 0.5 or lower, and silicon dots (SiD) having particle diameters of 20 nm or lower, or 10 nm or lower are formed directly on the substrate (S) at a low temperature of 500 deg. C. or lower in the plasma (and with chemical sputtering if a silicon sputter target is present).

    摘要翻译： 提供了形成具有基本上均匀的粒径并且在低温下直接在基底上表现出基本均匀的密度分布的硅点的方法和装置。 将氢气（或氢气和含硅烷气体）供给到设置有硅溅射靶（例如，靶30）的真空室（1）中，或者将氢气和含硅烷的气体供应到 在不将硅溅射靶设置在其中的腔室（1）中，向气体施加高频功率，从而产生等离子体，使得发射强度Si（（（nm）/ Hbeta） 288nm波长的硅原子和等离子体发射波长为484nm的氢原子的发光强度Hbeta为10.0以下，优选为3.0以下，0.5以下，硅点（SiD ），在500度的低温下直接在基板（S）上形成粒径为20nm以下或10nm以下的粒径。 在等离子体中（如果存在硅溅射靶，则具有化学溅射）。

    Method of identifying methicillin-resistant Staphylococcus aureus or methicillin-resistant coagulase-negative staphylococci
    7.
    发明授权
    Method of identifying methicillin-resistant Staphylococcus aureus or methicillin-resistant coagulase-negative staphylococci 失效
    鉴定耐甲氧西林金黄色葡萄球菌或耐甲氧西林凝固酶阴性葡萄球菌的方法

    公开(公告)号：US6156507A

    公开(公告)日：2000-12-05

    申请号：US945810

    申请日：1997-10-23

    申请人： Keiichi Hiramatsu ,  Teruyo Ito ,  Akira Awaya ,  Hiroie Ohno ,  Tsukasa Hayashi

    发明人： Keiichi Hiramatsu ,  Teruyo Ito ,  Akira Awaya ,  Hiroie Ohno ,  Tsukasa Hayashi

    IPC分类号： G01N33/569 ,  C12N15/09 ,  C12Q1/68 ,  C07H21/04 ,  C12P19/34

    CPC分类号： C12Q1/689 ,  C12Q2600/156 ,  C12Q2600/16

    摘要： Disclosed is a specific identification method of an MRSA and MRC-NS, which is speedy, simple and reliable. Specifically, the present invention provides a diagnostic method of an MRSA or MRC-NS, which comprises performing a reaction with a sample by making combined use of a part of a mecDNA, which is an integrated adventitious DNA existing on a chromosome of the MRSA or MRC-NS and carrying an mecA gene thereon, and a part of a nucleotide sequence of a chromosomal DNA surrounding the integrated DNA; and also a diagnostic method of an MRSA or MRC-NS by PCR, LCR or hybridization, which comprises performing a reaction with a sample by using a nucleotide sequence of a chromosomal DNA surrounding an integrated site of a mecDNA in a chromosome of an MSSA or MSC-NS, wherein said method makes use of an occurrence of a negative reaction when said sample contains a mecDNA integrated therein.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP97 / 00487 Sec。 371日期：1997年10月23日 102（e）日期1997年10月23日PCT 1997年2月21日提交PCT公布。 公开号WO97 / 31125 PCT 日期1997年8月28日公开是MRSA和MRC-NS的具体识别方法，速度快，简单可靠。 具体地说，本发明提供MRSA或MRC-NS的诊断方法，其包括通过组合使用存在于MRSA的染色体上的整合的不定型DNA的一部分mecDNA或与 MRC-NS并在其上携带mecA基因，以及围绕整合DNA的染色体DNA的核苷酸序列的一部分; 以及通过PCR，LCR或杂交的MRSA或MRC-NS的诊断方法，其包括通过使用在MSSA的染色体中的mecDNA的整合位点周围的染色体DNA的核苷酸序列与样品进行反应，或 MSC-NS，其中当所述样品含有整合在其中的mecDNA时，所述方法利用了负反应的发生。