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    TEMPERATURE CONTROLLED ION SOURCE
    3.
    发明申请
    TEMPERATURE CONTROLLED ION SOURCE 有权
    温度控制离子源

    公开(公告)号：US20110240877A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：US12754318

    申请日：2010-04-05

    申请人： Victor Benveniste ,  Bon-Woong Koo ,  Shardul Patel ,  Frank Sinclair

    发明人： Victor Benveniste ,  Bon-Woong Koo ,  Shardul Patel ,  Frank Sinclair

    IPC分类号： H01J27/08 ,  H01J37/317

    CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/002

    摘要： An ion source is provided that utilizes a cooling plate and a gap interface to control the temperature of an ion source chamber. The gap interface is defined between the cooling plate and a wall of the chamber. A coolant gas is supplied to the interface at a given pressure where the pressure determines thermal conductivity from the cooling plate to the chamber to control the temperature of the interior of the chamber.

    摘要翻译： 提供了一种利用冷却板和间隙界面来控制离子源室的温度的离子源。 间隙界面限定在冷却板和腔室的壁之间。 在给定压力下将冷却剂气体供应到界面，其中压力确定从冷却板到室的导热性，以控制室内部的温度。

    Temperature controlled ion source
    4.
    发明授权
    Temperature controlled ion source 有权
    温度控制离子源

    公开(公告)号：US08188448B2

    公开(公告)日：2012-05-29

    申请号：US12754381

    申请日：2010-04-05

    申请人： Victor Benveniste ,  Bon-Woong Koo ,  Shardul Patel ,  Frank Sinclair

    发明人： Victor Benveniste ,  Bon-Woong Koo ,  Shardul Patel ,  Frank Sinclair

    IPC分类号： G21K5/10

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/002

    摘要： An ion source is provided that utilizes the same dopant gas supplied to the chamber to generate the desired process plasma to also provide temperature control of the chamber walls during high throughput operations. The ion source includes a chamber having a wall that defines an interior surface. A liner is disposed within the chamber and has at least one orifice to supply the dopant gas to an inside of the chamber. A gap is defined between at least a portion of the interior surface of the chamber wall and the liner. A first conduit is configured to supply dopant gas to the gap where the dopant gas has a flow rate within the gap. A second conduit is configured to remove the dopant gas from the gap, wherein the flow rate of the dopant gas within the gap acts as a heat transfer media to regulate the temperature of the interior of the chamber.

    摘要翻译： 提供了一种离子源，其利用提供给腔室的相同掺杂剂气体来产生所需的工艺等离子体，以在高通量操作期间提供室壁的温度控制。 离子源包括具有限定内表面的壁的室。 衬套设置在腔室内并且具有至少一个孔口以将掺杂剂气体供应到腔室的内部。 在室壁的内表面的至少一部分和衬垫之间限定间隙。 第一管道被配置为向掺杂剂气体在间隙内具有流速的间隙提供掺杂剂气体。 第二导管构造成从间隙去除掺杂剂气体，其中间隙内的掺杂剂气体的流速用作传热介质以调节室内部的温度。

    Temperature controlled ion source
    5.
    发明授权
    Temperature controlled ion source 有权
    温度控制离子源

    公开(公告)号：US08183542B2

    公开(公告)日：2012-05-22

    申请号：US12754318

    申请日：2010-04-05

    申请人： Victor Benveniste ,  Bon-Woong Koo ,  Shardul Patel ,  Frank Sinclair

    发明人： Victor Benveniste ,  Bon-Woong Koo ,  Shardul Patel ,  Frank Sinclair

    IPC分类号： G21K5/10

    CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/002

    摘要： An ion source is provided that utilizes a cooling plate and a gap interface to control the temperature of an ion source chamber. The gap interface is defined between the cooling plate and a wall of the chamber. A coolant gas is supplied to the interface at a given pressure where the pressure determines thermal conductivity from the cooling plate to the chamber to control the temperature of the interior of the chamber.

    摘要翻译： 提供了一种利用冷却板和间隙界面来控制离子源室的温度的离子源。 间隙界面限定在冷却板和腔室的壁之间。 在给定压力下将冷却剂气体供应到界面，其中压力确定从冷却板到室的导热性，以控制室内部的温度。

    TEMPERATURE CONTROLLED ION SOURCE
    6.
    发明申请
    TEMPERATURE CONTROLLED ION SOURCE 有权
    温度控制离子源

    公开(公告)号：US20110240878A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：US12754381

    申请日：2010-04-05

    申请人： Victor Benveniste ,  Bon-Woong Koo ,  Shardul Patel ,  Frank Sinclair

    发明人： Victor Benveniste ,  Bon-Woong Koo ,  Shardul Patel ,  Frank Sinclair

    IPC分类号： H01J27/02 ,  H01J37/317

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/002

    摘要： An ion source is provided that utilizes the same dopant gas supplied to the chamber to generate the desired process plasma to also provide temperature control of the chamber walls during high throughput operations. The ion source includes a chamber having a wall that defines an interior surface. A liner is disposed within the chamber and has at least one orifice to supply the dopant gas to an inside of the chamber. A gap is defined between at least a portion of the interior surface of the chamber wall and the liner. A first conduit is configured to supply dopant gas to the gap where the dopant gas has a flow rate within the gap. A second conduit is configured to remove the dopant gas from the gap, wherein the flow rate of the dopant gas within the gap acts as a heat transfer media to regulate the temperature of the interior of the chamber.

    摘要翻译： 提供了一种离子源，其利用提供给腔室的相同掺杂剂气体来产生所需的工艺等离子体，以在高通量操作期间提供室壁的温度控制。 离子源包括具有限定内表面的壁的室。 衬套设置在腔室内并且具有至少一个孔口以将掺杂剂气体供应到腔室的内部。 在室壁的内表面的至少一部分和衬垫之间限定间隙。 第一管道被配置为向掺杂剂气体在间隙内具有流速的间隙提供掺杂剂气体。 第二导管构造成从间隙去除掺杂剂气体，其中间隙内的掺杂剂气体的流速用作传热介质以调节室内部的温度。

    EXCITED GAS INJECTION FOR ION IMPLANT CONTROL
    7.
    发明申请
    EXCITED GAS INJECTION FOR ION IMPLANT CONTROL 有权
    激光注射用于离子植入控制

    公开(公告)号：US20100140077A1

    公开(公告)日：2010-06-10

    申请号：US12328096

    申请日：2008-12-04

    申请人： Bon-Woong Koo ,  Victor Benveniste ,  Christopher A. Rowland ,  Craig R. Chaney ,  Frank Sinclair ,  Neil J. Bassom

    发明人： Bon-Woong Koo ,  Victor Benveniste ,  Christopher A. Rowland ,  Craig R. Chaney ,  Frank Sinclair ,  Neil J. Bassom

    IPC分类号： B01J19/08 ,  C23C16/513

    CPC分类号： H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/24514

    摘要： An ion source that utilizes exited and/or atomic gas injection is disclosed. In an ion beam application, the source gas can be used directly, as it is traditionally supplied. Alternatively or additionally, the source gas can be altered by passing it through a remote plasma source prior to being introduced to the ion source chamber. This can be used to create excited neutrals, heavy ions, metastable molecules or multiply charged ions. In another embodiment, multiple gasses are used, where one or more of the gasses are passed through a remote plasma generator. In certain embodiments, the gasses are combined in a single plasma generator before being supplied to the ion source chamber. In plasma immersion applications, plasma is injected into the process chamber through one or more additional gas injection locations. These injection locations allow the influx of additional plasma, produced by remote plasma sources external to the process chamber.

    摘要翻译： 公开了一种利用离子源和/或原子气体注入的离子源。 在离子束施加中，源气体可以直接使用，如通常提供的。 或者或另外，源气体可以在被引入离子源室之前通过将其通过远程等离子体源来改变。 这可以用于产生兴奋的中性粒子，重离子，亚稳分子或多电荷离子。 在另一个实施例中，使用多个气体，其中一个或多个气体通过远程等离子体发生器。 在某些实施方案中，气体在被提供给离子源室之前组合在单个等离子体发生器中。 在等离子体浸渍应用中，通过一个或多个另外的气体注入位置将等离子体注入到处理室中。 这些注入位置允许通过处理室外部的远程等离子体源产生的附加等离子体的流入。

    Excited gas injection for ion implant control
    9.
    发明授权
    Excited gas injection for ion implant control 有权
    激发气体注入用于离子注入控制

    公开(公告)号：US08501624B2

    公开(公告)日：2013-08-06

    申请号：US12328096

    申请日：2008-12-04

    申请人： Bon-Woong Koo ,  Victor Benveniste ,  Christopher A. Rowland ,  Craig R. Chaney ,  Frank Sinclair ,  Neil J. Bassom

    发明人： Bon-Woong Koo ,  Victor Benveniste ,  Christopher A. Rowland ,  Craig R. Chaney ,  Frank Sinclair ,  Neil J. Bassom

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/24514

    摘要： An ion source that utilizes exited and/or atomic gas injection is disclosed. In an ion beam application, the source gas can be used directly, as it is traditionally supplied. Alternatively or additionally, the source gas can be altered by passing it through a remote plasma source prior to being introduced to the ion source chamber. This can be used to create excited neutrals, heavy ions, metastable molecules or multiply charged ions. In another embodiment, multiple gasses are used, where one or more of the gasses are passed through a remote plasma generator. In certain embodiments, the gasses are combined in a single plasma generator before being supplied to the ion source chamber. In plasma immersion applications, plasma is injected into the process chamber through one or more additional gas injection locations. These injection locations allow the influx of additional plasma, produced by remote plasma sources external to the process chamber.

    摘要翻译： 公开了一种利用离子源和/或原子气体注入的离子源。 在离子束施加中，源气体可以直接使用，如通常提供的。 或者或另外，源气体可以在被引入离子源室之前通过将其通过远程等离子体源来改变。 这可以用于产生兴奋的中性粒子，重离子，亚稳分子或多电荷离子。 在另一个实施例中，使用多个气体，其中一个或多个气体通过远程等离子体发生器。 在某些实施方案中，气体在被提供给离子源室之前组合在单个等离子体发生器中。 在等离子体浸渍应用中，通过一个或多个另外的气体注入位置将等离子体注入到处理室中。 这些注入位置允许通过处理室外部的远程等离子体源产生的附加等离子体的流入。