公开(公告)号：US07019292B1

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：US10869588

申请日：2004-06-15

申请人： Frank Y. H. Fan ,  David L. Adler ,  Kirk J. Bertsche ,  Luca Grella

发明人： Frank Y. H. Fan ,  David L. Adler ,  Kirk J. Bertsche ,  Luca Grella

IPC分类号： H01J37/256

CPC分类号： H01J37/05 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/281 ,  H01J2237/2817 ,  H01L22/14

摘要： One embodiment disclosed relates to a method for robustly detecting a defective high aspect ratio (HAR) feature. A surface area of a semiconductor specimen with HAR features thereon is charged up, and a primary beam is impinged onto the surface area. Scattered electrons that are generated due to the impingement of the primary beam are extracted from the surface area. An energy filter is applied to remove the scattered electrons with lower energies, and the filtered electrons are detected. Image data is generated from the detected electrons, and an intensity threshold is applied to the image data.

摘要翻译： 公开的一个实施例涉及用于鲁棒地检测有缺陷的高纵横比（HAR）特征的方法。 其上具有HAR特征的半导体样品的表面积被充电，并且主光束撞击到表面区域。 从表面区域提取由于主光束的撞击而产生的分散电子。 应用能量滤波器去除具有较低能量的散射电子，并且检测滤波电子。 从检测到的电子生成图像数据，并且将强度阈值应用于图像数据。

公开(公告)号：US07315022B1

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：US11031091

申请日：2005-01-06

申请人： David L. Adler ,  Mark A. McCord ,  Mehdi Vaez-Iravani ,  Liqun Han ,  Kirk J. Bertsche

发明人： David L. Adler ,  Mark A. McCord ,  Mehdi Vaez-Iravani ,  Liqun Han ,  Kirk J. Bertsche

IPC分类号： H01J37/20 ,  G01R31/28

CPC分类号： G01R31/307 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0653 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/244 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/248 ,  H01J2237/2809 ,  H01J2237/2817

摘要： One embodiment disclosed relates to an electron beam apparatus for inspection of a semiconductor wafer, wherein substantially an entire area of the wafer surface is scanned without moving the stage. A cathode ray tube (CRT) gun may be used to rapidly (and cost effectively) scan the beam over the wafer. Another embodiment disclosed relates to a high-speed automated e-beam inspector configured to scan the e-beam in one dimension while translating the wafer in a perpendicular direction. The translation may be linear, or alternatively, may be in a spiral path. Other embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 所公开的一个实施例涉及一种用于检查半导体晶片的电子束装置，其中在不移动载物台的情况下扫描晶片表面的大致整个区域。 阴极射线管（CRT）枪可以用于快速（并且成本有效地）扫描晶片上的光束。 所公开的另一实施例涉及一种配置成在一个维度上扫描电子束的高速自动电子束检查器，同时沿垂直方向平移晶片。 平移可以是线性的，或者可以是螺旋形路径。 还公开了其他实施例。

公开(公告)号：US06870172B1

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US10851040

申请日：2004-05-21

申请人： Marian Mankos ,  Harald F. Hess ,  David L. Adler ,  Kirk J. Bertsche

发明人： Marian Mankos ,  Harald F. Hess ,  David L. Adler ,  Kirk J. Bertsche

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/31789

摘要： One embodiment disclosed relates to an apparatus for reflection electron beam lithography. An electron source is configured to emit electrons. The electrons are reflected to a target substrate by portions of an electron-opaque patterned structure having a lower voltage level and are absorbed by portions of the structure having a higher voltage level. Another embodiment relates to a novel method of electron beam lithography. An incident electron beam is formed and directed to an opaque patterned structure. Electrons are reflected from portions of the structure having a lower voltage level applied thereto and are absorbed by portions of the structure having a higher voltage level applied thereto. The reflected electrons are directed towards a target substrate to form an image and expose a lithographic pattern.

摘要翻译： 所公开的一个实施例涉及用于反射电子束光刻的装置。 电子源被配置为发射电子。 电子被具有较低电压电平的电子不透明图案结构的一部分反射到目标衬底，并被具有较高电压电平的结构的部分吸收。 另一实施例涉及电子束光刻的新颖方法。 形成入射电子束并且引导到不透明的图案结构。 电子被施加到其上的具有较低电压电平的结构的部分反射并被施加到其上的具有较高电压电平的结构的部分吸收。 反射的电子被引向目标衬底以形成图像并暴露光刻图案。

公开(公告)号：US07276694B1

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US11092545

申请日：2005-03-29

申请人： Kirk J. Bertsche

发明人： Kirk J. Bertsche

IPC分类号： H01J37/28

CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/24485 ,  H01J2237/24495

摘要： One embodiment disclosed relates to an apparatus for detecting defects in substrates. An irradiation source is configured to generate an incident beam, and a lens system configured to focus the incident beam onto a target substrate so as to cause emission of electrons. A multiple-bin detector is configured to detect the emitted electrons, and each bin of the detector detects the emitted electrons within a range of energies. A processing system configured to process signals from the multiple-bin detector. Other embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 公开的一个实施例涉及用于检测基板中的缺陷的装置。 照射源被配置为产生入射光束，以及透镜系统，被配置为将入射光束聚焦到目标衬底上以引起电子的发射。 多埠检测器被配置为检测发射的电子，并且检测器的每一个检测器在能量范围内检测发射的电子。 一种被配置为处理来自多仓检测器的信号的处理系统。 还公开了其他实施例。

公开(公告)号：US07253410B1

公开(公告)日：2007-08-07

申请号：US11225917

申请日：2005-09-13

申请人： Kirk J. Bertsche ,  John Greene

发明人： Kirk J. Bertsche ,  John Greene

IPC分类号： H01J37/244

CPC分类号： H01J37/026 ,  H01J37/263 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0044 ,  H01J2237/0048 ,  H01J2237/2809 ,  H01J2237/2817

摘要： One embodiment described relates to a method of electron beam imaging of a target area of a substrate. An electron beam column is configured for charge-control pre-scanning using a primary electron beam. A pre-scan is performed over the target area. The electron beam column is re-configured for imaging using the primary electron beam. An imaging scan is then performed over the target area. Other embodiments are also described.

摘要翻译： 所描述的一个实施例涉及对基板的目标区域进行电子束成像的方法。 电子束列被配置为使用一次电子束进行电荷控制预扫描。 在目标区域上执行预扫描。 电子束列被重新配置成使用一次电子束成像。 然后在目标区域上执行成像扫描。 还描述了其它实施例。

公开(公告)号：US08427185B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US13024379

申请日：2011-02-10

申请人： George H. Zapalac, Jr. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

发明人： George H. Zapalac, Jr. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

IPC分类号： G01R31/308 ,  G01R31/08

CPC分类号： H02S50/10

摘要： A method of inline inspection of photovoltaic material for electrical anomalies. A first electrical connection is formed to a first surface of the photovoltaic material, and a second electrical connection is formed to an opposing second surface of the photovoltaic material. A localized current is induced in the photovoltaic material and properties of the localized current in the photovoltaic material are sensed using the first and second electrical connections. The properties of the sensed localized current are analyzed to detect the electrical anomalies in the photovoltaic material.

摘要翻译： 一种用于电气异常的光伏材料的在线检查方法。 第一电连接形成在光伏材料的第一表面上，并且第二电连接形成在光伏材料的相对的第二表面上。 在光伏材料中感应到局部电流，并且使用第一和第二电连接来感测光伏材料中局部电流的特性。 分析感测到的局部电流的性质以检测光伏材料中的电气异常。

公开(公告)号：US07394069B1

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：US11280829

申请日：2005-11-15

申请人： Kirk J. Bertsche

发明人： Kirk J. Bertsche

IPC分类号： G21K1/00

CPC分类号： H01J37/28 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/1508 ,  H01J2237/151 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/24485

摘要： One embodiment relates to a charged-particle beam apparatus. The apparatus includes at least a source for generating the charged-particle beam, a first deflector, and a second deflector. The first deflector is configured to scan the charged-particle beam in a first dimension. The second deflector is configured to deflect the scanned beam such that the scanned beam impinges telecentrically (perpendicularly) upon a surface of a target substrate. Other embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 一个实施例涉及带电粒子束装置。 该装置至少包括用于产生带电粒子束的源，第一偏转器和第二偏转器。 第一偏转器被配置成在第一维度扫描带电粒子束。 第二偏转器被配置为使扫描的光束偏转，使得扫描的光束以中心（垂直）方向照射到目标衬底的表面上。 还公开了其他实施例。

公开(公告)号：US06822246B2

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US10109168

申请日：2002-03-27

申请人： Kirk J. Bertsche

发明人： Kirk J. Bertsche

IPC分类号： H01J3708

CPC分类号： H01J37/28 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/2817

摘要： Apparatus configurations are disclosed for generating a ribbon-like beam that impinges onto a target specimen as an elongated spot. The elongated spot has a first dimension that is substantially elongated in comparison to a second dimension. The configuration may be non-axisymmetric and include means for point-to-parallel focusing in the first dimension and point-to-point focusing in the second dimension. In accordance with one embodiment, the apparatus may include a first lens subsystem for transforming the electron beam into an intermediate-stage beam, and a second lens subsystem for focusing the intermediate-stage beam into the elongated spot. Methods are disclosed for focusing the electron beam into the elongated spot. In accordance with one embodiment, a method may include transforming the electron beam into an intermediate-stage beam, and focusing the intermediate-stage beam into a ribbon-like beam that impinges onto a target specimen as an elongated spot.

摘要翻译： 公开了用于产生作为细长斑点撞击到靶标本上的带状束的装置结构。 细长点具有与第二尺寸相比基本上细长的第一尺寸。 该配置可以是非轴对称的，并且包括在第一维度中的点对平行聚焦和在第二维度中的点对点聚焦的装置。 根据一个实施例，该装置可以包括用于将电子束转换成中间级光束的第一透镜子系统和用于将中间级光束聚焦到细长光斑中的第二透镜子系统。 公开了用于将电子束聚焦到细长点中的方法。 根据一个实施例，一种方法可以包括将电子束转换成中间级光束，并将中间级光束聚焦成作为细长光斑撞击到目标样本上的带状光束。

公开(公告)号：US07507959B2

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：US11644591

申请日：2006-12-21

申请人： Kirk J. Bertsche ,  Mark A. McCord

发明人： Kirk J. Bertsche ,  Mark A. McCord

IPC分类号： H01J37/14 ,  H01J37/28

CPC分类号： G21K7/00 ,  H01J37/026 ,  H01J2237/0045 ,  H01J2237/0048

摘要： A surface of an insulating substrate is charged to a target potential. In one embodiment, the surface is flooded with a higher-energy electron beam such that the electron yield is greater than one. Subsequently, the surface is flooded with a lower-energy electron beam such that the electron yield is less than one. In another embodiment, the substrate is provided with the surface in a state at an approximate initial potential above the target potential. The surface is then flooded with charged particle such that the charge yield of scattered particles is less than one, such that a steady state is reached at which the target potential is achieved. Another embodiment pertains to an apparatus for charging a surface of an insulating substrate to a target potential.

摘要翻译： 将绝缘基板的表面充电至目标电位。 在一个实施方案中，表面充满了较高能量的电子束，使得电子产率大于1。 随后，表面被低能电子束淹没，使得电子产率小于1。 在另一个实施例中，衬底被提供有处于大于目标电位的初始电位的状态的表面。 然后用带电粒子充满表面，使得散射颗粒的电荷产率小于1，使得达到达到目标电势的稳定状态。 另一个实施例涉及一种用于将绝缘衬底的表面充电到目标电位的装置。

公开(公告)号：US07446320B1

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US11260586

申请日：2005-10-26

申请人： Mark A. McCord ,  Kirk J. Bertsche ,  Francisco Machuca

发明人： Mark A. McCord ,  Kirk J. Bertsche ,  Francisco Machuca

IPC分类号： H01J37/12 ,  H01J42/22

CPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/145 ,  H01J37/21 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/1035 ,  H01J2237/281

摘要： One embodiment relates to an electronically-variable electrostatic immersion lens in an electron beam apparatus. The electrostatic immersion lens includes a top electrode configured with a first voltage applied thereto, an upper bottom electrode configured with a second voltage applied thereto, and a lower bottom electrode configured with a third voltage applied thereto. The third voltage is controlled separately from the second voltage. Other embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 一个实施例涉及电子束装置中的电子可变静电浸没透镜。 静电浸没透镜包括配置有施加到其上的第一电压的上电极，施加有第二电压的上底电极，以及施加有第三电压的下底电极。 第三电压与第二电压分开控制。 还公开了其他实施例。