公开(公告)号：US08427185B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US13024379

申请日：2011-02-10

申请人： George H. Zapalac, Jr. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

发明人： George H. Zapalac, Jr. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

IPC分类号： G01R31/308 ,  G01R31/08

CPC分类号： H02S50/10

摘要： A method of inline inspection of photovoltaic material for electrical anomalies. A first electrical connection is formed to a first surface of the photovoltaic material, and a second electrical connection is formed to an opposing second surface of the photovoltaic material. A localized current is induced in the photovoltaic material and properties of the localized current in the photovoltaic material are sensed using the first and second electrical connections. The properties of the sensed localized current are analyzed to detect the electrical anomalies in the photovoltaic material.

摘要翻译： 一种用于电气异常的光伏材料的在线检查方法。 第一电连接形成在光伏材料的第一表面上，并且第二电连接形成在光伏材料的相对的第二表面上。 在光伏材料中感应到局部电流，并且使用第一和第二电连接来感测光伏材料中局部电流的特性。 分析感测到的局部电流的性质以检测光伏材料中的电气异常。

公开(公告)号：US20110133750A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US13024379

申请日：2011-02-10

申请人： George H. Zapalac, JR. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

发明人： George H. Zapalac, JR. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

IPC分类号： G01R31/02

CPC分类号： H02S50/10

摘要： A method of inline inspection of photovoltaic material for electrical anomalies. A first electrical connection is formed to a first surface of the photovoltaic material, and a second electrical connection is formed to an opposing second surface of the photovoltaic material. A localized current is induced in the photovoltaic material and properties of the localized current in the photovoltaic material are sensed using the first and second electrical connections. The properties of the sensed localized current are analyzed to detect the electrical anomalies in the photovoltaic material.

摘要翻译： 一种用于电气异常的光伏材料的在线检查方法。 第一电连接形成在光伏材料的第一表面上，并且第二电连接形成于光伏材料的相对的第二表面。 在光伏材料中感应到局部电流，并且使用第一和第二电连接来感测光伏材料中局部电流的特性。 分析感测到的局部电流的性质以检测光伏材料中的电气异常。

公开(公告)号：US07906972B2

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US12631260

申请日：2009-12-04

申请人： George H. Zapalac, Jr. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

发明人： George H. Zapalac, Jr. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

IPC分类号： G01R31/08 ,  G01R31/26

CPC分类号： H02S50/10

摘要： A method of inline inspection of photovoltaic material for electrical anomalies. A first electrical connection is formed to a first surface of the photovoltaic material, and a second electrical connection is formed to an opposing second surface of the photovoltaic material. A localized current is induced in the photovoltaic material and properties of the localized current in the photovoltaic material are sensed using the first and second electrical connections. The properties of the sensed localized current are analyzed to detect the electrical anomalies in the photovoltaic material.

摘要翻译： 一种用于电气异常的光伏材料的在线检查方法。 第一电连接形成在光伏材料的第一表面上，并且第二电连接形成在光伏材料的相对的第二表面上。 在光伏材料中感应到局部电流，并且使用第一和第二电连接来感测光伏材料中局部电流的特性。 分析感测到的局部电流的性质以检测光伏材料中的电气异常。

公开(公告)号：US20100079147A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12631260

申请日：2009-12-04

申请人： George H. Zapalac, Jr. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

发明人： George H. Zapalac, Jr. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

IPC分类号： G01R31/08 ,  G01R31/00

CPC分类号： H02S50/10

摘要： A method of inline inspection of photovoltaic material for electrical anomalies. A first electrical connection is formed to a first surface of the photovoltaic material, and a second electrical connection is formed to an opposing second surface of the photovoltaic material. A localized current is induced in the photovoltaic material and properties of the localized current in the photovoltaic material are sensed using the first and second electrical connections. The properties of the sensed localized current are analyzed to detect the electrical anomalies in the photovoltaic material.

摘要翻译： 一种用于电气异常的光伏材料的在线检查方法。 第一电连接形成在光伏材料的第一表面上，并且第二电连接形成于光伏材料的相对的第二表面。 在光伏材料中感应到局部电流，并且使用第一和第二电连接来感测光伏材料中局部电流的特性。 分析感测到的局部电流的性质以检测光伏材料中的电气异常。

公开(公告)号：US07649365B1

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US11690809

申请日：2007-03-24

申请人： George H. Zapalac, Jr. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

发明人： George H. Zapalac, Jr. ,  Kirk J. Bertsche ,  David L. Brown ,  J. Kirkwood H. Rough ,  David A. Soltz ,  Yehiel Gotkis

IPC分类号： G01R31/302 ,  G01R31/08

CPC分类号： H02S50/10

摘要： A method of inline inspection of photovoltaic material for electrical anomalies. A first electrical connection is formed to a first surface of the photovoltaic material, and a second electrical connection is formed to an opposing second surface of the photovoltaic material. A localized current is induced in the photovoltaic material and properties of the localized current in the photovoltaic material are sensed using the first and second electrical connections. The properties of the sensed localized current are analyzed to detect the electrical anomalies in the photovoltaic material.

摘要翻译： 一种用于电气异常的光伏材料的在线检查方法。 第一电连接形成在光伏材料的第一表面上，并且第二电连接形成在光伏材料的相对的第二表面上。 在光伏材料中感应到局部电流，并且使用第一和第二电连接来感测光伏材料中局部电流的特性。 分析感测到的局部电流的性质以检测光伏材料中的电气异常。

公开(公告)号：US07276694B1

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US11092545

申请日：2005-03-29

申请人： Kirk J. Bertsche

发明人： Kirk J. Bertsche

IPC分类号： H01J37/28

CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/24485 ,  H01J2237/24495

摘要： One embodiment disclosed relates to an apparatus for detecting defects in substrates. An irradiation source is configured to generate an incident beam, and a lens system configured to focus the incident beam onto a target substrate so as to cause emission of electrons. A multiple-bin detector is configured to detect the emitted electrons, and each bin of the detector detects the emitted electrons within a range of energies. A processing system configured to process signals from the multiple-bin detector. Other embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 公开的一个实施例涉及用于检测基板中的缺陷的装置。 照射源被配置为产生入射光束，以及透镜系统，被配置为将入射光束聚焦到目标衬底上以引起电子的发射。 多埠检测器被配置为检测发射的电子，并且检测器的每一个检测器在能量范围内检测发射的电子。 一种被配置为处理来自多仓检测器的信号的处理系统。 还公开了其他实施例。

公开(公告)号：US07253410B1

公开(公告)日：2007-08-07

申请号：US11225917

申请日：2005-09-13

申请人： Kirk J. Bertsche ,  John Greene

发明人： Kirk J. Bertsche ,  John Greene

IPC分类号： H01J37/244

CPC分类号： H01J37/026 ,  H01J37/263 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0044 ,  H01J2237/0048 ,  H01J2237/2809 ,  H01J2237/2817

摘要： One embodiment described relates to a method of electron beam imaging of a target area of a substrate. An electron beam column is configured for charge-control pre-scanning using a primary electron beam. A pre-scan is performed over the target area. The electron beam column is re-configured for imaging using the primary electron beam. An imaging scan is then performed over the target area. Other embodiments are also described.

摘要翻译： 所描述的一个实施例涉及对基板的目标区域进行电子束成像的方法。 电子束列被配置为使用一次电子束进行电荷控制预扫描。 在目标区域上执行预扫描。 电子束列被重新配置成使用一次电子束成像。 然后在目标区域上执行成像扫描。 还描述了其它实施例。

公开(公告)号：US07315022B1

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：US11031091

申请日：2005-01-06

申请人： David L. Adler ,  Mark A. McCord ,  Mehdi Vaez-Iravani ,  Liqun Han ,  Kirk J. Bertsche

发明人： David L. Adler ,  Mark A. McCord ,  Mehdi Vaez-Iravani ,  Liqun Han ,  Kirk J. Bertsche

IPC分类号： H01J37/20 ,  G01R31/28

CPC分类号： G01R31/307 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0653 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/244 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/248 ,  H01J2237/2809 ,  H01J2237/2817

摘要： One embodiment disclosed relates to an electron beam apparatus for inspection of a semiconductor wafer, wherein substantially an entire area of the wafer surface is scanned without moving the stage. A cathode ray tube (CRT) gun may be used to rapidly (and cost effectively) scan the beam over the wafer. Another embodiment disclosed relates to a high-speed automated e-beam inspector configured to scan the e-beam in one dimension while translating the wafer in a perpendicular direction. The translation may be linear, or alternatively, may be in a spiral path. Other embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 所公开的一个实施例涉及一种用于检查半导体晶片的电子束装置，其中在不移动载物台的情况下扫描晶片表面的大致整个区域。 阴极射线管（CRT）枪可以用于快速（并且成本有效地）扫描晶片上的光束。 所公开的另一实施例涉及一种配置成在一个维度上扫描电子束的高速自动电子束检查器，同时沿垂直方向平移晶片。 平移可以是线性的，或者可以是螺旋形路径。 还公开了其他实施例。

公开(公告)号：US07394069B1

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：US11280829

申请日：2005-11-15

申请人： Kirk J. Bertsche

发明人： Kirk J. Bertsche

IPC分类号： G21K1/00

CPC分类号： H01J37/28 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/1508 ,  H01J2237/151 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/24485

摘要： One embodiment relates to a charged-particle beam apparatus. The apparatus includes at least a source for generating the charged-particle beam, a first deflector, and a second deflector. The first deflector is configured to scan the charged-particle beam in a first dimension. The second deflector is configured to deflect the scanned beam such that the scanned beam impinges telecentrically (perpendicularly) upon a surface of a target substrate. Other embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 一个实施例涉及带电粒子束装置。 该装置至少包括用于产生带电粒子束的源，第一偏转器和第二偏转器。 第一偏转器被配置成在第一维度扫描带电粒子束。 第二偏转器被配置为使扫描的光束偏转，使得扫描的光束以中心（垂直）方向照射到目标衬底的表面上。 还公开了其他实施例。

公开(公告)号：US07019292B1

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：US10869588

申请日：2004-06-15

申请人： Frank Y. H. Fan ,  David L. Adler ,  Kirk J. Bertsche ,  Luca Grella

发明人： Frank Y. H. Fan ,  David L. Adler ,  Kirk J. Bertsche ,  Luca Grella

IPC分类号： H01J37/256

CPC分类号： H01J37/05 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/281 ,  H01J2237/2817 ,  H01L22/14

摘要： One embodiment disclosed relates to a method for robustly detecting a defective high aspect ratio (HAR) feature. A surface area of a semiconductor specimen with HAR features thereon is charged up, and a primary beam is impinged onto the surface area. Scattered electrons that are generated due to the impingement of the primary beam are extracted from the surface area. An energy filter is applied to remove the scattered electrons with lower energies, and the filtered electrons are detected. Image data is generated from the detected electrons, and an intensity threshold is applied to the image data.

摘要翻译： 公开的一个实施例涉及用于鲁棒地检测有缺陷的高纵横比（HAR）特征的方法。 其上具有HAR特征的半导体样品的表面积被充电，并且主光束撞击到表面区域。 从表面区域提取由于主光束的撞击而产生的分散电子。 应用能量滤波器去除具有较低能量的散射电子，并且检测滤波电子。 从检测到的电子生成图像数据，并且将强度阈值应用于图像数据。