公开(公告)号：US09059083B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US11855712

申请日：2007-09-14

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Manfred Mengel ,  Reimund Engl ,  Josef Hoeglauer ,  Jochen Dangelmaier

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Manfred Mengel ,  Reimund Engl ,  Josef Hoeglauer ,  Jochen Dangelmaier

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49534 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H05K3/4661

摘要： A semiconductor device is disclosed. One embodiment includes a carrier, a semiconductor chip attached to the carrier, a first conducting line having a first thickness and being deposited over the semiconductor chip and the carrier and a second conducting line having a second thickness and being deposited over the semiconductor chip and the carrier. The first thickness is smaller than the second thickness.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 一个实施例包括载体，附接到载体的半导体芯片，具有第一厚度并沉积在半导体芯片和载体上的第一导线和具有第二厚度并沉积在半导体芯片上的第二导线， 载体 第一厚度小于第二厚度。

公开(公告)号：US20090072379A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11855712

申请日：2007-09-14

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Manfred Mengel ,  Reimund Engl ,  Josef Hoeglauer ,  Jochen Dangelmaier

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Manfred Mengel ,  Reimund Engl ,  Josef Hoeglauer ,  Jochen Dangelmaier

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49534 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H05K3/4661

摘要： A semiconductor device is disclosed. One embodiment includes a carrier, a semiconductor chip attached to the carrier, a first conducting line having a first thickness and being deposited over the semiconductor chip and the carrier and a second conducting line having a second thickness and being deposited over the semiconductor chip and the carrier. The first thickness is smaller than the second thickness.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 一个实施例包括载体，附接到载体的半导体芯片，具有第一厚度并沉积在半导体芯片和载体上的第一导线和具有第二厚度并沉积在半导体芯片上的第二导线， 载体 第一厚度小于第二厚度。

公开(公告)号：US20090072415A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11854877

申请日：2007-09-13

申请人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

发明人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14

摘要： An integrated circuit device includes a semiconductor device having an integrated circuit. A gas-phase deposited insulation layer is disposed on the semiconductor device, and a conducting line is disposed over the gas-phase deposited insulation layer.

摘要翻译： 集成电路器件包括具有集成电路的半导体器件。 气相沉积绝缘层设置在半导体器件上，并且导电线设置在气相沉积绝缘层上。

公开(公告)号：US20090072413A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11857773

申请日：2007-09-19

申请人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

发明人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L23/49572 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. One embodiment provides a substrate and a first semiconductor chip applied over the substrate. A first electrically conductive layer is applied over the substrate and the first semiconductor chip. A first electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the first electrically insulating layer.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 一个实施例提供了施加在衬底上的衬底和第一半导体芯片。 在衬底和第一半导体芯片上施加第一导电层。 第一电绝缘层施加在第一导电层上。 在第一电绝缘层上施加第二导电层。

公开(公告)号：US07838978B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US11857773

申请日：2007-09-19

申请人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

发明人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L23/49572 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. One embodiment provides a substrate and a first semiconductor chip applied over the substrate. A first electrically conductive layer is applied over the substrate and the first semiconductor chip. A first electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the first electrically insulating layer.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 一个实施例提供了施加在衬底上的衬底和第一半导体芯片。 在衬底和第一半导体芯片上施加第一导电层。 第一电绝缘层施加在第一导电层上。 在第一电绝缘层上施加第二导电层。

公开(公告)号：US07662726B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11854877

申请日：2007-09-13

申请人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

发明人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14

摘要： An integrated circuit device includes a semiconductor device having an integrated circuit. A gas-phase deposited insulation layer is disposed on the semiconductor device, and a conducting line is disposed over the gas-phase deposited insulation layer.

摘要翻译： 集成电路器件包括具有集成电路的半导体器件。 气相沉积绝缘层设置在半导体器件上，并且导电线设置在气相沉积绝缘层上。

公开(公告)号：US20090236749A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12050552

申请日：2008-03-18

申请人： Ralf Otremba ,  Henrik Ewe ,  Klaus Schiess ,  Manfred Mengel

发明人： Ralf Otremba ,  Henrik Ewe ,  Klaus Schiess ,  Manfred Mengel

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： One aspect is a method including providing a carrier having a first conducting layer, a first insulating layer over the first conducting layer, and at least one through-connection from a first face of the first insulating layer to a second face of the first insulating layer; attaching at least two semiconductor chips to the carrier; applying a second insulating layer over the carrier; opening the second insulating layer until the carrier is exposed; depositing a metal layer over the opened second insulating layer; and separating the at least two semiconductor chips after depositing the metal layer.

摘要翻译： 一个方面是一种方法，包括提供具有第一导电层，第一导电层上的第一绝缘层和从第一绝缘层的第一面到第一绝缘层的第二面的至少一个通孔的载体 ; 将至少两个半导体芯片附接到所述载体上; 在载体上施加第二绝缘层; 打开第二绝缘层，直到载体露出; 在所述打开的第二绝缘层上沉积金属层; 以及在沉积所述金属层之后分离所述至少两个半导体芯片。

公开(公告)号：US08507320B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US12050552

申请日：2008-03-18

申请人： Ralf Otremba ,  Henrik Ewe ,  Klaus Schiess ,  Manfred Mengel

发明人： Ralf Otremba ,  Henrik Ewe ,  Klaus Schiess ,  Manfred Mengel

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： One aspect is a method including providing a carrier having a first conducting layer, a first insulating layer over the first conducting layer, and at least one through-connection from a first face of the first insulating layer to a second face of the first insulating layer; attaching at least two semiconductor chips to the carrier; applying a second insulating layer over the carrier; opening the second insulating layer until the carrier is exposed; depositing a metal layer over the opened second insulating layer; and separating the at least two semiconductor chips after depositing the metal layer.

摘要翻译： 一个方面是一种方法，包括提供具有第一导电层，第一导电层上的第一绝缘层和从第一绝缘层的第一面到第一绝缘层的第二面的至少一个通孔的载体 ; 将至少两个半导体芯片附接到所述载体上; 在载体上施加第二绝缘层; 打开第二绝缘层，直到载体露出; 在所述打开的第二绝缘层上沉积金属层; 以及在沉积所述金属层之后分离所述至少两个半导体芯片。

公开(公告)号：US20090191665A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12018847

申请日：2008-01-24

申请人： Ivan Nikitin ,  Manfred Mengel ,  Gottfried Beer ,  Henrik Ewe

发明人： Ivan Nikitin ,  Manfred Mengel ,  Gottfried Beer ,  Henrik Ewe

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

摘要： This application relates to a method of manufacturing an electronic device comprising placing a first chip on a carrier; applying an insulating layer over the first chip and the carrier; applying a metal ions containing solution to the insulating layer for producing a first metal layer of a first thickness; and producing a second metal layer of a second thickness on the insulating layer wherein at least one of the first metal layer and the second metal layer comprises at least a portion that is laterally spaced apart from the respective other metal layer.

摘要翻译： 本申请涉及一种制造电子设备的方法，包括将第一芯片放置在载体上; 在第一芯片和载体上施加绝缘层; 将金属离子溶液施加到所述绝缘层上以制备第一厚度的第一金属层; 以及在所述绝缘层上产生第二厚度的第二金属层，其中所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一个包括至少一部分，所述至少一部分与相应的其它金属层横向间隔开。

公开(公告)号：US07799601B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US12018847

申请日：2008-01-24

申请人： Ivan Nikitin ,  Manfred Mengel ,  Beer Gottfried ,  Henrik Ewe

发明人： Ivan Nikitin ,  Manfred Mengel ,  Beer Gottfried ,  Henrik Ewe

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

摘要： This application relates to a method of manufacturing an electronic device comprising placing a first chip on a carrier; applying an insulating layer over the first chip and the carrier; applying a metal ions containing solution to the insulating layer for producing a first metal layer of a first thickness; and producing a second metal layer of a second thickness on the insulating layer wherein at least one of the first metal layer and the second metal layer comprises at least a portion that is laterally spaced apart from the respective other metal layer.

摘要翻译： 本申请涉及一种制造电子设备的方法，包括将第一芯片放置在载体上; 在第一芯片和载体上施加绝缘层; 将金属离子溶液施加到所述绝缘层上以制备第一厚度的第一金属层; 以及在所述绝缘层上产生第二厚度的第二金属层，其中所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一个包括至少一部分，所述至少一部分与相应的其它金属层横向间隔开。