公开(公告)号：US07799601B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US12018847

申请日：2008-01-24

申请人： Ivan Nikitin ,  Manfred Mengel ,  Beer Gottfried ,  Henrik Ewe

发明人： Ivan Nikitin ,  Manfred Mengel ,  Beer Gottfried ,  Henrik Ewe

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

摘要： This application relates to a method of manufacturing an electronic device comprising placing a first chip on a carrier; applying an insulating layer over the first chip and the carrier; applying a metal ions containing solution to the insulating layer for producing a first metal layer of a first thickness; and producing a second metal layer of a second thickness on the insulating layer wherein at least one of the first metal layer and the second metal layer comprises at least a portion that is laterally spaced apart from the respective other metal layer.

摘要翻译： 本申请涉及一种制造电子设备的方法，包括将第一芯片放置在载体上; 在第一芯片和载体上施加绝缘层; 将金属离子溶液施加到所述绝缘层上以制备第一厚度的第一金属层; 以及在所述绝缘层上产生第二厚度的第二金属层，其中所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一个包括至少一部分，所述至少一部分与相应的其它金属层横向间隔开。

公开(公告)号：US20090191665A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12018847

申请日：2008-01-24

申请人： Ivan Nikitin ,  Manfred Mengel ,  Gottfried Beer ,  Henrik Ewe

发明人： Ivan Nikitin ,  Manfred Mengel ,  Gottfried Beer ,  Henrik Ewe

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

摘要： This application relates to a method of manufacturing an electronic device comprising placing a first chip on a carrier; applying an insulating layer over the first chip and the carrier; applying a metal ions containing solution to the insulating layer for producing a first metal layer of a first thickness; and producing a second metal layer of a second thickness on the insulating layer wherein at least one of the first metal layer and the second metal layer comprises at least a portion that is laterally spaced apart from the respective other metal layer.

摘要翻译： 本申请涉及一种制造电子设备的方法，包括将第一芯片放置在载体上; 在第一芯片和载体上施加绝缘层; 将金属离子溶液施加到所述绝缘层上以制备第一厚度的第一金属层; 以及在所述绝缘层上产生第二厚度的第二金属层，其中所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一个包括至少一部分，所述至少一部分与相应的其它金属层横向间隔开。

公开(公告)号：US20110108971A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12615648

申请日：2009-11-10

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Ivan Nikitin

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/185 ,  H05K1/186 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10969 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A laminate electronic device comprises a first semiconductor chip, the first semiconductor chip defining a first main face and a second main face opposite to the first main face, and having at least one electrode pad on the first main face. The laminate electronic device further comprises a carrier having a first structured metal layer arranged at a first main surface of the carrier. The first structured metal layer is bonded to the electrode pad via a first bond layer of a conductive material, wherein the first bond layer has a thickness of less than 10 μm. A first insulating layer overlies the first main surface of the carrier and the first semiconductor chip.

摘要翻译： 层压电子器件包括第一半导体芯片，第一半导体芯片限定第一主面和与第一主面相对的第二主面，并且在第一主面上具有至少一个电极焊盘。 层压电子器件还包括具有布置在载体的第一主表面上的第一结构金属层的载体。 第一结构化金属层经由导电材料的第一接合层接合到电极焊盘，其中第一接合层的厚度小于10μm。 第一绝缘层覆盖在载体的第一主表面和第一半导体芯片上。

公开(公告)号：US08120158B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12615648

申请日：2009-11-10

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Ivan Nikitin

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/185 ,  H05K1/186 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10969 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A laminate electronic device comprises a first semiconductor chip, the first semiconductor chip defining a first main face and a second main face opposite to the first main face, and having at least one electrode pad on the first main face. The laminate electronic device further comprises a carrier having a first structured metal layer arranged at a first main surface of the carrier. The first structured metal layer is bonded to the electrode pad via a first bond layer of a conductive material, wherein the first bond layer has a thickness of less than 10 μm. A first insulating layer overlies the first main surface of the carrier and the first semiconductor chip.

摘要翻译： 层压电子器件包括第一半导体芯片，第一半导体芯片限定第一主面和与第一主面相对的第二主面，并且在第一主面上具有至少一个电极焊盘。 层压电子器件还包括具有布置在载体的第一主表面上的第一结构金属层的载体。 第一结构化金属层经由导电材料的第一接合层接合到电极焊盘，其中第一接合层的厚度小于10μm。 第一绝缘层覆盖在载体的第一主表面和第一半导体芯片上。

公开(公告)号：US07994646B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12337245

申请日：2008-12-17

申请人： Joachim Mahler ,  Edward Fuergut ,  Manfred Mengel ,  Ivan Nikitin

发明人： Joachim Mahler ,  Edward Fuergut ,  Manfred Mengel ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/29

CPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is disclosed. One aspect provides a semiconductor device that includes a semiconductor chip including a first face and a second face opposite the first face, an encapsulant including inorganic particles encapsulating the semiconductor chip, a first metal layer attached to the first face of the semiconductor chip, a second metal layer attached the second face of the semiconductor chip, and electrically conducting material configured to connect the first metal layer with the second metal layer.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 一个方面提供了一种半导体器件，其包括半导体芯片，该半导体芯片包括第一面和与第一面相对的第二面，包括包封半导体芯片的无机颗粒的密封剂，附着到半导体芯片的第一面的第一金属层， 金属层附着在半导体芯片的第二面上，导电材料被配置为将第一金属层与第二金属层连接起来。

公开(公告)号：US20100148381A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12337245

申请日：2008-12-17

申请人： Joachim Mahler ,  Edward Fuergut ,  Manfred Mengel ,  Ivan Nikitin

发明人： Joachim Mahler ,  Edward Fuergut ,  Manfred Mengel ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/71

CPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is disclosed. One aspect provides a semiconductor device that includes a semiconductor chip including a first face and a second face opposite the first face, an encapsulant including inorganic particles encapsulating the semiconductor chip, a first metal layer attached to the first face of the semiconductor chip, a second metal layer attached the second face of the semiconductor chip, and electrically conducting material configured to connect the first metal layer with the second metal layer.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 一个方面提供了一种半导体器件，其包括半导体芯片，该半导体芯片包括第一面和与第一面相对的第二面，包括包封半导体芯片的无机颗粒的密封剂，附着到半导体芯片的第一面的第一金属层， 金属层附着在半导体芯片的第二面上，导电材料被配置为将第一金属层与第二金属层连接起来。

公开(公告)号：US08828804B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US12112807

申请日：2008-04-30

申请人： Ivan Nikitin ,  Alexander Heinrich ,  Stefan Landau

发明人： Ivan Nikitin ,  Alexander Heinrich ,  Stefan Landau

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/49506 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83399 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： An electronic device and fabrication of an electronic device. One embodiment provides applying a paste including electrically conductive particles to a surface of a semiconductor wafer. The semiconductor wafer is singulated with the electrically conductive particles for obtaining a plurality of semiconductor chips. At least one of the plurality of semiconductor chips is placed over a carrier with the electrically conductive particles facing the carrier. The electrically conductive particles are heated until the at least one semiconductor chip adheres to the carrier.

摘要翻译： 电子设备和电子设备的制造。 一个实施例提供了将包含导电颗粒的浆料施加到半导体晶片的表面。 半导体晶片与导电颗粒一起被用于获得多个半导体芯片。 将多个半导体芯片中的至少一个放置在载体上，导电颗粒面向载体。 加热导电颗粒直到至少一个半导体芯片粘附到载体上。

公开(公告)号：US08728873B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US12879069

申请日：2010-09-10

申请人： Benjamin Alles ,  Joachim Mahler ,  Edward Fuergut ,  Ivan Nikitin

发明人： Benjamin Alles ,  Joachim Mahler ,  Edward Fuergut ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/4825 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49517 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/244 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82815 ,  H01L2224/82948 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

摘要： In various embodiments, a method for filling a contact hole in a chip package arrangement is provided. The method may include introducing electrically conductive discrete particles into a contact hole of a chip package; and forming an electrical contact between the electrically conductive particles and a contact terminal of the front side and/or the back side of the chip.

摘要翻译： 在各种实施例中，提供了一种用于填充芯片封装结构中的接触孔的方法。 该方法可以包括将导电离散颗粒引入到芯片封装的接触孔中; 以及在所述导电颗粒与所述芯片的前侧和/或背侧的接触端子之间形成电接触。

公开(公告)号：US20140042603A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13570783

申请日：2012-08-09

申请人： Khalil Hosseini ,  Joachim Mahler ,  Ivan Nikitin ,  Gottfried Beer

发明人： Khalil Hosseini ,  Joachim Mahler ,  Ivan Nikitin ,  Gottfried Beer

IPC分类号： B23K1/20 ,  H01L23/48 ,  H01L21/78 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L23/14 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49883 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes an electrically conducting carrier and a semiconductor chip disposed over the carrier. The semiconductor device also includes a porous diffusion solder layer provided between the carrier and the semiconductor chip.

摘要翻译： 半导体器件包括导电载体和设置在载体上的半导体芯片。 半导体器件还包括设置在载体和半导体芯片之间的多孔扩散焊料层。

公开(公告)号：US08637379B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US12575532

申请日：2009-10-08

申请人： Hannes Eder ,  Ivan Nikitin ,  Manfred Schneegans ,  Jens Goerlich ,  Karsten Guth ,  Alexander Heinrich

发明人： Hannes Eder ,  Ivan Nikitin ,  Manfred Schneegans ,  Jens Goerlich ,  Karsten Guth ,  Alexander Heinrich

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L21/44 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83399 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A description is given of a method. In one embodiment the method includes providing a semiconductor chip with semiconductor material being exposed at a first surface of the semiconductor chip. The semiconductor chip is placed over a carrier with the first surface facing the carrier. An electrically conductive material is arranged between the semiconductor chip and the carrier. Heat is applied to attach the semiconductor chip to the carrier.

摘要翻译： 给出了一种方法的描述。 在一个实施例中，该方法包括提供半导体芯片，该半导体芯片在半导体芯片的第一表面处被暴露。 半导体芯片放置在载体上，第一表面面向载体。 在半导体芯片和载体之间布置导电材料。 施加热量以将半导体芯片附接到载体上。