公开(公告)号：US07678586B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11297485

申请日：2005-12-08

申请人： Huang Liu ,  Bei Chao Zhang ,  Wuping Liu ,  John Leonard Sudijono ,  Liang Choo Hsia

发明人： Huang Liu ,  Bei Chao Zhang ,  Wuping Liu ,  John Leonard Sudijono ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/31058 ,  B05D3/068 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834

摘要： An example embodiment is a method of curing a film over a semiconductor structure. We provide a semiconductor structure comprised of a substrate and an interconnect structure. We provide a film over the semiconductor structure. We provide an electron source, an anode grid between the electron source and the semiconductor structure. We cure the film by exposing the film to an electron beam from the electron source that passes through the anode grid. We control the electron beam by controlling the bias voltage between the anode grid and the semiconductor structure. Another embodiment is a tool for curing a film.

摘要翻译： 示例性实施例是在半导体结构上固化膜的方法。 我们提供由衬底和互连结构组成的半导体结构。 我们提供半导体结构的电影。 我们提供电子源，电子源和半导体结构之间的阳极栅极。 我们通过将膜暴露于电子源通过阳极栅格的电子束来固化膜。 我们通过控制阳极栅极和半导体结构之间的偏置电压来控制电子束。 另一个实施例是用于固化膜的工具。

公开(公告)号：US07276440B2

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US10734423

申请日：2003-12-12

申请人： Fan Zhang ,  Bei Chao Zhang ,  Wuping Liu ,  Kho Liep Chok ,  Liang Choo Hsia ,  Tae Jong Lee ,  Juan Boon Tan ,  Xian Bin Wang

发明人： Fan Zhang ,  Bei Chao Zhang ,  Wuping Liu ,  Kho Liep Chok ,  Liang Choo Hsia ,  Tae Jong Lee ,  Juan Boon Tan ,  Xian Bin Wang

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/3178 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： In accordance with the objectives of the invention a new design and method for the implementation thereof is provided in the form of an “oxide ring”. A conventional die is provided with a guard ring or sealing ring, which surrounds and isolates the active surface area of an individual semiconductor die. The “oxide ring” of the invention surrounds the guard ring or sealing ring and forms in this manner a mechanical stress release buffer between the sawing paths of the die and the active surface area of the singulated individual semiconductor die.

摘要翻译： 根据本发明的目的，以“氧化物环”的形式提供了一种用于实施本发明的新设计和方法。 传统的模具设置有保护环或密封环，其围绕并隔离单个半导体管芯的有源表面积。 本发明的“氧化物环”围绕保护环或密封环，并以这种方式形成在管芯的锯切路径和单个化的半导体管芯的有源表面区域之间的机械应力释放缓冲器。

公开(公告)号：US07256136B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US11345890

申请日：2006-02-02

申请人： Wuping Liu ,  Bei Chao Zhang ,  Liang Choo Hsia

发明人： Wuping Liu ,  Bei Chao Zhang ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/64

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L23/5329 ,  H01L2221/1026 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： In accordance with the objectives of the invention a new method is provided for the creation of an interconnect pattern. The invention provides for a layer of Photo-Active Dielectric (PAD) to be used for the insulation material in which the interconnect pattern is created, this without the use of an overlying exposure mask of photoresist.

摘要翻译： 根据本发明的目的，提供了一种用于创建互连图案的新方法。 本发明提供了一种用于产生互连图案的绝缘材料的光电介质（PAD）层，不需要使用光致抗蚀剂的上覆曝光掩模。

公开(公告)号：US07012022B2

公开(公告)日：2006-03-14

申请号：US10697745

申请日：2003-10-30

申请人： Wuping Liu ,  Bei Chao Zhang ,  Liang Choo Hsia

发明人： Wuping Liu ,  Bei Chao Zhang ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L23/5329 ,  H01L2221/1026 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： In accordance with the objectives of the invention a new method is provided for the creation of an interconnect pattern. The invention provides for a layer of Photo-Active Dielectric (PAD) to be used for the insulation material in which the interconnect pattern is created, this without the use of an overlying exposure mask of photoresist.

公开(公告)号：US08177993B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US11556696

申请日：2006-11-05

申请人： Boon Meng Seah ,  Bei Chao Zhang ,  Raymond Joy ,  Shao Beng Law ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

发明人： Boon Meng Seah ,  Bei Chao Zhang ,  Raymond Joy ,  Shao Beng Law ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

摘要： An first example method and apparatus for etching and cleaning a substrate comprises device with a first manifold and a second manifold. The first manifold has a plurality of nozzles for dispensing chemicals onto the substrate. The second manifold is attached to a vacuum source and/or a dry air/gas source. A second example embodiment is a wafer cleaning device and method that uses a manifold with capillary jet nozzles and a liquid capillary jet stream to clean substrates.

摘要翻译： 用于蚀刻和清洁衬底的第一示例性方法和装置包括具有第一歧管和第二歧管的装置。 第一歧管具有用于将化学品分配到基底上的多个喷嘴。 第二歧管连接到真空源和/或干燥空气/气体源。 第二示例性实施例是晶片清洁装置和方法，其使用具有毛细管喷嘴和液体毛细管喷流的歧管来清洁基底。

公开(公告)号：US08102054B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12860946

申请日：2010-08-23

申请人： Bei Chao Zhang ,  Chim Seng Seet ,  Juan Boon Tan ,  Fan Zhang ,  Yong Chiang Ee ,  Bo Tao ,  Tong Qing Chen ,  Liang Choo Hsia

发明人： Bei Chao Zhang ,  Chim Seng Seet ,  Juan Boon Tan ,  Fan Zhang ,  Yong Chiang Ee ,  Bo Tao ,  Tong Qing Chen ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a semiconductor device is presented. The method includes providing a substrate prepared with a dielectric layer formed thereon. The dielectric layer having a conductive line disposed in an upper portion of the dielectric layer. The substrate is processed to produce a top surface of the dielectric layer that is not coplanar with a top surface of the conductive line to form a stepped topography.

摘要翻译： 提出了一种形成半导体器件的方法。 该方法包括提供用其上形成的电介质层制备的衬底。 电介质层具有布置在电介质层上部的导线。 处理衬底以产生与导电线的顶表面不共面的电介质层的顶表面，以形成阶梯形状。

公开(公告)号：US07524755B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11358934

申请日：2006-02-22

申请人： Johnny Widodo ,  Bei Chao Zhang ,  Tong Qing Chen ,  Yong Kong Siew ,  Fan Zhang ,  San Leong Liew ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

发明人： Johnny Widodo ,  Bei Chao Zhang ,  Tong Qing Chen ,  Yong Kong Siew ,  Fan Zhang ,  San Leong Liew ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a barrier layer and cap comprised of CuSiN for an interconnect. We provide an interconnect opening in a dielectric layer over a semiconductor structure. We form a CuSiN barrier layer over the sidewalls and bottom of the interconnect opening by reacting with the first copper layer. We then form an interconnect over the CuSiN layer filling the interconnect opening. We can form a CuSiN cap layer on the top surface of the interconnect.

摘要翻译： 形成用于互连的CuSiN构成的阻挡层和盖的方法。 我们在半导体结构上的电介质层中提供互连开口。 通过与第一铜层反应，在互连开口的侧壁和底部上形成CuSiN阻挡层。 然后，我们在填充互连开口的CuSiN层上形成互连。 我们可以在互连的顶部表面上形成CuSiN覆盖层。

公开(公告)号：US20080105653A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11556696

申请日：2006-11-05

申请人： Boon Meng Seah ,  Bei Chao Zhang ,  Raymond Joy ,  Shao Beng Law ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

发明人： Boon Meng Seah ,  Bei Chao Zhang ,  Raymond Joy ,  Shao Beng Law ,  John Sudijono ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： B05B13/04 ,  B05B1/14 ,  B08B3/08 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

摘要： An first example method and apparatus for etching and cleaning a substrate comprises device with a first manifold and a second manifold. The first manifold has a plurality of nozzles for dispensing chemicals onto the substrate. The second manifold is attached to a vacuum source and/or a dry air/gas source. A second example embodiment is a wafer cleaning device and method that uses a manifold with capillary jet nozzles and a liquid capillary jet stream to clean substrates.

摘要翻译： 用于蚀刻和清洁衬底的第一示例性方法和装置包括具有第一歧管和第二歧管的装置。 第一歧管具有用于将化学品分配到基底上的多个喷嘴。 第二歧管连接到真空源和/或干燥空气/气体源。 第二示例性实施例是晶片清洁装置和方法，其使用具有毛细管喷嘴和液体毛细管喷流的歧管来清洁基底。

公开(公告)号：US07803704B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US12196291

申请日：2008-08-22

申请人： Bei Chao Zhang ,  Chim Seng Seet ,  Juan Boon Tan ,  Fan Zhang ,  Yong Chiang Ee ,  Bo Tao ,  Tong Qing Chen ,  Liang Choo Hsia

发明人： Bei Chao Zhang ,  Chim Seng Seet ,  Juan Boon Tan ,  Fan Zhang ,  Yong Chiang Ee ,  Bo Tao ,  Tong Qing Chen ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a semiconductor device is presented. The method includes providing a substrate prepared with a dielectric layer formed thereon. The dielectric layer having a conductive line disposed in an upper portion of the dielectric layer. The substrate is processed to produce a top surface of the dielectric layer that is not coplanar with a top surface of the conductive line to form a stepped topography.

摘要翻译： 提出了一种形成半导体器件的方法。 该方法包括提供用其上形成的电介质层制备的衬底。 电介质层具有布置在电介质层上部的导线。 处理衬底以产生与导电线的顶表面不共面的电介质层的顶表面，以形成阶梯形状。

公开(公告)号：US07601607B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11434318

申请日：2006-05-15

申请人： Wuping Liu ,  Raymond Joy ,  Beichao Zhang ,  Liang Choo Hsia ,  Boon Meng Seah ,  Shyam Pal

发明人： Wuping Liu ,  Raymond Joy ,  Beichao Zhang ,  Liang Choo Hsia ,  Boon Meng Seah ,  Shyam Pal

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76814

摘要： An embodiment of the invention shows a process to form a damascene opening preferably without hardmask overhang or dielectric layer undercut/void. The low-k dielectric material can be sandwiched in two hardmask films to form the dielectric film through which an interconnect opening is etched. A first example embodiment comprises the following. We form a lower interconnect and an insulating layer over a semiconductor structure. We form a first hardmask a dielectric layer, and a second hardmask layer, over the lower interconnect and insulating layer. We etch a first interconnect opening in the first hardmask, the dielectric layer and the second hardmask layer. Lastly, we form an interconnect in the first interconnect opening.

摘要翻译： 本发明的一个实施例示出了一种形成镶嵌开口的方法，优选地不具有硬掩模悬垂或电介质层底切/空隙。 低k电介质材料可以被夹在两个硬掩模膜中以形成蚀刻互连开口的电介质膜。 第一示例性实施例包括以下。 我们在半导体结构上形成下互连和绝缘层。 我们在下互连和绝缘层上形成第一硬掩模介电层和第二硬掩模层。 我们蚀刻第一硬掩模，电介质层和第二硬掩模层中的第一互连开口。 最后，我们在第一个互连开口中形成互连。