公开(公告)号：US20060024438A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10900978

申请日：2004-07-27

申请人： Jie-Ren Ku ,  Pieter Stroeve ,  Ruxandra Vidu ,  Raisa Talroze

发明人： Jie-Ren Ku ,  Pieter Stroeve ,  Ruxandra Vidu ,  Raisa Talroze

IPC分类号： B05D7/22

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C23C18/1616 ,  C23C18/1646 ,  C23C18/1653 ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D7/04 ,  Y10T428/2975

摘要： Radially layered nanocables are fabricated by first forming nanotubes within tubular passages of nano-sized diameter, then depositing a material dissimilar to that of the nanotubes over the surface(s) of the nanotubes by underpotential electrochemical deposition. Both hollow cables and cables with solid cores can be manufactured in this manner. The tubular passages reside in membranes or wafers that can be removed from the nanocables either before or after the second material is deposited, or in some applications, the nanocables are useful when still embedded in the membranes or wafers.

摘要翻译： 通过首先在纳米尺寸直径的管状通道内形成纳米管，然后通过不充分的电化学沉积在纳米管的表面上沉积与纳米管不同的材料来制造径向层状纳米覆盖物。 这两种中空电缆和具有实芯的电缆都可以这样制造。 管状通道位于可以在第二材料沉积之前或之后从纳米覆盖物中除去的膜或晶片，或者在一些应用中，纳米覆盖物当仍然嵌入膜或晶片时是有用的。

公开(公告)号：US08895350B2

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：US12508815

申请日：2009-07-24

申请人： Brian Argo ,  Ruxandra Vidu ,  Pieter Stroeve ,  John Argo ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

发明人： Brian Argo ,  Ruxandra Vidu ,  Pieter Stroeve ,  John Argo ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/052 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L31/068 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/035227 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/043 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/948 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/2978

摘要： A method for forming a nanostructure according to one embodiment includes creating a hole in an insulating layer positioned over an electrically conductive layer; and forming a nanocable in the hole such that the nanocable extends through the hole in the insulating layer and protrudes therefrom, the nanocable being in communication with the electrically conductive layer. Additional systems and methods are also presented.

摘要翻译： 根据一个实施方案的形成纳米结构的方法包括在位于导电层上的绝缘层中形成孔; 并且在所述孔中形成纳米结构，使得所述纳米交联体延伸穿过所述绝缘层中的所述孔并从其突出，所述纳米交联体与所述导电层连通。 还介绍了其他系统和方法。

公开(公告)号：US20100078055A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US11466411

申请日：2006-08-22

申请人： Ruxandra Vidu ,  Brian Argo ,  John Argo ,  Pieter Stroeve ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

发明人： Ruxandra Vidu ,  Brian Argo ,  John Argo ,  Pieter Stroeve ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/00 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0248

CPC分类号： H01L31/035227 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/043 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/948 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/2978

摘要： A photovoltaic nanostructure according to one embodiment of the present invention includes an electrically conductive nanocable coupled to a first electrode, a second electrode extending along at least two sides of the nanocable, and a photovoltaically active p-n junction formed between the nanocable and the second electrode. A photovoltaic array according to one embodiment includes a plurality of photovoltaic nanostructures as recited above. Methods for forming nanostructures are also presented.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施方案的光伏纳米结构包括耦合到第一电极的导电纳米结构，沿着纳米线的至少两侧延伸的第二电极以及形成在纳米交联和第二电极之间的光伏活性p-n结。 根据一个实施方案的光伏阵列包括如上所述的多个光伏纳米结构。 还提出了形成纳米结构的方法。

公开(公告)号：US20110036395A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12911657

申请日：2010-10-25

申请人： Brian Argo ,  Ruxandra Vidu ,  Pieter Stroeve ,  John Argo ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

发明人： Brian Argo ,  Ruxandra Vidu ,  Pieter Stroeve ,  John Argo ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

IPC分类号： H01L31/0236 ,  C23C28/00 ,  C23C14/34 ,  B32B3/00 ,  H01L31/04 ,  C30B25/00 ,  C30B11/00 ,  C25F3/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L31/035227 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/043 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/948 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/2978

摘要： A method for creating a nanostructure according to one embodiment includes depositing material in a template for forming an array of nanocables; removing only a portion of the template such that the template forms an insulating layer between the nanocables; and forming at least one layer over the nanocables. A nanostructure according to one embodiment includes a nanocable having a roughened outer surface and a solid core. A nanostructure according to one embodiment includes an array of nanocables each having a roughened outer surface and a solid core, the roughened outer surface including reflective cavities; and at least one layer formed over the roughened outer surfaces of the nanocables, the at least one layer creating a photovoltaically active p-n junction. Additional systems and methods are also presented.

摘要翻译： 根据一个实施方案的用于形成纳米结构的方法包括在用于形成纳米线阵列的模板中沉积材料; 仅去除模板的一部分，使得模板在纳米覆盖物之间形成绝缘层; 以及在所述纳米覆盖物上形成至少一个层。 根据一个实施方案的纳米结构包括具有粗糙化的外表面和固体核的纳米结构。 根据一个实施例的纳米结构包括每个具有粗糙化的外表面和实心芯的纳米线阵列，粗糙化的外表面包括反射腔; 以及至少一个层，形成在所述纳米覆盖物的粗糙化的外表面上，所述至少一个层产生光伏活性p-n结。 还介绍了其他系统和方法。

公开(公告)号：US08906733B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US12911657

申请日：2010-10-25

申请人： Ruxandra Vidu ,  Brian Argo ,  John Argo ,  Pieter Stroeve ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

发明人： Ruxandra Vidu ,  Brian Argo ,  John Argo ,  Pieter Stroeve ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

IPC分类号： H01L31/0236 ,  C30B25/00 ,  C23C28/00 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0216 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0352 ,  B82Y10/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/035227 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/043 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/948 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/2978

摘要： A method for creating a nanostructure according to one embodiment includes depositing material in a template for forming an array of nanocables; removing only a portion of the template such that the template forms an insulating layer between the nanocables; and forming at least one layer over the nanocables. A nanostructure according to one embodiment includes a nanocable having a roughened outer surface and a solid core. A nanostructure according to one embodiment includes an array of nanocables each having a roughened outer surface and a solid core, the roughened outer surface including reflective cavities; and at least one layer formed over the roughened outer surfaces of the nanocables, the at least one layer creating a photovoltaically active p-n junction. Additional systems and methods are also presented.

摘要翻译： 根据一个实施方案的用于形成纳米结构的方法包括在用于形成纳米线阵列的模板中沉积材料; 仅去除模板的一部分，使得模板在纳米覆盖物之间形成绝缘层; 以及在所述纳米覆盖物上形成至少一个层。 根据一个实施方案的纳米结构包括具有粗糙化的外表面和固体核的纳米结构。 根据一个实施例的纳米结构包括每个具有粗糙化的外表面和实心芯的纳米线阵列，粗糙化的外表面包括反射腔; 以及至少一个层，形成在所述纳米覆盖物的粗糙化的外表面上，所述至少一个层产生光伏活性p-n结。 还介绍了其他系统和方法。

公开(公告)号：US07847180B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US11466411

申请日：2006-08-22

申请人： Brian Argo ,  Ruxandra Vidu ,  Pieter Stroeve ,  John Argo ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

发明人： Brian Argo ,  Ruxandra Vidu ,  Pieter Stroeve ,  John Argo ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/00 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0248

CPC分类号： H01L31/035227 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/043 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/948 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/2978

摘要： A photovoltaic nanostructure according to one embodiment of the present invention includes an electrically conductive nanocable coupled to a first electrode, a second electrode extending along at least two sides of the nanocable, and a photovoltaically active p-n junction formed between the nanocable and the second electrode. A photovoltaic array according to one embodiment includes a plurality of photovoltaic nanostructures as recited above. Methods for forming nanostructures are also presented.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施方案的光伏纳米结构包括耦合到第一电极的导电纳米结构，沿着纳米线的至少两侧延伸的第二电极以及形成在纳米交联和第二电极之间的光伏活性p-n结。 根据一个实施方案的光伏阵列包括如上所述的多个光伏纳米结构。 还提出了形成纳米结构的方法。

公开(公告)号：US20130014799A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US11466416

申请日：2006-08-22

申请人： Ruxandra Vidu ,  Brian Argo ,  John Argo ,  Pieter Stroeve ,  Jie-Ren Ku

发明人： Ruxandra Vidu ,  Brian Argo ,  John Argo ,  Pieter Stroeve ,  Jie-Ren Ku

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/035227 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/043 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/948 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/2978

摘要： Nanostructures and photovoltaic structures are disclosed. A nanostructure according to one embodiment includes an array of nanocables extending from a substrate, the nanocables in the array being characterized as having a spacing and surface texture defined by inner surfaces of voids of a template; an electrically insulating layer extending along the substrate; and at least one layer overlaying the nanocables. A nanostructure according to another embodiment includes a substrate; a portion of a template extending along the substrate, the template being electrically insulative; an array of nanocables extending from the template, portions of the nanocables protruding from the template being characterized as having a spacing, shape and surface texture defined by previously-present inner surfaces of voids of the template; and at least one layer overlaying the nanocables.

摘要翻译： 公开了纳米结构和光伏结构。 根据一个实施例的纳米结构包括从衬底延伸的纳米线阵列，阵列中的纳米覆盖物的特征在于具有由模板的空隙的内表面限定的间隔和表面纹理; 沿着衬底延伸的电绝缘层; 以及覆盖纳米覆盖层的至少一个层。 根据另一实施例的纳米结构包括基底; 模板沿着衬底延伸的部分，模板是电绝缘的; 从模板延伸的纳米覆盖物阵列，从模板突出的纳米覆盖物的部分被表征为具有由先前存在的模板空隙内表面限定的间隔，形状和表面纹理; 以及覆盖纳米覆盖层的至少一个层。

公开(公告)号：US08344241B1

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US11466416

申请日：2006-08-22

申请人： Ruxandra Vidu ,  Brian Argo ,  John Argo ,  Pieter Stroeve ,  Jie-Ren Ku

发明人： Ruxandra Vidu ,  Brian Argo ,  John Argo ,  Pieter Stroeve ,  Jie-Ren Ku

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/00 ,  H01L21/00 ,  H02N6/00

CPC分类号： H01L31/035227 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/043 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/948 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/2978

摘要： Nanostructures and photovoltaic structures are disclosed. A nanostructure according to one embodiment includes an array of nanocables extending from a substrate, the nanocables in the array being characterized as having a spacing and surface texture defined by inner surfaces of voids of a template; an electrically insulating layer extending along the substrate; and at least one layer overlaying the nanocables. A nanostructure according to another embodiment includes a substrate; a portion of a template extending along the substrate, the template being electrically insulative; an array of nanocables extending from the template, portions of the nanocables protruding from the template being characterized as having a spacing, shape and surface texture defined by previously-present inner surfaces of voids of the template; and at least one layer overlaying the nanocables.

摘要翻译： 公开了纳米结构和光伏结构。 根据一个实施例的纳米结构包括从衬底延伸的纳米线阵列，阵列中的纳米覆盖物的特征在于具有由模板的空隙的内表面限定的间隔和表面纹理; 沿着衬底延伸的电绝缘层; 以及覆盖纳米覆盖层的至少一个层。 根据另一实施例的纳米结构包括基底; 模板沿着衬底延伸的部分，模板是电绝缘的; 从模板延伸的纳米覆盖物阵列，从模板突出的纳米覆盖物的部分被表征为具有由先前存在的模板空隙内表面限定的间隔，形状和表面纹理; 以及覆盖纳米覆盖层的至少一个层。

公开(公告)号：US20100112748A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12508815

申请日：2009-07-24

申请人： Ruxandra Vidu ,  Brian Argo ,  John Argo ,  Pieter Stroeve ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

发明人： Ruxandra Vidu ,  Brian Argo ,  John Argo ,  Pieter Stroeve ,  Saif Islam ,  Jie-Ren Ku ,  Michael Chen

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/035227 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/043 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/948 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/2978

摘要： A method for forming a nanostructure according to one embodiment includes creating a hole in an insulating layer positioned over an electrically conductive layer; and forming a nanocable in the hole such that the nanocable extends through the hole in the insulating layer and protrudes therefrom, the nanocable being in communication with the electrically conductive layer. Additional systems and methods are also presented.

摘要翻译： 根据一个实施方案的形成纳米结构的方法包括在位于导电层上的绝缘层中形成孔; 并且在所述孔中形成纳米结构，使得所述纳米交联体延伸穿过所述绝缘层中的所述孔并从其突出，所述纳米交联体与所述导电层连通。 还介绍了其他系统和方法。

公开(公告)号：US20110220166A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13039506

申请日：2011-03-03

申请人： Ruxandra Vidu ,  Dat Quach ,  Pieter Stroeve

发明人： Ruxandra Vidu ,  Dat Quach ,  Pieter Stroeve

IPC分类号： H01L35/20 ,  C09K3/00 ,  C25D5/02 ,  C25D5/18 ,  C25D1/04

CPC分类号： C25D5/18 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D1/04 ,  C25D3/562 ,  C25D11/04 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

摘要： This invention pertains generally to compositions and a method for making films, nanostructures and nanowires in templates and on substrates, including but not limited to metal-semiconductor nanostructures and semiconductor nanostructures on semiconductor substrates, and a device having the same. Particularly described are methods for making cobalt antimonide nanostructures on gold and Co—Sb substrates.

摘要翻译： 本发明一般涉及在模板和衬底上制备膜，纳米结构和纳米线的组合物和方法，包括但不限于半导体衬底上的金属 - 半导体纳米结构和半导体纳米结构，以及具有该纳米结构和纳米线的器件。 特别描述了在金和Co-Sb基底上制备锑化钴纳米结构的方法。