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    Pattern formation method
    1.
    发明申请
    Pattern formation method 审中-公开
    图案形成方法

    公开(公告)号：US20050214694A1

    公开(公告)日：2005-09-29

    申请号：US11010602

    申请日：2004-12-13

    申请人： Jin Hong ,  Hyun-Woo Kim ,  Myoung-Ho Jung ,  Gyung-Jin Min

    发明人： Jin Hong ,  Hyun-Woo Kim ,  Myoung-Ho Jung ,  Gyung-Jin Min

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76838

    摘要： A pattern formation method comprises forming a material layer on a substrate, forming an amorphous carbon layer on the material layer, forming an anti-reflective layer on the amorphous carbon layer, forming a silicon photoresist layer on the anti-reflective layer, forming a silicon photoresist layer pattern by patterning the silicon photoresist layer, etching the anti-reflective layer and the amorphous carbon layer using the silicon photoresist layer pattern as an etch mask to form an amorphous carbon layer pattern, and etching the material layer using the amorphous carbon layer pattern as an etch mask to form a pattern in the material layer.

    摘要翻译： 图案形成方法包括在基板上形成材料层，在所述材料层上形成无定形碳层，在所述非晶碳层上形成抗反射层，在所述抗反射层上形成硅光致抗蚀剂层，形成硅 通过图案化硅光致抗蚀剂层，使用硅光致抗蚀剂层图案蚀刻抗反射层和非晶碳层作为蚀刻掩模以形成无定形碳层图案，并使用无定形碳层图案蚀刻材料层， 作为在材料层中形成图案的蚀刻掩模。

    Method of forming semiconductor patterns
    2.
    发明申请
    Method of forming semiconductor patterns 审中-公开
    形成半导体图案的方法

    公开(公告)号：US20060003268A1

    公开(公告)日：2006-01-05

    申请号：US11155341

    申请日：2005-06-17

    申请人： Jin Hong ,  Myoung-Ho Jung ,  Hyun-Woo Kim

    发明人： Jin Hong ,  Myoung-Ho Jung ,  Hyun-Woo Kim

    IPC分类号： G03F7/36

    CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    摘要： A method of forming a pattern comprises the steps of stacking an inorganic hard mask layer, an organic mask layer, and an anti-reflecting layer on a substrate where a lower layer is formed, forming a photoresist pattern containing silicon on the anti-reflecting layer, performing an O2 plasma ashing to form a conformal layer of an oxide glass on the photoresist pattern containing silicon and to dry etch the anti-reflecting layer and the organic mask layer to form an anti-reflecting pattern and an organic mask pattern, removing the photoresist pattern, the anti-reflecting pattern, and the organic mask pattern, and etching the lower layer using a pattern of the inorganic hard mask layer as an etch mask.

    摘要翻译： 形成图案的方法包括以下步骤：在形成下层的基板上堆叠无机硬掩模层，有机掩模层和抗反射层，在抗反射层上形成含有硅的光致抗蚀剂图案 执行O 2等离子体灰化以在含有硅的光致抗蚀剂图案上形成氧化物玻璃的保形层，并干燥蚀刻抗反射层和有机掩模层以形成抗反射图案 和有机掩模图案，去除光致抗蚀剂图案，抗反射图案和有机掩模图案，并且使用无机硬掩模层的图案作为蚀刻掩模蚀刻下层。

    Mask pattern for semiconductor device fabrication, method of forming the same, and method of fabricating finely patterned semiconductor device
    5.
    发明授权
    Mask pattern for semiconductor device fabrication, method of forming the same, and method of fabricating finely patterned semiconductor device 失效
    用于半导体器件制造的掩模图案，其形成方法以及制造精细图案化的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US08241837B2

    公开(公告)日：2012-08-14

    申请号：US12946964

    申请日：2010-11-16

    申请人： Jung-Hwan Hah ,  Jin Hong ,  Hyun-Woo Kim ,  Hata Mitsuhiro ,  Kolake Mayya Subramanya ,  Sang-Gyun Woo

    发明人： Jung-Hwan Hah ,  Jin Hong ,  Hyun-Woo Kim ,  Hata Mitsuhiro ,  Kolake Mayya Subramanya ,  Sang-Gyun Woo

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  G03F7/40

    CPC分类号： G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0274

    摘要： Provided are a mask pattern including a silicon-containing self-assembled molecular layer, a method of forming the same, and a method of fabricating a semiconductor device. The mask pattern includes a resist pattern formed on a semiconductor substrate and the self-assembled molecular layer formed on the resist pattern. The self-assembled molecular layer has a silica network formed by a sol-gel reaction. To form the mask pattern, first, the resist pattern is formed with openings on an underlayer covering the substrate to expose the underlayer to a first width. Then, the self-assembled molecular layer is selectively formed only on a surface of the resist pattern to expose the underlayer to a second width smaller than the first width. The underlayer is etched by using the resist pattern and the self-assembled molecular layer as an etching mask to obtain a fine pattern.

    摘要翻译： 提供了包括含硅自组装分子层的掩模图案，其形成方法和制造半导体器件的方法。 掩模图案包括形成在半导体衬底上的抗蚀剂图案和形成在抗蚀剂图案上的自组装分子层。 自组装分子层具有通过溶胶 - 凝胶反应形成的二氧化硅网络。 为了形成掩模图案，首先，在覆盖基板的下层上形成抗蚀剂图案，使底层暴露于第一宽度。 然后，仅在抗蚀剂图案的表面上选择性地形成自组装分子层，以使底层暴露于小于第一宽度的第二宽度。 通过使用抗蚀剂图案和自组装分子层作为蚀刻掩模来蚀刻底层以获得精细图案。

    MASK PATTERN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION, METHOD OF FORMING THE SAME, AND METHOD OF FABRICATING FINELY PATTERNED SEMICONDUCTOR DEVICE
    6.
    发明申请
    MASK PATTERN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION, METHOD OF FORMING THE SAME, AND METHOD OF FABRICATING FINELY PATTERNED SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
    用于半导体器件制造的掩模图案，其形成方法以及制造精细图案半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20110059613A1

    公开(公告)日：2011-03-10

    申请号：US12946964

    申请日：2010-11-16

    申请人： Jung-Hwan Hah ,  Jin Hong ,  Hyun-Woo Kim ,  Hata Mitsuhiro ,  Kolake Mayya Subramanya ,  Sang-Gyun Woo

    发明人： Jung-Hwan Hah ,  Jin Hong ,  Hyun-Woo Kim ,  Hata Mitsuhiro ,  Kolake Mayya Subramanya ,  Sang-Gyun Woo

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/20

    CPC分类号： G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0274

    摘要： Provided are a mask pattern including a silicon-containing self-assembled molecular layer, a method of forming the same, and a method of fabricating a semiconductor device. The mask pattern includes a resist pattern formed on a semiconductor substrate and the self-assembled molecular layer formed on the resist pattern. The self-assembled molecular layer has a silica network formed by a sol-gel reaction. To form the mask pattern, first, the resist pattern is formed with openings on an underlayer covering the substrate to expose the underlayer to a first width. Then, the self-assembled molecular layer is selectively formed only on a surface of the resist pattern to expose the underlayer to a second width smaller than the first width. The underlayer is etched by using the resist pattern and the self-assembled molecular layer as an etching mask to obtain a fine pattern.

    摘要翻译： 提供了包括含硅自组装分子层的掩模图案，其形成方法和制造半导体器件的方法。 掩模图案包括形成在半导体衬底上的抗蚀剂图案和形成在抗蚀剂图案上的自组装分子层。 自组装分子层具有通过溶胶 - 凝胶反应形成的二氧化硅网络。 为了形成掩模图案，首先，在覆盖基板的下层上形成抗蚀剂图案，使底层暴露于第一宽度。 然后，仅在抗蚀剂图案的表面上选择性地形成自组装分子层，以使底层暴露于小于第一宽度的第二宽度。 通过使用抗蚀剂图案和自组装分子层作为蚀刻掩模来蚀刻底层以获得精细图案。

    Mask pattern for semiconductor device fabrication, method of forming the same, and method of fabricating finely patterned semiconductor device
    7.
    发明授权
    Mask pattern for semiconductor device fabrication, method of forming the same, and method of fabricating finely patterned semiconductor device 失效
    用于半导体器件制造的掩模图案，其形成方法以及制造精细图案化的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07851125B2

    公开(公告)日：2010-12-14

    申请号：US11186913

    申请日：2005-07-21

    申请人： Jung-Hwan Hah ,  Jin Hong ,  Hyun-Woo Kim ,  Hata Mitsuhiro ,  Kolake Mayya Subramanya ,  Sang-Gyun Woo

    发明人： Jung-Hwan Hah ,  Jin Hong ,  Hyun-Woo Kim ,  Hata Mitsuhiro ,  Kolake Mayya Subramanya ,  Sang-Gyun Woo

    IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/36 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/039

    CPC分类号： G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0274

    摘要： Provided are a mask pattern including a silicon-containing self-assembled molecular layer, a method of forming the same, and a method of fabricating a semiconductor device. The mask pattern includes a resist pattern formed on a semiconductor substrate and the self-assembled molecular layer formed on the resist pattern. The self-assembled molecular layer has a silica network formed by a sol-gel reaction. To form the mask pattern, first, the resist pattern is formed with openings on an underlayer covering the substrate to expose the underlayer to a first width. Then, the self-assembled molecular layer is selectively formed only on a surface of the resist pattern to expose the underlayer to a second width smaller than the first width. The underlayer is etched by using the resist pattern and the self-assembled molecular layer as an etching mask to obtain a fine pattern.

    摘要翻译： 提供了包括含硅自组装分子层的掩模图案，其形成方法和制造半导体器件的方法。 掩模图案包括形成在半导体衬底上的抗蚀剂图案和形成在抗蚀剂图案上的自组装分子层。 自组装分子层具有通过溶胶 - 凝胶反应形成的二氧化硅网络。 为了形成掩模图案，首先，在覆盖基板的下层上形成抗蚀剂图案，使底层暴露于第一宽度。 然后，仅在抗蚀剂图案的表面上选择性地形成自组装分子层，以使底层暴露于小于第一宽度的第二宽度。 通过使用抗蚀剂图案和自组装分子层作为蚀刻掩模来蚀刻底层以获得精细图案。

    Mask pattern for semiconductor device fabrication, method of forming the same, and method of fabricating finely patterned semiconductor device
    8.
    发明申请
    Mask pattern for semiconductor device fabrication, method of forming the same, and method of fabricating finely patterned semiconductor device 失效
    用于半导体器件制造的掩模图案，其形成方法以及制造精细图案化的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20060046205A1

    公开(公告)日：2006-03-02

    申请号：US11186913

    申请日：2005-07-21

    申请人： Jung-Hwan Hah ,  Jin Hong ,  Hyun-Woo Kim ,  Hata Mitsuhiro ,  Kolake Subramanya ,  Sang-Gyun Woo

    发明人： Jung-Hwan Hah ,  Jin Hong ,  Hyun-Woo Kim ,  Hata Mitsuhiro ,  Kolake Subramanya ,  Sang-Gyun Woo

    IPC分类号： G03F7/00

    CPC分类号： G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0274

    摘要： Provided are a mask pattern including a silicon-containing self-assembled molecular layer, a method of forming the same, and a method of fabricating a semiconductor device. The mask pattern includes a resist pattern formed on a semiconductor substrate and the self-assembled molecular layer formed on the resist pattern. The self-assembled molecular layer has a silica network formed by a sol-gel reaction. To form the mask pattern, first, the resist pattern is formed with openings on an underlayer covering the substrate to expose the underlayer to a first width. Then, the self-assembled molecular layer is selectively formed only on a surface of the resist pattern to expose the underlayer to a second width smaller than the first width. The underlayer is etched by using the resist pattern and the self-assembled molecular layer as an etching mask to obtain a fine pattern.

    摘要翻译： 提供了包括含硅自组装分子层的掩模图案，其形成方法和制造半导体器件的方法。 掩模图案包括形成在半导体衬底上的抗蚀剂图案和形成在抗蚀剂图案上的自组装分子层。 自组装分子层具有通过溶胶 - 凝胶反应形成的二氧化硅网络。 为了形成掩模图案，首先，在覆盖基板的下层上形成抗蚀剂图案，使底层暴露于第一宽度。 然后，仅在抗蚀剂图案的表面上选择性地形成自组装分子层，以使底层暴露于小于第一宽度的第二宽度。 通过使用抗蚀剂图案和自组装分子层作为蚀刻掩模来蚀刻底层以获得精细图案。