公开(公告)号：US20140203413A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：US13883730

申请日：2011-12-16

申请人： Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Volker Härle ,  Karl Engl ,  Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki

发明人： Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Volker Härle ,  Karl Engl ,  Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/78 ,  H01L24/73 ,  H01L29/02 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/46 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： A composite substrate has a carrier and a utility layer. The utility layer is attached to the carrier by means of a dielectric bonding layer and the carrier contains a radiation conversion material. Other embodiments relate to a semiconductor chip having such a composite substrate, a method for producing a composite substrate and a method for producing a semiconductor chip with a composite substrate.

摘要翻译： 复合衬底具有载体和效用层。 实用层通过介电粘合层附着到载体上，载体包含辐射转换材料。 其他实施方式涉及具有这种复合基板的半导体芯片，复合基板的制造方法以及具有复合基板的半导体芯片的制造方法。

公开(公告)号：US09123528B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US13883730

申请日：2011-12-16

申请人： Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Karl Engl ,  Ann-Kathrin Haerle ,  Jakob Johannes Haerle ,  Johanna Magdalena Haerle ,  Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki

发明人： Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Karl Engl ,  Volker Haerle ,  Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/78 ,  H01L24/73 ,  H01L29/02 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/46 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： A composite substrate has a carrier and a utility layer. The utility layer is attached to the carrier by means of a dielectric bonding layer and the carrier contains a radiation conversion material. Other embodiments relate to a semiconductor chip having such a composite substrate, a method for producing a composite substrate and a method for producing a semiconductor chip with a composite substrate.

摘要翻译： 复合衬底具有载体和效用层。 实用层通过介电粘合层附着到载体上，载体包含辐射转换材料。 其他实施方式涉及具有这种复合基板的半导体芯片，复合基板的制造方法以及具有复合基板的半导体芯片的制造方法。

公开(公告)号：US09373747B2

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：US14344573

申请日：2012-09-12

申请人： Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki ,  Karl Engl ,  Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Volker Haerle ,  Ann-Kathrin Haerle ,  Jakob Johannes Haerle ,  Johanna Magdalena Haerle

发明人： Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki ,  Karl Engl ,  Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Volker Haerle

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/762 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A method for producing an optoelectronic component is provided. A transfer layer, containing InxGa1-xN with 0 x, is grown onto the previously grown transfer layer, ions are implanted into the further transfer layer to form a separation zone, a further carrier substrate is applied, and the further transfer layer is separated by way of heat treatment. Subsequently, a semiconductor layer sequence, containing an active layer, is grown onto the surface of the further transfer layer facing away from the further carrier substrate.

摘要翻译： 提供了一种制造光电子元件的方法。 将含有0 x的InyGa1-yN的另一转印层生长到预先生长的转印层上，将离子注入到另外的转印层中以形成分离区，施加另外的载体衬底， 并且通过热处理分离进一步的转印层。 随后，将含有活性层的半导体层序列生长到背离另外的载体衬底的另一转印层的表面上。

公开(公告)号：US20140346541A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：US14345852

申请日：2012-08-23

申请人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar

发明人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/24

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of producing an optoelectronic semiconductor chip includes providing a growth substrate, producing a III nitride nucleation layer on the growth substrate by sputtering, wherein a material of the growth substrate differs from a material of the nucleation layer, and growing a III nitride semiconductor layer sequence having an active layer onto the nucleation layer.

摘要翻译： 制造光电子半导体芯片的方法包括提供生长衬底，通过溅射在生长衬底上产生III族氮化物成核层，其中生长衬底的材料与成核层的材料不同，以及生长III族氮化物半导体层 序列在成核层上具有活性层。

公开(公告)号：US09343615B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US14345852

申请日：2012-08-23

申请人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar

发明人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of producing an optoelectronic semiconductor chip includes providing a growth substrate, producing a III nitride nucleation layer on the growth substrate by sputtering, wherein a material of the growth substrate differs from a material of the nucleation layer, and growing a III nitride semiconductor layer sequence having an active layer onto the nucleation layer.

摘要翻译： 制造光电子半导体芯片的方法包括提供生长衬底，通过溅射在生长衬底上产生III族氮化物成核层，其中生长衬底的材料与成核层的材料不同，以及生长III族氮化物半导体层 序列在成核层上具有活性层。

公开(公告)号：US20140342484A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：US14344825

申请日：2012-08-28

申请人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar ,  Peter Stauss

发明人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar ,  Peter Stauss

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  C23C14/0617 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00

摘要： A method of producing a semiconductor chip includes providing a silicon growth substrate, producing a III nitride buffer layer on the growth substrate by sputtering, and growing a III nitride semiconductor layer sequence having an active layer above the buffer layer.

摘要翻译： 一种制造半导体芯片的方法包括提供硅生长衬底，通过溅射在生长衬底上产生III族氮化物缓冲层，以及在缓冲层上方生长具有活性层的III族氮化物半导体层序列。

公开(公告)号：US09174400B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US11707589

申请日：2007-02-15

申请人： Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Volker Härle

发明人： Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Volker Härle

IPC分类号： H01L33/22 ,  B29D11/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L31/0232

CPC分类号： B29D11/00278 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0005 ,  G03F7/2035 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/22

摘要： A method for producing structures (5) on a multiplicity of optoelectronic components (1), wherein the multiplicity of optoelectronic components (1) are arranged on an auxiliary carrier (10) and the structures (5) are produced by carrying out a movement of a first roller (15) relative to the auxiliary carrier (10) and producing the structures (5) in the process by means of exerting a pressure between the first roller (15) and the auxiliary carrier (10).

摘要翻译： 一种用于在多个光电子部件（1）上制造结构（5）的方法，其中所述多个光电子部件（1）布置在辅助载体（10）上，并且所述结构（5）通过执行 相对于辅助载体（10）的第一辊（15），并且通过在第一辊（15）和辅助载体（10）之间施加压力来在该过程中产生结构（5）。

公开(公告)号：US20120018763A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US12922736

申请日：2009-06-25

申请人： Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Klaus Streubel ,  Markus Klein

发明人： Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Klaus Streubel ,  Markus Klein

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A radiation-emitting semiconductor chip includes: a carrier and a semiconductor body with a semiconductor layer sequence including an active region that generates radiation, a first semiconductor layer and a second semiconductor layer; wherein the active region is arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; the first semiconductor layer is arranged on a side of the active region which faces away from the carrier; the semiconductor body comprises at least one recess which extends through the active region; the first semiconductor layer is electrically conductively connected to a first connection layer extending in the recess from the first semiconductor layer in a direction of the carrier; and the first connection layer is electrically connected to the second semiconductor layer via a protective diode.

摘要翻译： 辐射发射半导体芯片包括：载体和具有包括产生辐射的有源区的半导体层序列的半导体本体，第一半导体层和第二半导体层; 其中所述有源区布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间; 第一半导体层布置在有源区的背离载体的一侧; 所述半导体本体包括延伸穿过所述有源区域的至少一个凹部; 所述第一半导体层与所述第一半导体层沿着所述载体的方向导电地连接到在所述凹部中延伸的第一连接层; 并且第一连接层经由保护二极管电连接到第二半导体层。

公开(公告)号：US20070205525A1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：US11707589

申请日：2007-02-15

申请人： Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle

发明人： Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle

IPC分类号： B29D11/00

CPC分类号： B29D11/00278 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0005 ,  G03F7/2035 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/22

摘要： A method for producing structures (5) on a multiplicity of optoelectronic components (1), wherein the multiplicity of optoelectronic components (1) are arranged on an auxiliary carrier (10) and the structures (5) are produced by carrying out a movement of a first roller (15) relative to the auxiliary carrier (10) and producing the structures (5) in the process by means of exerting a pressure between the first roller (15) and the auxiliary carrier (10).

摘要翻译： 一种用于在多个光电子部件（1）上制造结构（5）的方法，其中所述多个光电子部件（1）布置在辅助载体（10）上，并且所述结构（5）通过执行 相对于辅助载体（10）的第一辊（15），并且通过在第一辊（15）和辅助载体（10）之间施加压力来在该过程中产生结构（5）。

公开(公告)号：US08710537B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US12922736

申请日：2009-06-25

申请人： Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Klaus Streubel ,  Markus Klein

发明人： Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Klaus Streubel ,  Markus Klein

IPC分类号： H01L33/38

CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A radiation-emitting semiconductor chip includes: a carrier and a semiconductor body with a semiconductor layer sequence including an active region that generates radiation, a first semiconductor layer and a second semiconductor layer; wherein the active region is arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; the first semiconductor layer is arranged on a side of the active region which faces away from the carrier; the semiconductor body comprises at least one recess which extends through the active region; the first semiconductor layer is electrically conductively connected to a first connection layer extending in the recess from the first semiconductor layer in a direction of the carrier; and the first connection layer is electrically connected to the second semiconductor layer via a protective diode.

摘要翻译： 辐射发射半导体芯片包括：载体和具有包括产生辐射的有源区的半导体层序列的半导体本体，第一半导体层和第二半导体层; 其中所述有源区布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间; 第一半导体层布置在有源区的背离载体的一侧; 所述半导体本体包括延伸穿过所述有源区域的至少一个凹部; 所述第一半导体层与所述第一半导体层沿着所述载体的方向导电地连接到在所述凹部中延伸的第一连接层; 并且第一连接层经由保护二极管电连接到第二半导体层。